Indiumphosphidplade i dummy -kvalitet

Indiumphosphidplade i dummy -kvalitet

Dummy grade single crystal indium phosphide wafer fås med doping S dyrket af VGF. Elektronkoncentrationen af ​​indiumphosphidpladen af ​​N-typen når 1018cm-3, og indiumphosphidresistiviteten er meget lav, generelt 10-2~10-3Ω·cm. It is mostly used in high-speed optoelectronic devices, such as LD, LED, PIN- PD, PIN-APD and etc. EPD map of InP can be offered if necessary, please contact us at victorchan@powerwaywafer.com. The specifications of the test grade InP wafers er anført som følger:

Indiumphosphidskive

1. Specifikationer for Indium Phosphide Wafer i Dummy Grade

Punkt 1:

Vare Parameter UOM
Materiale Indiumphosphidplade
Grad Dummy Grade
Diameter 50,0 ± 0,5 mm
Tykkelse Min: 300 Max: 400 um
Orientering (100) ± 0,5 °
Ledningsevne Type / Dopant SCN / S
Primær Flad Længde 16 ± 2 mm
Primær Flad Orientering EJ (0-1-1)
Sekundær Flad Længde 7 ± 1 mm
Sekundær Flad Orientering EJ (0-11)
Carrier Koncentration Min: / Max: / cm-3
Resistivity Min: / Max: / ohm-cm
Mobilitet Min: / Max: / cm2/V*Sek
EPD Ave: / Max: <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 um
TIR 10 um
SLØJFE 10 um
Warp 15 um
Overflade P/P, P/E
Kantafrunding 0,25 (Overholder SEMI -standarder) mmR
Epi-klar Ja
Laser Mark /
Lamellært tvillingområde nyttigt enkeltkrystalområde med (100) retning> 80%
Pakke individuel beholder fyldt med N2  

 

Punkt 2:

Vare Parameter UOM
Materiale Indiumfosfidsubstrat
Grad Dummy Grade
Diameter 76,2 ± 0,5 mm
Tykkelse Min: 600 Max: 650 um
Orientering (100) ± 0,5 °
Ledningsevne Type / Dopant SCN / S
Primær Flad Længde 22 ± 1 mm
Primær Flad Orientering EJ
Sekundær Flad Længde 12 ± 1 mm
Sekundær Flad Orientering EJ
Carrier Koncentration Min: / Max: / cm-3
Resistivity Min: / Max: / ohm-cm
Mobilitet Min: / Max: / cm2/V*Sek
EPD Ave: / Max: <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 um
TIR 10 um
SLØJFE 10 um
Warp 15 um
Overflade P/P, P/E
Kantafrunding 0,25 (Overholder SEMI -standarder) mmR
Epi-klar Ja
Laser Mark /
Lamellært tvillingområde nyttigt enkeltkrystalområde med (100) retning> 80%
Pakke individuel beholder fyldt med N2

 

Punkt 3:

Vare Parameter UOM
Materiale Indiumphosphidplade
Grad Dummy Grade
Diameter 100,0 ± 0,5 mm
Tykkelse Min: 600 Max: 650 um
Orientering (100) ± 0,5 °
Ledningsevne Type / Dopant SCN / S
Primær Flad Længde 32,5 ± 1 mm
Primær Flad Orientering EJ
Sekundær Flad Længde 18 ± 1 mm
Sekundær Flad Orientering EJ
Carrier Koncentration Min: / Max: / cm-3
Resistivity Min: / Max: / ohm-cm
Mobilitet Min: / Max: / cm2/V*Sek
EPD Ave: / Max: <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 um
TIR 10 um
SLØJFE 10 um
Warp 15 um
Overflade P/P, P/E
Kantafrunding 0,25 (Overholder SEMI -standarder) mmR
Epi-klar Ja
Laser Mark /
Lamellært tvillingområde nyttigt enkeltkrystalområde med (100) retning> 80%
Pakke individuel beholder fyldt med N2

 

 

2. Indiumphosphid -applikationer i dummy -kvalitet

Dummy grade InP wafer bruges til test af epi -vækstprocesser og karakterisering af sammensætning på det epitaxiale lag. Det er ikke egnet til ætsningsindretningskonstruktioner, f.eks. Bølgeleder og optisk rist på grund af tvillingekrystaller og mulige huller i skiveorienteringen på tvillingsiden.

Mikrotwin eller afstamning af waferoverfladen <20% er acceptabel.

3. Indiumphosphid -egenskaber

Indium phosphide is a group III-V compound semiconductor material compounded by the combination of group III element indium (In) and group V element phosphorus (P). It has a zinc blende structure with a indium phosphide lattice constant of 0.586 9 nm. InP single crystal is soft and brittle, silver-gray with metallic luster. The indium phosphide band gap at room temperature is 1.344 eV, which is a direct transition band structure. The emission wavelength is 0.92 um, the intrinsic carrier concentration of InP at room temperature is 2×107cm-3, og elektron- og hulmobilitet er 4500 cm2/Vs og henholdsvis 150 cm2/V · s.

Indiumphosphid krystalstruktur

Indiumphosphid krystalstruktur

4. InP Wafer Fremstillingsproces

Indiumphosphid har næsten den samme ansigtscentrerede kubiske krystalstruktur som galliumarsenid GaA'er og de fleste III-V halvledere. Indiumphosphidplader skal fremstilles før fremstilling af enheden og skal overlappes for at eliminere overfladeskader under udskæring. Dummy-waferen i InP er derefter kemisk mekanisk polering (CMP) til det sidste materialefjerningstrin, hvilket giver mulighed for at opnå en spejlvendt overflade med atomskala ultra-flad ruhed.

However, the growth process of indium phosphide from raw materials to ingots to wafers is very difficult. During the growth process, a high temperature of 1070℃ and extreme pressure are required. In addition, the atomic structure may change. What comes out may not meet expectations. From raw materials to ingots to a 2-inch or 4-inch indium phosphide single crystal wafer, the yield is generally about 28%, and the technical threshold is very high. Therefore, PAM-XIAMEN is one of the indium phosphide wafer suppliers that can successfully control the growth technology of indium phosphide. Relying on VGF, VB method crystal growth technology, high surface quality wire cutting technology, ultra-flat mechanical chemical polishing technology, ultra-clean surface cleaning technology and other related core technologies, the commercialization of indium phosphide wafers tends to be stable, and the products provided by PAM-XIAMEN are mainly used in optical fiber communications, optical detectors, infrared optics, high-frequency millimeter wave communications and other fields. In addition to the current application areas, the monocrystalline indium phosphide wafer substrate will expand in the terahertz field used in 6G communications.

5. InP Material Future Development

In fact, InP substrate material is the most critical core material in the optical communication industry chain, ultra-high frequency millimeter wave radar, infrared detection and other fields. It is  inseparable from indium phosphide since the demand for higher bandwidth continues to grow, especially in the Human-driven cars, 5G communications, even the implementation and application of 6G, 7G, and 8G in the future. The indium phosphide wafer market at dummy or prime grade will usher in rapid growth, thereby, the indium phosphide wafer cost will go down.

powerwaywafer

For mere information, kontakt os venligst e-mail på victorchan@powerwaywafer.com og powerwaymaterial@gmail.com.

Del dette indlæg