SiC Wafer Substrat

SiC Wafer Substrate

Virksomheden har en komplet SiC(siliciumcarbid) wafersubstratproduktionslinje, der integrerer krystalvækst, krystalbehandling, waferbehandling, polering, rensning og testning. I dag leverer vi kommercielle 4H og 6H SiC wafere med semi-isolering og ledningsevne i on-axis eller off-axis, tilgængelige størrelser: 5x5mm2,10x10mm2, 2",3",4", 6" og 8", der bryder igennem nøgleteknologier som f.eks. som defektundertrykkelse, frøkrystalbehandling og hurtig vækst, fremme af grundlæggende forskning og udvikling relateret til siliciumcarbidepitaksi, enheder mv.

 

Kategori:
  • Beskrivelse

Produkt beskrivelse

PAM-XIAMEN tilbyder halvlederSiC wafer Substrat,6H SiCog4H SiC (siliciumcarbid)i forskellige kvalitetsgrader til forskere og industriproducenter. Vi har udviklet osSiC krystalvækst teknologi ogSiC krystal waferforarbejdningsteknologi, etableret en produktionslinje til fremstilling af SiC-substrat, som anvendes i GaN-epitaksi-enheder (f.eks. AlN/GaN HEMT-genvækst), strømenheder, højtemperatur-enheder og optoelektroniske enheder. Som en professionel siliciumcarbid wafer virksomhed investeret af de førende producenter fra områderne avanceret og højteknologisk materialeforskning og statslige institutter og Kinas Semiconductor Lab, er vi dedikeret til løbende at forbedre kvaliteten af ​​nuværende SiC-substrater og udvikle store størrelser substrater.

Her viser detaljerede specifikationer:

1. SiC Wafer Specifikationer

1.1 4H SIC,N-TYPE, 6″WAFER SPECIFIKATION

SUBSTRAT EJENDOM S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500
Beskrivelse A/B Produktionsgrad C/D Forskningsgrad D Dummy Grade 4H SiC Substrat
Polytype 4H 4H
Diameter (150 ± 0,5) mm (150 ± 0,5) mm
Tykkelse (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm
Transportør type n-type n-type
dopingmiddel n-type n-type
Resistivitet (RT) (0,015 – 0,028)Ω·cm (0,015 – 0,028)Ω·cm
Overfladeruhed < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (C-face optisk polering)
FWHM A<30 buesek. B/C/D <50 buesek
Mikrorørstæthed A≤0,5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
TTV <15μm <15μm
Sløjfe < 40μm < 40μm
Warp <60μm <60μm
Overfladeorientering
Ud af aksen 4° mod <11-20>± 0,5° 4° mod <11-20>± 0,5°
Primær flad orientering <11-20>±5,0° <11-20>±5,0°
Primær flad længde 47,50 mm±2,00 mm 47,50 mm±2,00 mm
Sekundær lejlighed Ingen Ingen
Overfladebehandling Dobbelt ansigt poleret Dobbelt ansigt poleret
Emballage Single wafer box eller multi wafer box Single wafer box eller multi wafer box
Revner af høj intensitet liste Ingen (AB) Kumulativ længde≤20 mm, enkelt længde≤2 mm (CD)
Hex plader af høj intensitet lys Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) Akkumuleret areal≤0,1 % (CD)
Polytype områder med høj intensitet lys Ingen (AB) Akkumuleret areal≤3 % (CD)
Visuelle kulstofindeslutninger Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) Akkumuleret areal≤3 % (CD)
Ridser af høj intensitet lys Ingen (AB) Kumulativ længde≤1 x waferdiameter (CD)
Edge chip Ingen (AB) 5 tilladte, ≤1 mm hver (CD)
Forurening med højintensitetslys Ingen -
Brugbart område ≥ 90% -
Kantudelukkelse 3mm 3mm

1.2 4H SIC, HØJ RENHED HALVISOLERING(HPSI), 6″WAFER SPECIFIKATION

4H SIC,V DOPED HALVISOLERING, 6″WAFER SPECIFIKATION

SUBSTRAT EJENDOM S4H-150-SI-PWAM-500 -
Beskrivelse A/B Produktionsgrad C/D Forskningsgrad D Dummy Grade 4H SiC Substrat
Polytype 4H 4H
Diameter (150 ± 0,5) mm (150 ± 0,5) mm
Tykkelse (500 ± 25) μm (500 ± 25) μm
Transportør type Halvisolerende Halvisolerende
dopingmiddel V doped V doped
Resistivitet (RT) >1E7 Ω·cm >1E7 Ω·cm
Overfladeruhed < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (C-face optisk polering)
FWHM A<30 buesek. B/C/D <50 buesek
Mikrorørstæthed A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
TTV <15μm <15μm
Sløjfe < 40μm < 40μm
Warp <60μm <60μm
Overfladeorientering
På aksen <0001>± 0,5° <0001>± 0,5°
Ud af aksen Ingen Ingen
Primær flad orientering <11-20>±5,0° <11-20>±5,0°
Primær flad længde 47,50 mm±2,00 mm 47,50 mm±2,00 mm
Sekundær lejlighed Ingen Ingen
Overfladebehandling Dobbelt ansigt poleret Dobbelt ansigt poleret
Emballage Single wafer box eller multi wafer box Single wafer box eller multi wafer box
Revner af høj intensitet liste Ingen (AB) Kumulativ længde≤20 mm, enkelt længde≤2 mm (CD)
Hex plader af høj intensitet lys Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) Akkumuleret areal≤0,1 % (CD)
Polytype områder med høj intensitet lys Ingen (AB) Akkumuleret areal≤3 % (CD)
Visuelle kulstofindeslutninger Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) Akkumuleret areal≤3 % (CD)
Ridser af høj intensitet lys Ingen (AB) Kumulativ længde≤1 x waferdiameter (CD)
Edge chip Ingen (AB) 5 tilladte, ≤1 mm hver (CD)
Forurening med højintensitetslys Ingen -
Brugbart område ≥ 90% -
Kantudelukkelse 3mm 3 mm

1.3 4H SIC,N-TYPE, 4″WAFER SPECIFIKATION

SUBSTRAT EJENDOM S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500
Beskrivelse A/B Produktionsgrad C/D Forskningsgrad D Dummy Grade 4H SiC Substrat
Polytype 4H 4H
Diameter (100 ± 0,5) mm (100 ± 0,5) mm
Tykkelse (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm
Transportør type n-type n-type
dopingmiddel Kvælstof Kvælstof
Resistivitet (RT) (0,015 – 0,028)Ω·cm (0,015 – 0,028)Ω·cm
Overfladeruhed < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (C-face optisk polering)
FWHM A<30 buesek. B/C/D <50 buesek
Mikrorørstæthed A≤0,5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
TTV <10μm <10μm
Sløjfe < 25μm < 25μm
Warp <45μm <45μm
Overfladeorientering
På aksen <0001>± 0,5° <0001>± 0,5°
Ud af aksen 4° eller 8° mod <11-20>± 0,5° 4° eller 8° mod <11-20>± 0,5°
Primær flad orientering <11-20>±5,0° <11-20>±5,0°
Primær flad længde 32,50 mm±2,00 mm 32,50 mm±2,00 mm
Sekundær flad orientering Sideflade: 90° cw. fra orientering flad ± 5°-
C-flade: 90° ccw. fra orientering flad ± 5°-
Sekundær flad længde 18,00 ± 2,00 mm 18,00 ± 2,00 mm
Overfladebehandling Dobbelt ansigt poleret Dobbelt ansigt poleret
Emballage Single wafer box eller multi wafer box Single wafer box eller multi wafer box
Revner af høj intensitet liste Ingen (AB) Kumulativ længde≤10 mm, enkelt længde≤2 mm (CD)
Hex plader af høj intensitet lys Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) Akkumuleret areal≤0,1 % (CD)
Polytype områder med høj intensitet lys Ingen (AB) Akkumuleret areal≤3 % (CD)
Visuelle kulstofindeslutninger Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) Akkumuleret areal≤3 % (CD)
Ridser af høj intensitet lys Ingen (AB) Kumulativ længde≤1 x waferdiameter (CD)
Edge chip Ingen (AB) 5 tilladte, ≤1 mm hver (CD)
Forurening med højintensitetslys Ingen -
Brugbart område ≥ 90% -
Kantudelukkelse 2mm 2mm

1.4 4H SIC, HØJ RENHED HALVISOLERING(HPSI), 4″WAFER SPECIFIKATION

4H SIC,V DOPED HALVISOLERING, 4″WAFER SPECIFIKATION

SUBSTRAT EJENDOM S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500
Beskrivelse A/B Produktionsgrad C/D Forskningsgrad D Dummy Grade 4H SiC Substrat
Polytype 4H 4H
Diameter (100 ± 0,5) mm (100 ± 0,5) mm
Tykkelse (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm
Transportør type Halvisolerende Halvisolerende
dopingmiddel V doped V doped
Resistivitet (RT) >1E7 Ω·cm >1E7 Ω·cm
Overfladeruhed < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (C-face optisk polering)
FWHM A<30 buesek. B/C/D <50 buesek
Mikrorørstæthed A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
TTV <10μm <10μm
Sløjfe < 25μm < 25μm
Warp <45μm <45μm
Overfladeorientering
På aksen <0001>± 0,5° <0001>± 0,5°
Ud af aksen Ingen Ingen
Primær flad orientering <11-20>±5,0° <11-20>±5,0°
Primær flad længde 32,50 mm±2,00 mm 32,50 mm±2,00 mm
Sekundær flad orientering Sideflade: 90° cw. fra orientering flad ± 5°-
C-flade: 90° ccw. fra orientering flad ± 5°-
Sekundær flad længde 18,00 ± 2,00 mm 18,00 ± 2,00 mm
Overfladebehandling Dobbelt ansigt poleret Dobbelt ansigt poleret
Emballage Single wafer box eller multi wafer box Single wafer box eller multi wafer box
Revner af høj intensitet liste Ingen (AB) Kumulativ længde≤10 mm, enkelt længde≤2 mm (CD)
Hex plader af høj intensitet lys Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) Akkumuleret areal≤0,1 % (CD)
Polytype områder med høj intensitet lys Ingen (AB) Akkumuleret areal≤3 % (CD)
Visuelle kulstofindeslutninger Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) Akkumuleret areal≤3 % (CD)
Ridser af høj intensitet lys Ingen (AB) Kumulativ længde≤1 x waferdiameter (CD)
Edge chip Ingen (AB) 5 tilladte, ≤1 mm hver (CD)
Forurening med højintensitetslys Ingen -
Brugbart område ≥ 90% -
Kantudelukkelse 2mm 2mm

1,5 4H N-TYPE SIC, 3" (76,2 mm) WAFER SPECIFIKATION

SUBSTRAT EJENDOM S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430
Beskrivelse A/B Produktionsgrad C/D Forskningsgrad D Dummy Grade 4H SiC Substrat
Polytype 4H
Diameter (76,2 ± 0,38) mm
Tykkelse (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm
Transportør type n-type
dopingmiddel Kvælstof
Resistivitet (RT) 0,015 – 0,028Ω·cm
Overfladeruhed < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (C-face optisk polering)
FWHM A<30 buesek. B/C/D <50 buesek
Mikrorørstæthed A≤0,5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
TTV/Bow/Warp <25μm
Overfladeorientering
På aksen <0001>± 0,5°
Ud af aksen 4° eller 8° mod <11-20>± 0,5°
Primær flad orientering <11-20>±5,0°
Primær flad længde 22,22 mm±3,17 mm
0,875"±0,125"
Sekundær flad orientering Sideflade: 90° cw. fra orientering flad ± 5°
C-flade: 90° ccw. fra orientering flad ± 5°
Sekundær flad længde 11,00 ± 1,70 mm
Overfladebehandling Enkelt eller dobbelt ansigt poleret
Emballage Single wafer box eller multi wafer box
Scratch Ingen
Brugbart område ≥ 90%
Kantudelukkelse 2mm
Kantafslag ved diffus belysning (maks.) Kontakt venligst vores ingeniørteam
Revner af højintensitetslys Kontakt venligst vores ingeniørteam
Visuelt kulstof Inklusioner kumulativt areal Kontakt venligst vores ingeniørteam
Ridser af høj intensitet lys Kontakt venligst vores ingeniørteam
Forurening med højintensitetslys Kontakt venligst vores ingeniørteam

 

1,6 4H HALVISOLERENDE SIC, 3" (76,2 mm) WAFER SPECIFIKATION

(High Purity Semi-Insulating (HPSI) SiC-substrat er tilgængelig)

UBSTRATEJENDOM S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430
Beskrivelse A/B Produktionsgrad C/D Forskningsgrad D Dummy Grade 4H SiC Substrat
Polytype 4H
Diameter (76,2 ± 0,38) mm
Tykkelse (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm
Transportør type semi-isolerende
dopingmiddel V doped
Resistivitet (RT) >1E7 Ω·cm
Overfladeruhed < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (C-face optisk polering)
FWHM A<30 buesek. B/C/D <50 buesek
Mikrorørstæthed A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
TTV/Bow/Warp <25μm
Overfladeorientering
På aksen <0001>± 0,5°
Ud af aksen 4° eller 8° mod <11-20>± 0,5°
Primær flad orientering <11-20>±5,0°
Primær flad længde 22,22 mm±3,17 mm
0,875"±0,125"
Sekundær flad orientering Sideflade: 90° cw. fra orientering flad ± 5°
C-flade: 90° ccw. fra orientering flad ± 5°
Sekundær flad længde 11,00 ± 1,70 mm
Overfladebehandling Enkelt eller dobbelt ansigt poleret
Emballage Single wafer box eller multi wafer box
Scratch Ingen
Brugbart område ≥ 90%
Kantudelukkelse 2mm
Kantafslag ved diffus belysning (maks.) Kontakt venligst vores ingeniørteam
Revner af højintensitetslys Kontakt venligst vores ingeniørteam
Visuelt kulstof Inklusioner kumulativt areal Kontakt venligst vores ingeniørteam
Ridser af høj intensitet lys Kontakt venligst vores ingeniørteam
Forurening med højintensitetslys Kontakt venligst vores ingeniørteam

 

1,7 4H N-TYPE SIC, 2" (50,8 mm) WAFER SPECIFIKATION

SUBSTRAT EJENDOM S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430
Beskrivelse A/B Produktionsgrad C/D Forskningsgrad D Dummy Grade 4H SiC Substrat
Polytype 4H
Diameter (50,8 ± 0,38) mm
Tykkelse (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm
Transportør type n-type
dopingmiddel Kvælstof
Resistivitet (RT) 0,012 – 0,0028 Ω·cm
Overfladeruhed < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (C-face optisk polering)
FWHM A<30 buesek. B/C/D <50 buesek
Mikrorørstæthed A≤0,5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
Overfladeorientering
På aksen <0001>± 0,5°
Ud af aksen 4° eller 8° mod <11-20>± 0,5°
Primær flad orientering Parallel {1-100} ± 5°
Primær flad længde 16,00 ± 1,70) mm
Sekundær flad orientering Sideflade: 90° cw. fra orientering flad ± 5°
C-flade: 90° ccw. fra orientering flad ± 5°
Sekundær flad længde 8,00 ± 1,70 mm
Overfladebehandling Enkelt eller dobbelt ansigt poleret
Emballage Single wafer box eller multi wafer box
Brugbart område ≥ 90%
Kantudelukkelse 1 mm
Kantafslag ved diffus belysning (maks.) Kontakt venligst vores ingeniørteam
Revner af højintensitetslys Kontakt venligst vores ingeniørteam
Visuelt kulstof Inklusioner kumulativt areal Kontakt venligst vores ingeniørteam
Ridser af høj intensitet lys Kontakt venligst vores ingeniørteam
Forurening med højintensitetslys Kontakt venligst vores ingeniørteam

 

1,8 4H HALVISOLERING SIC, 2" (50,8 mm) WAFER SPECIFIKATION

(High-Purity Semi-isolerende (HPSI) SiC-substrat er tilgængelig)

SUBSTRAT EJENDOM S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430
Beskrivelse A/B Produktion Grade C/D Forskning Grade D Dummy Grade 4H SEMI Substrat
Polytype 4H
Diameter (50,8 ± 0,38) mm
Tykkelse (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm
Resistivitet (RT) >1E7 Ω·cm
Overfladeruhed < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (C-face optisk polering)
FWHM A<30 buesek. B/C/D <50 buesek
Mikrorørstæthed A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
Overfladeorientering
På akse <0001>± 0,5°
Fra aksen 3,5° mod <11-20>± 0,5°
Primær flad orientering Parallel {1-100} ± 5°
Primær flad længde 16,00 ± 1,70 mm
Sekundær flad orientering Si-flade: 90° cw. fra orientering flad ± 5°
C-flade: 90° ccw. fra orientering flad ± 5°
Sekundær flad længde 8,00 ± 1,70 mm
Overfladebehandling Enkelt eller dobbelt ansigt poleret
Emballage Single wafer box eller multi wafer box
Brugbart område ≥ 90%
Kantudelukkelse 1 mm
Kantafslag ved diffus belysning (maks.) Kontakt venligst vores ingeniørteam
Revner af højintensitetslys Kontakt venligst vores ingeniørteam
Visuelt kulstof Inklusioner kumulativt areal Kontakt venligst vores ingeniørteam
Ridser af høj intensitet lys Kontakt venligst vores ingeniørteam
Forurening med højintensitetslys Kontakt venligst vores ingeniørteam

 

1,9 6H N-TYPE SIC, 2" (50,8 mm) WAFER SPECIFIKATION

SUBSTRAT EJENDOM S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430
Beskrivelse A/B Produktion Grade C/D Forskning Grade D Dummy Grade 6H SiC Substrat
Polytype 6H
Diameter (50,8 ± 0,38) mm
Tykkelse (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm
Transportør type n-type
dopingmiddel Kvælstof
Resistivitet (RT) 0,02 ~ 0,1 Ω·cm
Overfladeruhed < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (C-face optisk polering)
FWHM A<30 buesek. B/C/D <50 buesek
Mikrorørstæthed A≤0,5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
Overfladeorientering
På aksen <0001>± 0,5°
Ud af aksen 3,5° mod <11-20>± 0,5°
Primær flad orientering Parallel {1-100} ± 5°
Primær flad længde 16,00 ± 1,70 mm
Sekundær flad orientering Sideflade: 90° cw. fra orientering flad ± 5°
C-flade: 90° ccw. fra orientering flad ± 5°
Sekundær flad længde 8,00 ± 1,70 mm
Overfladebehandling Enkelt eller dobbelt ansigt poleret
Emballage Single wafer box eller multi wafer box
Brugbart område ≥ 90%
Kantudelukkelse 1 mm
Kantafslag ved diffus belysning (maks.) Kontakt venligst vores ingeniørteam
Revner af højintensitetslys Kontakt venligst vores ingeniørteam
Visuelt kulstof Inklusioner kumulativt areal Kontakt venligst vores ingeniørteam
Ridser af høj intensitet lys Kontakt venligst vores ingeniørteam
Forurening med højintensitetslys Kontakt venligst vores ingeniørteam

 

1.10 SiC Seed Crystal Wafer:

Vare Størrelse Type Orientering Tykkelse MPD Poleringstilstand
No.1 105mm 4H, N-type C(0001)4 grader 500+/-50um <=1/cm-2
Nr.2 153 mm 4H, N-type C(0001)4 grader 350+/-50um <=1/cm-2

 

4H N-type eller semi-isolerende SIC, 5mm*5mm, 10mm*10mm WAFER SPECIFIKATION: Tykkelse:330μm/430μm

4H N-type eller semi-isolerende SIC, 15mm*15mm, 20mm*20mm WAFER SPECIFIKATION: Tykkelse:330μm/430μm

a-plane SiC Wafer, størrelse: 40mm*10mm,30mm*10mm,20mm*10mm,10mm*10mm,specifikationer nedenfor:

6H/4H N type Tykkelse: 330μm/430μm eller tilpasset

6H/4H Halvisolerende tykkelse: 330μm/430μm eller tilpasset

 

1.11 SILICIUMCARBID MATERIALE EGENSKABER

SILICIUMCARBID MATERIALE EGENSKABER    
Polytype Enkelt krystal 4H Enkelt krystal 6H
Gitterparametre a=3,076 Å a=3,073 Å
  c=10,053 Å c=15,117 Å
Stablingssekvens ABCB ABCACB
Band-gap 3,26 eV 3,03 eV
density 3,21 · 103 kg/m3 3,21 · 103 kg/m3
Therm. Ekspansionskoefficient 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Brydningsindeks nej = 2.719 nej = 2,707
  ne = 2,777 ne = 2,755
Dielektrisk konstant 9.6 9.66
Varmeledningsevne 490 W/mK 490 W/mK
Nedbrydning af elektrisk felt 2-4 · 108 V/m 2-4 · 108 V/m
Mætningsdriftshastighed 2,0 · 105 m/s 2,0 · 105 m/s
Elektronmobilitet 800 cm2/V·S 400 cm2/V·S
hul Mobilitet 115 cm2/V·S 90 cm2/V·S
Mohs hårdhed ~9 ~9

 

2. Om SiC Wafer

Siliciumcarbid wafer har fremragende termodynamiske og elektrokemiske egenskaber.

Med hensyn til termodynamik er hårdheden af ​​siliciumcarbid så høj som 9,2-9,3 på Mohs ved 20°C. Det er et af de hårdeste materialer og kan bruges til at skære rubiner. SiC-waferens varmeledningsevne overstiger kobbers, som er 3 gange så stor som for Si og 8-10 gange så stor som for GaAs. Og SiC wafer termisk stabilitet er høj, det er umuligt at blive smeltet under normalt tryk.

Med hensyn til elektrokemi har nøgne siliciumcarbidwafer karakteristika af bredbåndsgab og nedbrydningsmodstand. Båndgabet på SiC-substratwafer er 3 gange større end Si, og elektrisk nedbrydningsfelt er 10 gange større end Si, og dets korrosionsbestandighed er ekstremt stærk.

Derfor er SiC-baserede SBD'er og MOSFET'er mere velegnede til at arbejde i højfrekvente, højtemperatur-, højspændings-, højeffekt- og strålingsbestandige miljøer. Under betingelserne for det samme effektniveau kan SiC-enheder bruges til at reducere mængden af ​​elektriske drev og elektroniske kontroller, hvilket opfylder behovene for højere effekttæthed og kompakt design. På den ene side er teknologien til fremstilling af siliciumcarbidsubstrat-wafer moden, og SiC-wafer-omkostningerne er konkurrencedygtige i øjeblikket. På den anden side fortsætter trenden med intelligens og elektrificering med at udvikle sig. De traditionelle biler har bragt en enorm efterspørgsel efter SiC-krafthalvledere. Således vokser det globale SiC-wafermarked hurtigt.

 

3. Q&A af SiC Wafer

3.1 Hvad er barrieren for, at SiC-wafer bliver en bred anvendelse på samme måde som siliciumwafer?

1. På grund af SiCs fysiske og kemiske stabilitet er krystalvæksten af ​​SiC ekstremt vanskelig, hvilket alvorligt hæmmer udviklingen af ​​SiC-halvlederenheder og deres elektroniske applikationer.

2. Da der er mange slags SiC-strukturer med forskellige stablingssekvenser (også kendt som polymorfi), er væksten af ​​SiC-krystal af elektronisk kvalitet hæmmet. Polymorfer af SiC, såsom 3C SiC, 4H SiC og 6h SiC.

 

3.2 Hvilken slags SiC-wafer tilbyder du?

Det du har brug for hører til kubisk fase, der er kubisk (c), sekskantet (H) og rombisk (R). hvad vi har er hexagonale, såsom 4H og 6h, C er kubisk, ligesom 3C siliciumcarbid.

 

4. Se venligst nedenstående underkatalog:

4H N Type SiC
4H Halvisolerende SiC
SiC Ingots
Lappede oblater
Poleringswafer

100 mm siliciumcarbid

200 mm (8 tommer) SiC Wafers

6H SiC Wafer

PAM-XIAMEN tilbyder Semi-isolerende SiC-substrat med høj renhed

SiC (Silicon Carbide) Boule Krystal

Sic Chips

HPSI SiC Wafer til grafenvækst

Tykt siliciumcarbidsubstrat

Hvorfor har vi brug for Semi-isolerende SiC Wafer med høj renhed?

Phonon-egenskaber af SiC Wafer

Vækst facet

Hvorfor viser SiC Wafer en anden farve?

4H-SiC frøkrystal

P-Type SiC Substrate

3C SiC Wafer

Du kan måske også lide…