Produkter

PAM-XIAMEN tilbyder Gallium Nitride wafer substrat til UHB-LED, Gallium Nitride wafer, LD og andre halvlederenheder.

Silicon Carbide（SiC) Wafers PAM-XIAMEN tilbyder siliciumcarbide krytalwafere og epitaksi, som bruges til optoelektroniske enheder, højeffektenheder, højtemperaturenheder, højfrekvente strømenheder

PAM-XIAMEN tilbyder Gallium Arsenide wafer substrat og epitaksi til LED, LD og Microelectronics applikationer

PWAMÂ tilbyder halvledermaterialer, (Ge)Germanium enkeltkrystaller og wafers dyrket af VGF / LEC

PAM-XIAMEN, en silicium wafer fremstillingsvirksomhed, tilbyder silicium wafer: FZ Silicon wafer, Test Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer, Test Wafer, CZ wafer, epitaksial wafer, poleret wafer, ætsningswafer.

Fremstillingsprocessen for siliciumwafer er krystaltrækning, siliciumwaferslibning, siliciumwaferslibning, affasning, ætsning, polering, rengøring og inspektion, blandt hvilke krystaltrækning, siliciumwafer-polering og -inspektion er kerneleddet i siliciumwafer-fremstilling. Som det grundlæggende halvledersubstrat skal siliciumwafers have høje standarder for renhed, overfladeplanhed, renhed og urenhedsforurening for at bevare chippens oprindeligt designede funktioner. De høje specifikationskrav til halvledersiliciumwafers gør fremstillingsprocessen kompliceret. De fire kernetrin omfatter polysiliciumoprensning og polysiliciumstøbning, enkeltkrystal siliciumwafervækst og siliciumwaferskæring og -formning. Som råmateriale til wafer fab bestemmer kvaliteten af ​​silicium wafers direkte stabiliteten af ​​silicium wafer påføringsprocessen. Store størrelse silicium wafers er blevet den fremtidige udviklingstendens af silicium wafers. For at forbedre produktionseffektiviteten og reducere omkostningerne bruges flere og flere store siliciumwafers.