INGAASP / INP dobbelt heterostrukturskive
Ingaasp -materialet epitaksialt dyrket påInP substrater et vigtigt materiale til fremstilling af optoelektroniske og mikrobølgeapparater. Emissionsbølgelængden af INGAASP / INP-laserstruktur dækker 1,0-1,7 μm, der dækker to vinduer med lavt tab på 1,3 μm og 1,55μM til silicafiberkommunikation. Derfor er INGAASP vidt brugt til fremstilling af vigtige komponenter inden for optisk fiberkommunikation, såsom modulatorer, lasere, detektorer og så videre.Epi Wafer til laserdiodeaf bulk 1.55um Ingaasp / Inp dyrket fra Pam-Xiamen er som nedenfor, som inkluderer meget høje dopede og meget tynde tunnelforbindelseslag:
1. Specifikationer for INGAASP / INP Laser Wafer
Nr. 1 Laser Diode Epi Strcuture PAM170919-ingaasp
| Navn | Materiale | Tykkelse [NM] | Doping | Stamme | PL [nm] | Bandgap [EV] | Bemærkninger |
| Lindelag | InP | 10 | - | 1.34 | |||
| Supperlattice | InP | - | - | - | |||
| Ixga1-xSomyP1-år | - | - | 1110 | - | |||
| InP | - | - | - | ||||
| Ixga1-xSomyP1-år | - | - | 1110 | - | |||
| n-kontakt | InP | - | n = 1,5E18 | Si dopet | - | ||
| SCL ydre | InGaAsP | - | - | 1150+/-10 | - | ||
| SCL indre | InGaAsP | 40 | - | 1250+/-10 | - | ||
| QW | Ingaasp (x3) | - | - | 1% trykstamme | 1550+/- 10 | - | |
| Barrierer | Ingaasp (x2) | - | - | 0,3% trækstamme | 1250+/-10 | - | |
| SCL indre | InGaAsP | - | - | 1250+/-10 | 0.99 | ||
| SCL ydre | InGaAsP | - | - | 1150+/-10 | - | ||
| InP | - | Zn-doteret | - | p-dopet fra klassificeret 1e18 nær Ingaalas til udopet i nærheden af Ingaasp | |||
| TJ lag | InGa(Al)As | 10 | - | P ++ Zn-dopet | - | ||
| TJ lag | InP | - | - | - | - | ||
| InP | - | - | - | - | N-dopet fra klassificeret 1E18 nær INP til udopet i nærheden af Ingaasp | ||
| SCL ydre | InGaAsP | - | - | 1150+/-10 | - | ||
| SCL indre | InGaAsP | - | udopet | 1250+/-10 | - | ||
| QW | Ingaasp (x3) | 7 pr brønd | - | - | 1550+/- 10 | - | |
| Barrierer | Ingaasp (x2) | - | - | 0,3% trækstamme | 1250+/-10 | - | |
| SCL indre | InGaAsP | - | - | 1250+/-10 | - | ||
| SCL ydre | InGaAsP | - | - | 1150+/-10 | - | ||
| p-beklædning | InP | - | - | Zn-doteret | - | p-dopet fra graderet 1E18 nær Ingaas til udopet i nærheden af QW | |
| p-kontakt | I.53GA.47AS | - | - | Zn-doteret | - | ||
| Buffer | InP | - | - | Zn-doteret | 1.34 | ||
| substrat | InP | 350 um | n-doteret |
Bemærk:
For strukturen af INGAASP / INP -heterojunktioner, Tunnel Junction (TJ) lag skal bruge 1250NM Algainas eller Ingaasp, er grunden til, at den lange bølgelængde har mindre resistivitet, men hvis for lang bølgelængde, ville det være absorption for emissionsbølgelængde. 80nm INGAASP kan ikke stoppe TJ -urenheder, der spreder sig til QW, her foreslår vi stigende tykkelse. Måske kan 240nm Ingaasp stoppe diffusionen, vi bør teste den.
Nr. 2 INGAASP / INP LD Epitaxial Structure PAM200420-ingaasp
| Lag | Materiale | Tykkelse | Bemærkninger |
| Lag 7 | InP | - | |
| Lag 6 | InGaAsP | - | |
| Lag 5 | InP | - | |
| Lag 4 | InGaAsP | - | |
| Lag 3 | InP | - | |
| Lag 2 | InGaAsP | - | udsender ved 1575 nm |
| Lag 1 | InP | - | |
| substrat: | Inp, 3 ” |
Nr. 3 INGAASP Heteroepitaxial på INP for LD PAM200708-ingaasp
| Epi-lag | Materiale | Tykkelse | Energigap |
| Lag 7 | InP | 100nm | |
| Lag 6c | InGaAsP | - | @1,25 eV |
| Lag 6b | InGaAsP | - | @0,85 eV |
| Lag 6a | InGaAsP | - | @1,25 eV |
| Lag 5 | InP | - | |
| Lag 4c | InGaAsP | 79 nm | @1,25 eV |
| Lag 4b | InGaAsP | - | @0,95 eV |
| Lag 4a | InGaAsP | - | @1,25 eV |
| Lag 3 | InP | - | |
| Lag 2c | InGaAsP | - | @1,25 eV |
| Lag 2b | InGaAsP | - | @0,85 eV |
| Lag 2a | InGaAsP | - | @1,25 eV |
| Lag 1 | InP | - | |
| substrat | InP |
2. Vækst af INGAASP -lag
Sammenlignet med den ternære forbindelse A1-XBXC bestemmes båndgabet og gitterkonstant af den samme sammensætningsparameter X, mens den kvaternære forbindelse A1-XBXCYD1-Y kan justere sammensætningsparametrene X og Y for at vælge forskellige båndgap og gitterkonstant. Dette tilføjer variabilitet og usikkerhed til den epitaksiale vækst af INGAASP / INP dobbelt heterostruktur (DH) Wafer. For epitaksialt dyrkede kvartære materialer, medmindre enheden har særlige krav, kræves det generelt for at matche substratgitteret for at undgå vækstdefekter forårsaget af gittermatch. Til kvartære materialer såsom ixga1-xSomyP1-år, fordi der er to sammensætningsforhold mellem III- og V -gruppeelementer, kan der være utallige kombinationer af X og Y for at imødekomme gittermatchningskravene i det samme substrat, hvilket vil medføre store vanskeligheder for justering og kalibrering af kvartære epitakseparametre.
For IngaASP -gitteret, der er matchet til INP -underlag, vedtages MBE -teknologi normalt. Vi kan drage fordel af det faktum, at adhæsionskoefficienten for gruppe III -elementer er tæt på 100%, og sammensætningsforholdet mellem gruppe III -elementer er relativt stabil og gentagne. Først skal du kalibrere sammensætningsfordelingsforholdet for gruppe III -elementer i og GA, og justere derefter gradvist og kalibrere sammensætningsforholdet mellem gruppe V -elementer. Endelig opnås de IngaASP -lag, der er gitteret, der matches med INP -substratet.
3. Chemical Etching of InGaAsP / InP Heterostructure
HBR: CH3COOH (H3PO4): K2CR2O7 er en passende løsning til ætsning af heteroepitaxialLaserskiveDyrket med INGAASP / INP MQW. Dette ætsningssystem kan fremstille den ætsede overflade af høj kvalitet uden ætsningshuller. For (001) INP ændres ætsningshastigheden fra 0,1 til 10 UM/min, hvilket afhænger af sammensætningsrationen af opløsning eller den normale linje af K2CR2O7 vandig opløsning.
Mesa-lignende strukturer dannes på (001) INP-ætsede striber parallelt med [110] og [110] retninger. Etchant-systemet ætser INP og INGAASP i næsten lige store hastigheder, hvilket giver ideelle mesa-lignende strukturer med overflader af høj kvalitet og god resist-mønsterdefinition. Denne løsning korroderer ikke fotoresist, hvilket gør den attraktiv for slags enhedsapplikationer.
4. FAQ om Ingaasp / Inp Wafer
Q:Ved du eller dit ingeniørteam, hvilken temperatur INGAASP/INP -skiverne kan modstå, før de begynder at nedbrydes/er beskadiget?
EN:Med PH3 -beskyttelse kan INGAASP/INP Epi Wafer modstå XX ℃, kun under XX -beskyttelse, kan den modstå XX. Hvis du har brug for de specifikke data, skal du sende e -mail til[email protected]. (191217)
For mere information, kontakt os e -mail på[email protected] og [email protected].