GaN skabeloner
- Beskrivelse
Beskrivelse
GAN Skabelon (galliumnitrid skabelon)
PAM-XIAMENs GaN-skabelon består af krystallinske lag af galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN), aluminium galliumnitrid (AlGaN) og indiumgalliumnitrid (InGaN), som er epilag på safir og elektronisk kvalitet til fremstilling som MOS-baseret enheder. PAM-XIAMENs Gallium Nitride Template-produkter muliggør 20-50% kortere epitaksicyklustider og epitaksiale enhedslag af højere kvalitet, med bedre strukturel kvalitet og højere termisk ledningsevne, hvilket kan forbedre enheder med hensyn til omkostninger, udbytte og ydeevne.
2" (50,8 mm)GaN skabelonerEpitaksi på safirunderlag
| Vare | PAM-2 tommer-GaNT-N | PAM-2 tommer-GaNT-SI |
| Ledningstype | N-type | Halvisolerende |
| dopingmiddel | Si dopet eller lavt dopet | Fe doteret |
| Størrelse | 2" (50 mm) dia. | |
| Tykkelse | 4um, 20um, 30um, 50um, 100um | 30um, 90um |
| Orientering | C-akse(0001)+/-1° | |
| Resistivitet (300K) | <0.05Ω · cm | > 1 × 106Ω · cm |
| Dislokationstæthed | <1x108 cm-2 | |
| Underlagets struktur | GaN på Sapphire (0001) | |
| Overfladebehandling | Enkelt- eller dobbeltsidet poleret, epi-klar | |
| Brugbart område | ≥ 90% | |
2" (50,8 mm) GaN-skabeloner epitaksi på safirunderlag
| Vare | PAM-gant-P | |
| Ledningstype | P-type | |
| dopingmiddel | mg doped | |
| Størrelse | 2" (50 mm) dia. | |
| Tykkelse | 5um, 20um, 30um, 50um, 100um | |
| Orientering | C-akse(0001)+/-1° | |
| Resistivitet (300K) | <1Ω·cm eller brugerdefineret | |
| Dopantkoncentration | 1E17(cm-3) eller brugerdefineret | |
| Underlagets struktur | GaN på Sapphire (0001) | |
| Overfladebehandling | Enkelt- eller dobbeltsidet poleret, epi-klar | |
| Brugbart område | ≥ 90% | |
3" (76,2 mm) GaN skabeloner epitaksi på safirunderlag
| Vare | PAM-3 tommer-GaNT-N |
| Ledningstype | N-type |
| dopingmiddel | Si dopet |
| Udelukkelseszone: | 5 mm fra udvendig diameter |
| Tykkelse: | 20um, 30um |
| Dislokationstæthed | < 1x108 cm-2 |
| Plademodstand (300K): | <0.05Ω · cm |
| substrat: | safir |
| Orientering: | C-plan |
| Safir tykkelse: | 430um |
| Polering: | Enkelt side poleret, epi-klar, med atomare trin. |
| Belægning på bagsiden: | (brugerdefineret) titanbelægning af høj kvalitet, tykkelse > 0,4 μm |
| Emballage: | Individuelt pakket under argon |
| Atmosfære vakuum forseglet i klasse 100 renrum. |
3" (76,2 mm) GaN skabeloner epitaksi på safirunderlag
| Vare | PAM-3 tommer-GaNT-SI |
| Ledningstype | Halvisolerende |
| dopingmiddel | Fe dopet |
| Udelukkelseszone: | 5 mm fra udvendig diameter |
| Tykkelse: | 20um, 30um, 90um (20um er det bedste) |
| Dislokationstæthed | < 1x108 cm-2 |
| Plademodstand (300K): | >106 ohm.cm |
| substrat: | safir |
| Orientering: | C-plan |
| Safir tykkelse: | 430um |
| Polering: | Enkelt side poleret, epi-klar, med atomare trin. |
| Belægning på bagsiden: | (brugerdefineret) titanbelægning af høj kvalitet, tykkelse > 0,4 μm |
| Emballage: | Individuelt pakket under argon Atmosfære vakuumforseglet i klasse 100 renrum. |
4" (100 mm) GaN-skabeloner epitaksiale på safirunderlag
| Vare | PAM-4inch-GaNT-N |
| Ledningstype | N-type |
| dopingmiddel | lavt dopet |
| Tykkelse: | 4um |
| Dislokationstæthed | < 1x108 cm-2 |
| Plademodstand (300K): | <0.05Ω · cm |
| substrat: | safir |
| Orientering: | C-plan |
| Safir tykkelse: | - |
| Polering: | Enkelt side poleret, epi-klar, med atomare trin. |
| Emballage: | Individuelt pakket under argon-atmosfære |
| vakuumforseglet i klasse 100 renrum. |
2" (50,8 mm) AlGaN, InGaN, AlN Epitaxy på Sapphire skabeloner: brugerdefineret
2” (50,8 mm) AlN Epitaksi på Sapphire skabeloner
| Vare | PAM-AlNT-SI |
| Ledningstype | semi-isolerende |
| Diameter | Ø 50,8 mm ± 1 mm |
| Tykkelse: | 1000nm+/- 10 % |
| substrat: | safir |
| Orientering: | C-akse(0001)+/-1° |
| Orientering flad | Et fly |
| XRD FWHM på (0002) | <200 buesek. |
| Brugbart overfladeareal | ≥90% |
| Polering: | Ingen |
2 ”(50,8 mm)InGaN Epitaxy på Sapphire skabeloner
| Vare | PAM-INGAN |
| Ledningstype | - |
| Diameter | Ø 50,8 mm ± 1 mm |
| Tykkelse: | 100-200nm, brugerdefineret |
| substrat: | safir |
| Orientering: | C-akse(0001)+/-1O |
| dopingmiddel | I |
| Dislokationstæthed | ~ 108 cm-2 |
| Brugbart overfladeareal | ≥90% |
| Overfladebehandling | Enkelt- eller dobbeltsidet poleret, epi-klar |
2" (50,8 mm) AlGaN Epitaksi på Sapphire skabeloner
| Vare | PAM-AlNT-SI |
| Ledningstype | semi-isolerende |
| Diameter | Ø 50,8 mm ± 1 mm |
| Tykkelse: | 1000nm+/- 10 % |
| substrat: | safir |
| Orientering: | C-plan |
| Orientering flad | Et fly |
| XRD FWHM på (0002) | <200 buesek. |
| Brugbart overfladeareal | ≥90% |
| Polering: | Ingen |
GaN skabelon på safir og silicium
2″ (50,8 mm) GaN på 4H eller 6H SiC-substrat
| 1)Udoteret GaN-buffer eller AlN-buffer er tilgængelig; | ||||
| 2) n-type (Si-doteret eller lavt-doteret), p-type eller semi-isolerende GaN epitaksiale lag tilgængelige; | ||||
| 3) lodrette ledende strukturer på n-type SiC; | ||||
| 4)AlGaN – 20-60nm tyk, (20%-30%Al), Si-doteret buffer; | ||||
| 5)GaN n-type lag på 330µm+/-25um tyk 2” wafer. | ||||
| 6) Enkelt- eller dobbeltsidet poleret, epi-klar, Ra<0,5um | ||||
| 7) Typisk værdi på XRD: | ||||
| Wafer ID | Substrat-id | XRD (102) | XRD (002) | Tykkelse |
| #2153 | X-70105033 (med AlN) | 298 | 167 | 679um |
| Enkelt- eller dobbeltsidet poleret, epi-klar, Ra<0,5um | ||||
6" (150 mm) n-GaN pådobbeltsidet poleretflad safir
| Mål | bemærkning | |
| Substrat diameter | 150 mm | +/- 0,15 mm |
| Underlagets tykkelse | 1300 um eller 1000 um | +/- 25 um |
| c-plan (0001), afskæringsvinkel mod m-plan | 0,2 grader | +/- 0,1 grader |
| Enkelt primær flad længde | 47,5 mm | +/- 1 mm |
| Flad orientering | et fly | +/- 0,2 grader |
| Si-doteret n-GaN tykkelse | 4 um | +/- 5% |
| Si-koncentration i n-GaN | 5e18 cm-3 | ja |
| u-GaN tykkelse | 1 um | nej dette lag |
| XRD gyngekurve (002) | < 250 buesek | <300 buesek |
| XRD gyngekurve (102) | < 250 buesek | <350 buesek |
| Dislokationstæthed | < 5e8 cm-2 | ja |
| Forsideflade, AFM (5×5 um2) Ra | < 0,5 nm, Epi-klar | ja |
| Bagside overflade\e | 0,6 – 1,2 um, fin jord | ja |
| Wafer bukker | <100 um | nej disse data |
| n-GaN resistivitet (300K) | < 0,01 ohm-cm2 | ja |
| Samlet tykkelsesvariation | <25 um | <10um |
| Defektdensitet | Makro defekter (>100 um):< 1/wafer Mikro defekter (1-100 um):< 1/cm2 | Makrodefekter (>100 um):< 10/wafer Mikrofejl (1-100 um):< 10/cm2 |
| Laser mærkning | på bagsiden af waferens flade | ja |
| Pakke | pakket i et klasse 100 renrumsmiljø, i kassetter af 25 stk. eller enkelt waferbeholdere, under nitrogenatmosfære, dobbeltforseglet | ja |
| Kantudelukkelse | <3 mm | ja |
| Brugbart overfladeareal | > 90% | ja |
Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) proces
GaN skabelon på safir er groneved HVPE-proces og teknologi til produktion af sammensatte halvledere såsom GaN, AlN og AlGaN.GaN skabeloner bruges i en bred applikation: nanotrådvækst, solid state-belysning, kortbølgelængde optoelektronik og RF-effektenhed.
I HVPE-processen dannes gruppe III-nitrider (såsom GaN, AlN) ved at reagere varme gasformige metalchlorider (såsom GaCl eller AlCl) med ammoniakgas (NH3). Metalchloriderne dannes ved at lede varm HCl-gas over de varme gruppe III-metaller. Alle reaktioner udføres i en temperaturstyret kvartsovn.
Bemærkning:
Den kinesiske regering har annonceret nye grænser for eksport af Gallium-materialer (såsom GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs og GaSb) og Germanium-materialer, der bruges til at fremstille halvlederchips. Fra den 1. august 2023 er eksport af disse materialer kun tilladt, hvis vi opnår en licens fra det kinesiske handelsministerium. Håber på jeres forståelse og samarbejde!
Vi tilbyder testrapporter, se et eksempel nedenfor:
AlGaN skabelon struktur rapport
Flere produkter:
GaN tynd film på safir (Al2O3) skabelon
