Freestanding GaN substrate
Pam-Xiamen har etableret fremstillingsteknologien til fritstående (galliumnitrid) GaN-substrat Wafer, som er til UHB-LED og LD. Dyrket af Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) -teknologi, har vores GaN -substrat lav defektdensitet.
- Description
Beskrivelse
Fritstående GaN-substrat
Som en førende GAN-substratleverandør har Pam-Xiamen etableret fremstillingsteknologien til fritstående (galliumnitrid)GaN substrat wafer which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN substrate for III-nitride devices has low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.
Foruden effektanordninger anvendes galliumnitrid -halvledersubstrater i stigende grad til fremstilling af hvide lys -LED'er, fordi GAN -LED -underlagene giver forbedrede elektriske egenskaber, og deres ydelse overstiger aktuelle enheder. Desuden har den hurtige udvikling af galliumnitridsubstratteknologi ført til udviklingen af højeffektiv GaN-fritstående underlag med lav defektdensitet og fri makrofejletæthed. Derfor kan sådanne GaN -substrater i stigende grad bruges til hvide LED'er. Som et resultat vokser markedet for bulk -GaN -substratet hurtigt. I øvrigt kan bulk Gan Wafer bruges til test af lodrette effektenhedskoncepter.
1. Specifikation af fritstående GaN -underlag
Her viser detaljerede specifikation:
1.1 4 ″ N Type SI Doped Gan （Gallium Nitride) Fritstående underlag
| Vare | PAM-FS-GaN100-N+ |
| Ledningstype | N type/Si-doteret |
| Størrelse | 4"(100)+/-1 mm |
| Tykkelse | 480+/-50 |
| Orientering | C-akse(0001)+/-0,5o |
| Primær lejligheds beliggenhed | (10-10)+/-0,5o |
| Primær flad længde | 32+/-1 mm |
| Sekundær lejligheds beliggenhed | (1-210)+/-3o |
| Sekundær flad længde | 18+/-1 mm |
| Resistivitet (300K) | <0.05Ω · cm |
| Dislokationstæthed | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100 bue.sek |
| TTV | <=30 um |
| SLØJFE | <=+/-30um |
| Overfladebehandling | Frontoverflade: Ra <= 0,3nm.Epi-klar poleret |
| — | Bagside: 1. Fin jord |
| — | 2. Poleret. |
| Brugbart område | ≥ 90 % |
1.2 4 ″ N Type Lav dopet gan （Galliumnitrid) Fritstående underlag
| Vare | PAM-FS-GaN100-N- |
| Ledningstype | N type |
| Størrelse | 4"(100)+/-1 mm |
| Tykkelse | 480+/-50 |
| Orientering | C-akse(0001)+/-0,5o |
| Primær lejligheds beliggenhed | (10-10)+/-0,5o |
| Primær flad længde | 32+/-1 mm |
| Sekundær lejligheds beliggenhed | (1-210)+/-3o |
| Sekundær flad længde | 18+/-1 mm |
| Resistivitet (300K) | <0.5Ω · cm |
| Dislokationstæthed | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100 bue.sek |
| TTV | <=30 um |
| SLØJFE | <=+/-30um |
| Overfladebehandling | Frontoverflade: Ra <= 0,3nm.Epi-klar poleret |
| — | Bagside: 1. Fin jord |
| — | 2. Poleret. |
| Brugbart område | ≥ 90 % |
1.3 4 ″ semi-isolerende gan （galliumnitrid) Fritstående underlag
| Vare | PAM-FS-GaN100-SI |
| Ledningstype | Halvisolerende |
| Størrelse | 4"(100)+/-1 mm |
| Tykkelse | 480+/-50 |
| Orientering | C-akse(0001)+/-0,5o |
| Primær lejligheds beliggenhed | (10-10)+/-0,5o |
| Primær flad længde | 32+/-1 mm |
| Sekundær lejligheds beliggenhed | (1-210)+/-3o |
| Sekundær flad længde | 18+/-1 mm |
| Resistivitet (300K) | >10^6Ω·cm |
| Dislokationstæthed | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100 bue.sek |
| TTV | <=30 um |
| SLØJFE | <=+/-30um |
| Overfladebehandling | Frontoverflade: Ra <= 0,3nm.Epi-klar poleret |
| — | Bagside: 1. Fin jord |
| — | 2. Poleret. |
| Brugbart område | ≥ 90 % |
1,4 2 ″ Si Doped Gan （Gallium Nitride) Fritstående underlag
| Vare | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
| Ledningstype | N type/Si-doteret | |||
| Størrelse | 2"(50,8)+/-1 mm | |||
| Tykkelse | 400+/-50 | |||
| Orientering | C-akse(0001)+/-0,5o | |||
| Primær lejligheds beliggenhed | (10-10)+/-0,5o | |||
| Primær flad længde | 16 +/- 1 mm | |||
| Sekundær lejligheds beliggenhed | (1-210)+/-3o | |||
| Sekundær flad længde | 8 +/- 1 mm | |||
| Resistivitet (300K) | <0.05Ω · cm | |||
| Dislokationstæthed | <5x106cm-2 | |||
| FWHM | <=100 bue.sek | |||
| TTV | <= 15um | |||
| SLØJFE | <=+/-20um | |||
| Overfladebehandling | Frontoverflade: Ra <= 0,3nm.Epi-klar poleret | |||
| Tilbageoverflade: 1.Fine Ground | ||||
| 2.Poleret. | ||||
| Brugbart område | ≥ 90 % | |||
1,5 2 ″ Lav dopet gan （Galliumnitrid) Fritstående underlag
| Vare | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
| Ledningstype | N type | ||||
| Størrelse | 2"(50,8)+/-1 mm | ||||
| Tykkelse | 400+/-50 | ||||
| Orientering | C-akse(0001)+/-0,5o | ||||
| Primær lejligheds beliggenhed | (10-10)+/-0,5o | ||||
| Primær flad længde | 16 +/- 1 mm | ||||
| Sekundær lejligheds beliggenhed | (1-210)+/-3o | ||||
| Sekundær flad længde | 8 +/- 1 mm | ||||
| Resistivitet (300K) | <0.5Ω · cm | ||||
| Dislokationstæthed | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100 bue.sek | ||||
| TTV | <= 15um | ||||
| SLØJFE | <=+/-20um | ||||
| Overfladebehandling | Frontoverflade: Ra <= 0,3nm.Epi-klar poleret | ||||
| Tilbageoverflade: 1.Fine Ground | |||||
| 2.Poleret. | |||||
| Brugbart område | ≥ 90 % | ||||
1,6 2 ″ semi-isolerende gan （Galliumnitrid) Fritstående underlag
| Vare | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
| Ledningstype | Halvisolerende | ||||
| Størrelse | 2"(50,8)+/-1 mm | ||||
| Tykkelse | 400+/-50 | ||||
| Orientering | C-akse(0001)+/-0,5o | ||||
| Primær lejligheds beliggenhed | (10-10)+/-0,5o | ||||
| Primær flad længde | 16 +/- 1 mm | ||||
| Sekundær lejligheds beliggenhed | (1-210)+/-3o | ||||
| Sekundær flad længde | 8 +/- 1 mm | ||||
| Resistivitet (300K) | >10^6Ω·cm | ||||
| Dislokationstæthed | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100 bue.sek | ||||
| TTV | <= 15um | ||||
| SLØJFE | <=+/-20um | ||||
| Overfladebehandling | Frontoverflade: Ra <= 0,3nm.Epi-klar poleret | ||||
| Tilbageoverflade: 1.Fine Ground | |||||
| 2.Poleret. | |||||
| Brugbart område | ≥ 90 % | ||||
1,7 15 mm, 10 mm, 5 mmFritståendeGaN substrat
| Vare | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
| PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
| PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
| Ledningstype | N-type | Halvisolerende | |
| Størrelse | 14,0 mm*15mm 10,0 mm*10,5 mm 5,0*5,5 mm | ||
| Tykkelse | 330-450um | ||
| Orientering | C-akse(0001)+/-0,5o | ||
| Primær lejligheds beliggenhed | |||
| Primær flad længde | |||
| Sekundær lejligheds beliggenhed | |||
| Sekundær flad længde | |||
| Resistivitet (300K) | <0.5Ω · cm | > 106Ω · cm | |
| Dislokationstæthed | <5x106cm-2 | ||
| Marco-defektdensitet | 0 cm-2 | ||
| TTV | <= 15um | ||
| SLØJFE | <= 20um | ||
| Overfladebehandling | Frontoverflade: Ra <0,2nm.Epi-klar poleret | ||
| Tilbageoverflade: 1.Fine Ground | |||
| 2. Grough Gribed | |||
| Brugbart område | ≥ 90% | ||
Bemærk:
Valideringswafer:I betragtning af brug af brug tilbyder Pam-Xiamen 2 ″ Sapphire Validation Wafer til under 2 ″ størrelse fritstående GaN-underlag
2. egenskaber ved fritstående GaN -underlag
| Gitterparametre | a=0,3189 nm; c=0,5185 nm |
| Band Gap | 3,39 eV |
| density | 6,15 g/cm3 |
| Therm. Ekspansionskoefficient | a: 5,59×10-6/K; c: 3,17×10-6/K |
| Brydningsindeks | 2.33-2.7 |
| Dielektrisk konstant | 9.5 |
| Varmeledningsevne | 1,3 W/(cm*k) |
| Nedbrydning af elektrisk felt | 3,3 MV/cm |
| Mætningsdriftshastighed | 2,5E7cm/s |
| Elektronmobilitet | 1300 cm2/(V*s) |
3. Anvendelse af GaN -substrat
Solid tilstandsbelysning: GAN -enheder bruges som ultra høj lysstyrke, der udsender dioder (LED'er), tv'er, biler og generel belysning
DVD Opbevaring: Blå laserdioder
Effektanordning: Enheder, der er fremstillet på GaN-bulksubstrat, bruges som forskellige komponenter i højeffekt og højfrekvente kraftelektronik som cellulære basestationer, satellitter, strømforstærkere og invertere/omformere til elektriske køretøjer (EV) og hybride elektriske køretøjer (HEV). GANs lave følsomhed over for ioniserende stråling (som andre gruppe III-nitrider) gør det til et passende materiale til rumbårne applikationer såsom solcellearrays til satellitter og højeffekt, højfrekvente enheder til kommunikation, vejr og overvågningssatellitter
Rent galliumnitrid substrat IDeal for III-Nitrides genvækst
Trådløse basestationer: RF -strømtransistorer
Trådløs bredbåndsadgang: Højfrekvent MMICS, RF-kredsløb MMICS
Tryksensorer: MEMS
Varmesensorer: Pyro-elektriske detektorer
POWer Conditioning: blandet signal GaN/SI -integration
Automotive elektronik: Elektronik med høj temperatur
Kraftoverførselslinjer: Højspændingselektronik
Rammesensorer: UV-detektorer
Solceller: GANs brede båndgap dækker solspektret fra 0,65 eV til 3,4 eV (som praktisk talt er hele solspektret), hvilket gør indiumkalliumnitrid
(INGAN) Legeringer Perfekte til at skabe solcellemateriale. På grund af denne fordel er INGAN solceller, der dyrkes på GaN -substrater, klar til at blive et af de vigtigste nye applikationer og vækstmarked for GaN -substratskiver.
Ideel til HEMT'er, FET'er
Gan Schottky Diode-projekt: Vi accepterer brugerdefineret spec af Schottky-dioder fremstillet på de HVPE-voksne, fritstående galliumnitrid (GAN) lag af N- og P-typer.
Begge kontakter (ohmic og Schottky) blev deponeret på den øverste overflade under anvendelse af Al/Ti og Pd/Ti/Au.
Bemærkning:
Den kinesiske regering har annonceret nye grænser for eksporten af galliummaterialer (såsom GAAS, GaN, GA2O3, GAP, INGAAS og GASB) og germaniummaterialer, der bruges til at fremstille halvlederchips. Fra 1. august 2023 er det kun tilladt at eksportere disse materialer, hvis vi får en licens fra det kinesiske handelsministerium. Håber på din forståelse og samarbejde!
