Galliumnitrid: N-type, p-type og semi-isolerende galliumnitridsubstrat og skabelon eller GaN epi wafer til HEMT med lav Marco-defektdensitet og dislokationsdensitet til LED, LD eller anden anvendelse.PAM-XIAMEN tilbyder GaN wafer inklusive fritstående GaN substrat, GaN skabelon på safir/SiC/silicium, GaN-baseret LED epitaksial wafer og GaN HEMT epitaksial oblat.
-
Fritstående GaN-substrat
PAM-XIAMEN har etableret fremstillingsteknologien for fritstående (galliumnitrid) GaN substrat wafer, som er til UHB-LED og LD. Udviklet af hydriddampfase-epitaksi (HVPE) teknologi, har vores GaN-substrat lav...
-
GaN skabeloner
PAM-XIAMENs skabelonprodukter består af krystallinske lag af (galliumnitrid)GaN skabeloner, (aluminiumnitrid)AlN skabelon,(aluminium galliumnitrid) AlGaN skabeloner og (indiumgalliumnitrid) InGaN skabeloner, som er afsat på safir
-
GaN baseret LED Epitaxial Wafer
PAM-XIAMENs GaN(galliumnitrid)-baserede LED-epitaksiale wafer er til anvendelse af blå og grønne lysdioder (LED) og laserdioder (LD) med ultrahøj lysstyrke.
-
GaN HEMT Epitaxial Wafer
Gallium Nitride (GaN) HEMT'er (High Electron Mobility Transistors) er den næste generation af RF-effekttransistorteknologi. Takket være GaN-teknologi tilbyder PAM-XIAMEN nu AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer på safir...