Maksimal diameter 12 "
Height≤17 "
Høj density≤2.19 g / cm3
Høj renhed> 99,99%
Høj krakning resistens (Fremragende varmeudvidelseskoefficient)

Maksimal diameter 8 "
Height≤18 "
Garanti renhed> 99,99%
Det kan bruges til mange gange (Fremragende struktur mellem lagene)
Høj krystal dannende sats. (Det kan garantere høj krystal dannende hastighed ved at justere anisotropi)

Maksimal diameter 12 "
Height≤17 "
Høj density≤2.19 g / cm3
Høj renhed> 99,99%
Høj krakning resistens (Fremragende varmeudvidelseskoefficient)

Height≤17 "
Høj density≤2.19 g / cm3
Høj renhed> 99,99%
Høj krakning resistens (Fremragende varmeudvidelseskoefficient)
Ingen deformation ved høj temperatur (Den kan modstå den høje temperatur på 2300 ℃ i vakuum)
Lang levetid tid

kan modstå den høje temperatur på 2300 ℃ i et vakuummiljø og 2700 ℃ i ammoniakatmosfære;
Høj renhed (> 99,99%). Og det vil ikke frigive gas urenheder, når tjenester ved høj temperatur;
God sejhed. Det svarer til den hexagonale struktur af grafit;
God isolering ved høj temperatur. Volumenresistiviteten er 3.11 × 1011Ω · cm;
Kemisk stabilitet. God korrosionsbestandighed af syre, base og organisk opløsningsmiddel;
Det kan reducere spildvarmen ved at forhindre varmeledning

PBN materiale kan modstå den høje temperatur på 2300 ℃ i et vakuum og 2700 ℃ i ammoniakatmosfære;
Høj renhed (> 99,99%). Og det vil ikke frigive gas urenheder under høje temperaturer;
God sejhed. Det svarer til den hexagonale struktur af grafit;
God isolering under høje temperaturer;
Kemisk stabilitet. God korrosionsbestandighed af syre, base og organisk opløsningsmiddel

Stærk vedhæftning, være ikke let at falde;
At beskytte grafitten imod korrosion;
At forhindre grafitten i at frigive carbon;
Isolering

Overflade opvarmning og temperaturen fordeles;
Ikke påvirket af magnetfeltet;
Høj renhed, Det frigiver lidt gas på en stor varme;
Det kan tilpasses til kontakt opvarmning;
Høj varme sats;
Lang levetid;
God korrosionsbestandighed af syre, base og organisk opløsningsmiddel

MOCVD (metal-organisk kemisk dampaflejring) er en særlig proces til at vokse halvleder tynde film på matrixen. Den blev udviklet på baggrund af dampfasen epitaksiale (VPE) vækst, og er blevet en ny teknologi i VPE. Kildematerialet krystaller dyrket ved MOCVD er metal organiske forbindelse og hydrid. Metallet generelt fra gruppe Ⅱ eller Ⅲ når senere er lavet af elementerne i gruppe V, Ⅵ. Dampfasen epitaksial dyrkning på substrater følger fremgangsmåden til termisk nedbrydningsreaktion, og får halvledende kemiske forbindelser af gruppen Ⅲ-V, Ⅱ-Ⅵ, og deres tynde lag krystal materialer, multipel fast opløsning.