PSS mønstret safir substrat wafer

PSS mønstret safir substrat wafer

PAM-XIAMEN offers PSS patterned sapphire substrate for high brightness GaN based LED EPI growing application. The patterned sapphire substrate wafer er at dyrke en tør ætsemaske på safirunderlaget. Masken er indgraveret ved en standard fotolitografiproces. Derefter ætses safiren med ICP-ætsningsteknologi, og i mellemtiden fjernes masken. Derefter dyrkes GaN-materialet på safir, så den lodrette epitaksi af GaN-materialet bliver den vandrette epitaxy. Detaljerne i mønstret safirunderlag er nedenfor:

Mønstret safirunderlag

PSS Safir-substrat

1.Sspecificerings af Mønstret safirunderlag

Parametre Specifikation Enhed
Materiale Monokrystallinsk Al2O3 med høj renhed
Diameter 50,8 ± 0,1
Tykkelse 430 ± 10
Total tykkelsesvariation ≤10
Primær flad længde 16,0 ± 1,0
Primær flad orientering Et plan ± 0,2
Front overfladekvalitet Epitaxial klar
Bagside ruhed 1,0 ± 0,1
Overfladeretning A 0˚ af ± 0,1
Overfladeorientering M 0,2˚ af ± 0,10
Overfladeretning R R9
SLØJFE -10 ~ 0
WARP ≤15
Mønster bredde 2,7 ± 0,15
Mønsterhøjde 1,7 ± 0,15
Mønsterplads 3,0 ± 0,05

2.Hvorfor vælge mønstret safirunderlag til LED?

On the one hand, the cone-shaped patterned sapphire substrate wafer can effectively reduce the dislocation density of the GaN epitaxial material(the patterned sapphire substrate dislocation is low), thereby reducing the non-radiative recombination of the active area, reducing the reverse leakage current, and improving the life of the LED. On the other hand, the light emitted from the active region is scattered multiple times by the interface of GaN and sapphire substrate, and the exit angle of total reflection light is changed, increasing the probability that the light of the flip-chip LED emerges from the sapphire substrate, thereby improving the extraction efficiency of the light.

Sammenfattende er den udsendte lysstyrke af LED dyrket på det nanomønstrede safirunderlag stærkt forbedret end for den traditionelle LED. Den omvendte lækstrøm reduceres, hvilket forlænger levetiden på LED.

A patterned sapphire substrate belongs to the semiconductor industry. As a high-brightness epitaxial material, it is the source material of the LED lighting industry. Meanwhile, using PSS Al2O3 wafer to grow epitaxial wafers is the most effective way to improve the brightness of the chip. It is also the best choice for the high-power and high-brightness epitaxial wafers.

For mere information, kontakt os venligst e-mail på victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com.

Del dette indlæg