Germanium (Ge) Ingot

Germanium (Ge) Ingot

Monokrystallinsk Germanium (Ge) barre er forsynet med P-type af PAM-XIAMEN. Germanium krystal does not contain large-angle grain boundaries or twin crystals. It has a diamond-shaped crystal structure and is an important semiconductor material. According different applications, single crystal germanium ingot can be divided into solar-grade germanium single crystal, infrared-grade germanium single crystal and detector-grade germanium single crystal. Among them, infrared-grade Ge single crystal is used to prepare basic materials for infrared windows, infrared lenses and other optical components; Ge ingot for semiconductor devices is used to make substrate material for various transistors and solar cells; Detector-grade single crystal Ge is used to prepare high-resolution gamma radiation detector. Take the following specification for example:

Germanium Ingot

1. Specifikation af Single Crystal Germanium Ingot

PAM181102-Ge

Vare Germanium Cubic Crystal
Adfærdstype SCP
dopingmiddel Ge-Ga
Længde 150 mm
Diameter 100,0 ± 0,4 mm
Orientering (100) 6 ° off Mod <111>+5 °
Orienteringsvinkel 135 °
Primær lejlighed (100)+2 °
PFlat længde 32,5+2,5 mm
Sekundær Flat Ingen
CC 1E18 - 2,5 E18
EPD Ave <500 /cm3
Resistivity 0,01-0,04 Ohm*cm

 

2. Industristandarder for Germanium Crystal Growth

Den germaniums enkeltkrystaloverflade efter sfæronisering bør være fri for revner, huller, ridser, og den cylindriske overflade bør ikke have rullede steder.

Konduktivitetstypen af ​​got type germanium skal opfylde kravene i tabel 1:

Tabel 1 Ledningsevne Type af monokrystallinsk Germanium Ingot

Ledningsevne Type dopingmiddel Modstand p (23 ℃ ± 0,5 ℃)
ohm-cm
P-type ga 0,001 ~ 45,0
I 0,001 ~ 45,0
Au+Ga (ln) 0,5 ~ 5,0
N-type Sb 0,001 ~ 45,0
udoterede 35,0 ~ 50,0

 

Den radiale resistivitetsvariation af germanium single crystal boule skal opfylde kravene i tabel 2:

Tabel 2 Radial resistensvariation af Germaniumkrystal

Diameter (mm) Radial resistensvariation (absolut værdi)
10≤d≤50 ≤10%
50≤d≤100 ≤15%
100≤d≤150 ≤20%
150≤d≤200 ≤25%
200≤d≤300 ≤30%
Bemærk: Diameteren refererer til størrelsen på den ujordede germanium -enkeltkrystal.

 

Ge ingots dislokationstæthed til forskellige formål bør opfylde kravene i tabel 3:

Tabel 3 Dislokationstæthed af Germanium

Ansøgning Dislokationstæthed Stk/cm2
Halvleder enhed ≤1000
Laserkomponent ≤5000
Infrarød optisk komponent ≤100000

 

Mærke: Kravene til parametre for den producerede rene germaniumkrystal vil være højere end de industrielle standarder.

3. FAQ for Germanium Ingot

Q: What is the difference of germanium ingot between electronic grade and optical grade?
A: Optical grade germanium single crystal generally is lower requirement to electronic grade, they require transmission rate and different polished condition and orientation, but we often use low electronic grade for optical grade.

For mere information, kontakt os venligst e-mail på [email protected] og [email protected].

Del dette indlæg