InGaAsP/InP lysemitterende transistor (LET) strukturer *S

Den epitaksiale vækst afIII-V sammensatte halvledere InGaAs, InAlGaAs, and InGaAsP alloys that match the InP lattice is widely used in the manufacture of electronic and optoelectronic devices, such as heterojunction bipolar transistors (HBTs), light-emitting transistors (LETs), light-emitting diodes (LEDs), laser diodes (LDs), and photodetectors, especially for high-speed electronic and fiber optic communication system applications. PAM-XIAMEN can grow InGaAsP/InP epitaxial wafer for light emitting transistor fabrication. The specific structure is as follows, for reference only:

1. InGaAsP/InP lysemitterende transistorstruktur

1) InGaAsP/InP Epitaxial Wafer til Shallow Ridge LET

2) InGaAsP/InP Epitaksi for Deep Ridge LET

2. Om lysemitterende transistor (LET)

Karakteristikaene ved LET kræver, at den luminescerende halvleder, der bruges, har både høj bærermobilitet og høj fluorescenseffektivitet. De halvledere, der i øjeblikket bruges til lysemitterende transistorer, kommer dog for det meste fra felteffekttransistorer (FET'er) eller Organic Light Emitting Diodes (OLED'er). Strukturen af ​​lysemitterende transistorer ligner den for OLED'er, for det meste bruger flerlagsstrukturer såsom elektrontransportlag, hultransportlag og lysemitterende lag. Adskillelsen af ​​ladningstransportlaget og det lysemitterende lag reducerer quenchingen af ​​excitoner ved ladninger, hvilket er fordelagtigt for at forbedre lysemissionsanordningens effektivitet.

LET producerer lys hurtigere end LED. En anden fordel er, at lysintensiteten kan styres ved at justere strømmen. Derudover giver den tredje transistorport mulighed for bedre kontrol over elektriske og optiske udgange. De fremtidige anvendelser af lysemitterende transistorer omfatter udskiftning af ledninger i elektroniske enheder med optiske fibre for at producere enheder med højere ydeevne.

3. Iindflydelse afEksindreEelektriskField påExcitonBindingEnergi i InGaAsP/InPQWs

InGaAsP/InP kvantebrøndmaterialet har høj krystalsymmetri og en stor mætningselektrondrifthastighed. Dens elektriske egenskaber kan ændres ved at anvende et eksternt elektrisk felt, hvilket har store fordele i halvlederoptoelektroniske enheder. Optoelektronik er et vigtigt felt i informationsindustrien, og exciton-emission spiller en vigtig rolle i aktive lysemitterende enheder. Drivkraften bag enhedsapplikationer har i høj grad fremmet omfattende forskning i excitoner. Excitoner har også potentielle anvendelser i solid-state kvanteinformation, og excitontilstande kan tjene som effektive bærere af kvanteinformation. At forberede forskellige ideelle excitontilstande og sammenhængende styring af dem er af stor betydning for både grundlæggende og anvendt forskning.

Forskere brugte variationsmetoden under den effektive massetilnærmelse til at beregne excitonbindingsenergien i InGaAsP/InP kvantebrønde som funktion af brøndbredde og In-sammensætning, og diskuterede også effekten af ​​eksternt elektrisk felt på excitonsystemets bindingsenergi Ud fra beregningen resultater, kan det ses, at for InxGa1−xAsyP1−y/InP kvantebrønde, på grund af den kombinerede effekt af Coulomb-interaktion og kvanteindeslutningspotentiale, øges excitonbindingsenergien med stigningen i brøndbredden, når brøndbredden er lille. Når brøndbredden når en vis værdi, når bindingsenergien en top og falder derefter med stigningen i brøndbredden. In-komponenten har en vis indflydelse på størrelsen af ​​brøndbredden svarende til den maksimale excitonbindingsenergi. Når In-komponenten øges, falder materialets båndgab, hvilket resulterer i et tilsvarende fald i brøndbredden ved den maksimale værdi. Det elektriske felts indflydelse på excitonbindingsenergien er ikke signifikant inden for et vist område. Når det elektriske felt er stort. , bliver elektroner og huller mere påvirket af det elektriske felt, hvilket svækker excitoneffekten. Disse resultater kan give et teoretisk grundlag for at designe InGaAsP/InP kvantebrønd lysemitterende enheder, såsom lysemitterende transistor.

For mere information, kontakt os venligst e-mail på[email protected] og [email protected].