PAM-XIAMEN tilbyder InGaAs APD-wafere med høj ydeevne. InGaAs lavine fotodioder (InGaAs APD) er højt anset for sin lave støj, højere båndbredde og spektrale respons udvidet til 1700 nm. Den fås til 1550 nm bølgelængde efter optimering og er meget velegnet til brug i øjensikre lasersystemer. Specifikationerne og parametrene for InGaAs APD wafers er som følger:
PAM-210331-INGAAS-APD
Punkt 1:
Lag | Materiale | Tykkelse (μm) | Afvigelse | koncentration (cm-3) | Afvigelse | Prøve | Bemærk |
9 | U-1.05μm InGaAsP | – | ± 10% | – | ± 20% | ||
8 | N-InP | 2.5 | – | 5E + 15 | ± 20% | CV | På testskiven |
7 | N-InP | – | ±0.01 | – | – | CV | På testskiven |
6 | N-1,05μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
5 | N-1,25μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
4 | N-1,45μm InGaAsP | – | ± 10% | 2E + 16 | – | – | – |
3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD & C-V | På epiwafer & test wafer | |
1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | På testskiven |
0 | N-InP-substrat | 350 ± 25 | – | S-dopet> 3E + 18 | – | – | 2 ″ wafer |
# | Gittermatch | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test i midten af epiwafer |
Punkt 2:
Lag | Materiale | Tykkelse (μm) | Afvigelse | koncentration (cm-3) | Afvigelse | Prøve | Bemærk |
9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | ± 10% | – | ± 20% | – | – |
8 | N-InP | – | ±0.12 | – | ± 20% | CV | På testskiven |
7 | N-InP | 0.2 | – | – | – | CV | På testskiven |
6 | N-1,05μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
5 | N-1,25μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
4 | N-1,45μm InGaAsP | 0.03 | ± 10% | – | – | – | – |
3 | N-InGaAs | 0.1 | – | 1E + 16 | ± 10% | – | – |
2 | U-InGaAs | – | ± 10% | – | – | DCXD & C-V | På epiwafer & test wafer |
1 | N-InP | 0.5 | – | – | ± 20% | CV | På testskiven |
0 | N-InP-substrat | 350 ± 25 | – | S-dopet> 3E + 18 | – | – | 2 ″ wafer |
# | Gittermatch | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test i midten af epiwafer |
Punkt 3:
Lag | Materiale | Tykkelse (μm) | Afvigelse | koncentration (cm-3) | Afvigelse | Prøve | Bemærk |
9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | – | 5E + 15 | ± 20% | – | – |
8 | N-InP | – | – | – | ± 20% | CV | På testskiven |
7 | N-InP | 0.2 | ±0.01 | – | – | CV | På testskiven |
6 | N-1,05μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
5 | N-1,25μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
4 | N-1,45μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD & C-V | På epiwafer & test wafer | |
1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | På testskiven |
0 | N-InP-substrat | 350 ± 25 | – | S-dopet> 3E + 18 | – | – | 2 ″ wafer |
# | Gittermatch | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test i midten af epiwafer |
Item 4:
PAM221226-1550-APD
Lag | Materiale | Thickness(um) | Doping(cm3) |
7 | InP | – | undoped(N<1E15) |
6 | InP | 0.2 | – |
5 | GaInAsP | – | – |
4 | GaInAsP | – | – |
3 | GaInAsP | – | – |
2 | Ga0.467In0.5333As | 2 | – |
1 | InP | – | Si doped, n type, 1.3E17 |
N+ InP Substrate |
For mere information, kontakt os venligst e-mail på victorchan@powerwaywafer.com og powerwaymaterial@gmail.com.