SiC Wafer Substrate
Virksomheden har en komplet SIC (siliciumcarbid) Wafer -substratproduktionslinje, der integrerer krystalvækst, krystalbehandling, waferbehandling, polering, rengøring og test. I dag leverer vi kommercielle 4H og 6H SIC-skiver med semiisolering og ledningsevne i on-aksen eller off-aksen, tilgængelig størrelse: 5x5mm2,10x10mm2, 2 ”, 3”, 4 ”, 6” og 8 ″, der bryder gennem nøgleteknologier såsom defekt undertrykkelse, frø krystalbehandling og hurtig vækst, fremme af grundlæggende forskning og udvikling relateret til siliconkarbide-epitats, osvrid, osv..
- Description
Beskrivelse
Pam-Xiamen tilbyder halvlederSiC wafer Substrat,6H SiCog4H SiC (siliciumcarbid)I forskellige kvalitetskvaliteter for forsker og industriproducenter. Vi har udviklet osSiC krystalvækst teknologi ogSiC krystal waferBehandlingsteknologi, etablerede en produktionslinje til fremstilling af SIC-substrat, der anvendes i GaN Epitaxy-enhed (f.eks. Aln/GaN HEMT-genvækst), strømenheder, høje temperaturenhed og optoelektroniske enheder. Som et professionelt siliciumcarbid Wafer Company investeret af de førende producenter fra markerne med avanceret og højteknologisk materialeforskning og statsinstitutter og Kinas halvlederlaboratorium, er vi hengiven til kontinuerligt at forbedre kvaliteten af aktuelt SIC-underlag og udvikle store størrelser.
Her viser detaljerede specifikation:
1. SiC Wafer Specifikationer
1.1 8" SiC Wafer-specifikation
|
8 tommer N-type SiC-substrat |
|||
| Vare | En karakter | B klasse | C klasse |
| Diameter | 200±0,2 mm | ||
| Tykkelse | 500±25μm | ||
| Polytype | 4H | ||
| Overfladeorientering | 4° mod <11-20>±0,5º | ||
| dopingmiddel | n type nitrogen | ||
| Notch Orientering | [1-100]±5° | ||
| Hakdybde | 1~1,5 mm | ||
| Resistivitet | 0,015~0,025 ohm·cm | 0,01~0,03 ohm·cm | NA |
| LTV | ≤5μm (10mm*10mm) | ≤10μm (10mm*10mm) | ≤15μm (10mm*10mm) |
| TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤20μm |
| SLØJFE | -25μm~25μm | -45μm~45μm | -65μm~65μm |
| Warp | ≤35μm | ≤50μm | ≤70μm |
| Mikrorørstæthed | ≤2ea/cm2 | ≤10ea/cm2 | ≤50ea/cm2 |
| Metalindhold | ≤1E11 atomer/cm2 | ≤1E11 atomer/cm2 | NA |
| TSD | ≤500ea/cm2 | ≤1000ea/cm2 | NA |
| BPD | ≤2000ea/cm2 | ≤5000ea/cm2 | NA |
| TED | ≤7000ea/cm2 | ≤10000ea/cm2 | NA |
| Overfladeruhed (sideflade) | Ra≤0,2nm | Ra≤0,2nm | Ra≤0,2nm |
| Forside færdig | Si-face CMP | ||
| Partikel | ≤100(størrelse≥0,3μm) | NA | NA |
| Ridser | ≤5,Totallængde≤Diameter | NA | NA |
| Kant chips/indrykk/revner/pletter/ forurening |
Ingen | Ingen | NA |
| Polytype områder | Ingen | ≤20 % (kumulativt areal) | ≤30 % (kumulativt areal) |
| Afmærkning foran | Ingen | ||
| Bagside færdig | C-ansigt poleret | ||
| Ridser | NA | NA | NA |
| Rygfejl Kantchips/indrykk | Ingen | Ingen | NA |
| Ryg ruhed | Ra≤5nm | Ra≤5nm | Ra≤5nm |
| Rygmarkering | Hak (højre side) | ||
| Edge | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
| Emballage | EPI-klar med vakuumemballage; Multi-Wafer eller Single Wafer Cassette Packaging | ||
Bemærkninger: “NA” betyder ingen anmodning. Varer, der ikke er nævnt, kan henvise til semi-std.
1,2 200 mm ultra-prime SIC-underlag
| Vare | 200 mm n-type sic wafer, DSP |
| Grad | Ultra Prime Grade |
| Diameter | 200±0,2 mm |
| Tykkelse | 350±25um |
| Polytype | 4H |
| dopingmiddel | N-type nitrogen |
| Orientering | 4 ° mod <11-20> ± 0,15 ° |
| Notch Orientering | {1-100} ± 5 ° |
| Hak dybde | 1~1,5 mm |
| Resitivitet | 0,015 ~ 0,025Ω · cm |
| LTV | ≤3μm (10*10 mm) |
| TTV | ≤7μm |
| Sløjfe | -20 ~ 20um |
| Warp | ≤30μm |
| Si-ansigt ruhed | Ra≤0,2nm |
| MPD | <0,2ea/cm2 |
| Metal urenheder | ≤1e11 atomer/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, CA, V, MN) |
| TSD | ≤200ea/cm2 |
| BPD | ≤1000ea/cm2 |
| TED | ≤3000ea/cm2 |
| Frontkvalitet | |
| Forside | Si |
| Overflade færdig | Si-face CMP |
| Partikler | ≤100ea/wafer (størrelse ≥0.3um) |
| Ridser | ≤5ea/nm, total længde≤diameter |
| Kantchips/indrykk/revner/pletter/forurening | Ingen |
| Polytype områder | Ingen |
| Lasermarkering foran | Ingen |
| Rygkvalitet | |
| Tilbage finish | C-ansigt poleret |
| Ridser | NA |
| Rygningsfejl (kantchips/indrykk) | Ingen |
| Ryg ruhed | Ra≤5nm |
| Lasermarkering bagpå | Hak til højre |
| Edge | Chamfer |
| Pakke | Epi-klar med vakuumemballage, multi-wafer/enkelt wafer-kassette |
1,3 150 mm ultra-prime sic-underlag
| Vare | 150 mm N-type Sic Wafer, DSP |
| Grad | Ultra Prime Grade |
| Diameter | 150 ± 0,2 mm |
| Tykkelse | 350±25um |
| Polytype | 4H |
| dopingmiddel | N-type nitrogen |
| Orientering | 4 ° mod <11-20> ± 0,15 ° |
| Primær flad orientering | {1-100} ± 5 ° |
| Primær flad længde | 47,5 ± 1,5 mm |
| Sekundær lejlighed | Ingen |
| Resitivitet | 0,016 ~ 0,024Ω · cm |
| LTV | ≤ 2μm (10*10 mm) |
| TTV | ≤5μm |
| Sløjfe | -15 ~ 15um |
| Warp | ≤20μm |
| Si-ansigt ruhed | Ra≤0,2nm (5*5um) |
| MPD | <0,15ea/cm2 |
| Metal urenheder | ≤5e10 atomer/cm2 |
| BPD | ≤600ea/cm2 |
| TSD | ≤100ea/cm2 |
| Frontkvalitet | |
| Forside | Si |
| Overflade færdig | Si-face CMP |
| Partikler | ≤60ea/wafer (størrelse ≥0.3um) |
| Ridser | ≤2ea/nm, total længde≤ 1/2*diameter |
| Appelsinskal/grober/revner/forurening/pletter/striber | Ingen |
| Kantchips/indrykk/brud | Ingen |
| Polytype områder | Ingen |
| Lasermarkering foran | Ingen |
| Rygkvalitet | |
| Tilbage finish | C-ansigt poleret |
| Ridser | ≤5ea/nm, total længde≤diameter |
| Rygningsfejl (kantchips/indrykk) | Ingen |
| Ryg ruhed | Ra≤0,2nm (5*5um) |
| Lasermarkering bagpå | 1 mm fra øverste kant |
| Edge | Chamfer |
| Pakke | Epi-klar med vakuumemballage, multi-wafer/enkelt wafer-kassette |
1,4 4H SIC, N-Type, 6 ″ Wafer Specifikation
| SUBSTRAT EJENDOM | S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500 | |
| Beskrivelse | A/B Produktionskvalitet C/D Forskningskvalitet D Dummy Grade 4H SIC Substrat | |
| Polytype | 4H | 4H |
| Diameter | (150 ± 0,5) mm | (150 ± 0,5) mm |
| Tykkelse | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| Transportør type | n-type | n-type |
| dopingmiddel | n-type | n-type |
| Resistivitet (RT) | (0,015 – 0,028)Ω·cm | (0,015 – 0,028)Ω·cm |
| Overfladeruhed | <0,5 nm (Si-Face CMP EPI-klar); <1 nm (c- ansigt optisk polsk) | |
| FWHM | A <30 Arcsec B/C/D <50 Arcsec | |
| Mikrorørstæthed | A≤0,5 cm-2 b <2 cm-2 c≤15 cm-2 d≤50 cm-2 | |
| TTV | ＜15μm | ＜15μm |
| Sløjfe | ＜ 40μm | ＜ 40μm |
| Warp | ＜60μm | ＜60μm |
| Overfladeorientering | ||
| Ud af aksen | 4° mod <11-20>± 0,5° | 4° mod <11-20>± 0,5° |
| Primær flad orientering | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Primær flad længde | 47,50 mm±2,00 mm | 47,50 mm±2,00 mm |
| Sekundær lejlighed | Ingen | Ingen |
| Overfladebehandling | Dobbelt ansigt poleret | Dobbelt ansigt poleret |
| Emballage | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks |
| Revner af høj intensitet liste | Ingen (AB) | Kumulativ længde≤20mm ， enkelt længde <2 mm （cd) |
| Hex plader med lys med høj intensitet | Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) | Akkumuleret areal≤0,1 % (CD) |
| Polytype -områder efter lys med høj intensitet | Ingen (AB) | Akkumuleret areal≤3 % (CD) |
| Visuelle kulstofindeslutninger | Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) | Akkumuleret areal≤3 % (CD) |
| Ridser med lys med høj intensitet | Ingen (AB) | Kumulativ længde≤1 x wafer diameter （cd) |
| Edge chip | Ingen (AB) | 5 tilladte, ≤1 mm hver (CD) |
| Forurening med lys med høj intensitet | Ingen | - |
| Brugbart område | ≥ 90% | - |
| Kantudelukkelse | 3mm | 3mm |
1,5 4H SIC, Semi-Isulerende med høj renhed (HPSI), 6 ″ Wafer Specifikation
4H SIC, V dopet semi-isolerende, 6 ″ Wafer-specifikation
| SUBSTRAT EJENDOM | S4H-150-SI-PWAM-500 | ||
| Beskrivelse | A: Produktionskvalitet, B: Forskningskvalitet, C: Dummy Grad 4H SIC -substrat | ||
| Polytype | 4H | ||
| Diameter | 150 ± 0,2 mm | ||
| Tykkelse | 500 ± 25μm | ||
| Transportør type | Halvisolerende | ||
| dopingmiddel | V dopet | ||
| Overfladeorientering | |||
| På aksen | <0001> | ||
| Ud af aksen | 0 ± 0,25 ° | ||
| Hak orientering | [1-100] ± 5,0 ° | ||
| Hak dybde | 1 ~ 1,25 mm | ||
| Resistivitet (RT) | A: ≥1e8ohm.cm | B: 100% område> 1e5ohm.cm | C: 50% område> 1e5ohm.cm |
| Overfladeruhed | ≤0,2 nm (5*5um, si-face cmp epi-klar); <1 nm (c- ansigt optisk polsk) | ||
| FWHM | A: ≤45 Arcsec | B: ≤Arcsec | C: ≤100Arcsec |
| Mikrorørstæthed | A: ≤1 ea/cm2 | B: ≤5 ea/cm2 | C: ≤10 ea/cm2 |
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| Sløjfe | -25μm~25μm | -35μm ~ 35μm | -45μm~45μm |
| Warp | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Hexagonal tomrum | Ingen | NA | |
| Kulstofindeslutningstæthed | ≤1 ea/cm2 | NA | |
| Partikler | ≤60 ea/wafer (størrelse ≥0,3um） | NA | |
| Ridser | ≤5, total længde≤diameter | Samlet længde≤2*diameter | NA |
| Metal urenheder | ≤5e12 atomer/cm2 | ≤5e12 atomer/cm2 | NA |
| Overfladebehandling | Si-face CMP | ||
| Emballage | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks | ||
1,6 4H SIC, N-Type, 4 ″ Wafer Specifikation
| SUBSTRAT EJENDOM | S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500 | |
| Beskrivelse | A/B Produktionskvalitet C/D Forskningskvalitet D Dummy Grade 4H SIC Substrat | |
| Polytype | 4H | 4H |
| Diameter | (100 ± 0,5) mm | (100 ± 0,5) mm |
| Tykkelse | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| Transportør type | n-type | n-type |
| dopingmiddel | Kvælstof | Kvælstof |
| Resistivitet (RT) | (0,015 – 0,028)Ω·cm | (0,015 – 0,028)Ω·cm |
| Overfladeruhed | <0,5 nm (Si-Face CMP EPI-klar); <1 nm (c- ansigt optisk polsk) | |
| FWHM | A <30 Arcsec B/C/D <50 Arcsec | |
| Mikrorørstæthed | A≤0,5 cm-2 b <2 cm-2 c≤15 cm-2 d≤50 cm-2 | |
| TTV | ＜10μm | ＜10μm |
| Sløjfe | ＜ 25μm | ＜ 25μm |
| Warp | ＜45μm | ＜45μm |
| Overfladeorientering | ||
| På aksen | <0001>± 0,5° | <0001>± 0,5° |
| Ud af aksen | 4° eller 8° mod <11-20>± 0,5° | 4° eller 8° mod <11-20>± 0,5° |
| Primær flad orientering | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Primær flad længde | 32,50 mm±2,00 mm | 32,50 mm±2,00 mm |
| Sekundær flad orientering | Si-ansigt: 90 ° CW. fra orientering flad ± 5 °- | |
| C-ansigt: 90 ° CCW. fra orientering flad ± 5 °- | ||
| Sekundær flad længde | 18,00 ± 2,00 mm | 18,00 ± 2,00 mm |
| Overfladebehandling | Dobbelt ansigt poleret | Dobbelt ansigt poleret |
| Emballage | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks |
| Revner af høj intensitet liste | Ingen (AB) | Kumulativ længde≤10 mm ， enkelt længde≤ 2mm （cd) |
| Hex plader med lys med høj intensitet | Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) | Akkumuleret areal≤0,1 % (CD) |
| Polytype -områder efter lys med høj intensitet | Ingen (AB) | Akkumuleret areal≤3 % (CD) |
| Visuelle kulstofindeslutninger | Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) | Akkumuleret areal≤3 % (CD) |
| Ridser med lys med høj intensitet | Ingen (AB) | Kumulativ længde≤1 x wafer diameter （cd) |
| Edge chip | Ingen (AB) | 5 tilladte, ≤1 mm hver (CD) |
| Forurening med lys med høj intensitet | Ingen | - |
| Brugbart område | ≥ 90% | - |
| Kantudelukkelse | 2mm | 2mm |
1,7 4H SIC, Semi-Isulerende med høj renhed (HPSI), 4 ″ Wafer Specifikation
4H SIC, V dopet semi-isolerende, 4 ″ Wafer-specifikation
| SUBSTRAT EJENDOM | S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-Si-PWAM-500 | |
| Beskrivelse | A/B Produktionskvalitet C/D Forskningskvalitet D Dummy Grade 4H SIC Substrat | |
| Polytype | 4H | 4H |
| Diameter | (100 ± 0,5) mm | (100 ± 0,5) mm |
| Tykkelse | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| Transportør type | Halvisolerende | Halvisolerende |
| dopingmiddel | V dopet | V dopet |
| Resistivitet (RT) | >1E7 Ω·cm | >1E7 Ω·cm |
| Overfladeruhed | <0,5 nm (Si-Face CMP EPI-klar); <1 nm (c- ansigt optisk polsk) | |
| FWHM | A <30 Arcsec B/C/D <50 Arcsec | |
| Mikrorørstæthed | A≤1cm-2 b <5 cm-2 c≤30 cm-2 d≤50 cm-2 | |
| TTV | ＜10μm | ＜10μm |
| Sløjfe | ＜ 25μm | ＜ 25μm |
| Warp | ＜45μm | ＜45μm |
| Overfladeorientering | ||
| På aksen | <0001>± 0,5° | <0001>± 0,5° |
| Ud af aksen | Ingen | Ingen |
| Primær flad orientering | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Primær flad længde | 32,50 mm±2,00 mm | 32,50 mm±2,00 mm |
| Sekundær flad orientering | Si-ansigt: 90 ° CW. fra orientering flad ± 5 °- | |
| C-ansigt: 90 ° CCW. fra orientering flad ± 5 °- | ||
| Sekundær flad længde | 18,00 ± 2,00 mm | 18,00 ± 2,00 mm |
| Overfladebehandling | Dobbelt ansigt poleret | Dobbelt ansigt poleret |
| Emballage | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks |
| Revner af høj intensitet liste | Ingen (AB) | Kumulativ længde≤10 mm ， enkelt længde≤ 2mm （cd) |
| Hex plader med lys med høj intensitet | Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) | Akkumuleret areal≤0,1 % (CD) |
| Polytype -områder efter lys med høj intensitet | Ingen (AB) | Akkumuleret areal≤3 % (CD) |
| Visuelle kulstofindeslutninger | Akkumuleret areal≤0,05 %(AB) | Akkumuleret areal≤3 % (CD) |
| Ridser med lys med høj intensitet | Ingen (AB) | Kumulativ længde≤1 x wafer diameter （cd) |
| Edge chip | Ingen (AB) | 5 tilladte, ≤1 mm hver (CD) |
| Forurening med lys med høj intensitet | Ingen | - |
| Brugbart område | ≥ 90% | - |
| Kantudelukkelse | 2mm | 2mm |
1,8 4H N-TYPE SIC, 3" (76,2 mm) WAFER SPECIFIKATION
| SUBSTRAT EJENDOM | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Beskrivelse | A/B Produktionskvalitet C/D Forskningskvalitet D Dummy Grade 4H SIC Substrat |
| Polytype | 4H |
| Diameter | (76,2 ± 0,38) mm |
| Tykkelse | (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Transportør type | n-type |
| dopingmiddel | Kvælstof |
| Resistivitet (RT) | 0,015 – 0,028Ω·cm |
| Overfladeruhed | <0,5 nm (Si-Face CMP EPI-klar); <1 nm (c- ansigt optisk polsk) |
| FWHM | A <30 Arcsec B/C/D <50 Arcsec |
| Mikrorørstæthed | A≤0,5 cm-2 b <2 cm-2 c≤15 cm-2 d≤50 cm-2 |
| TTV/Bow/Warp | ＜25μm |
| Overfladeorientering | |
| På aksen | <0001>± 0,5° |
| Ud af aksen | 4° eller 8° mod <11-20>± 0,5° |
| Primær flad orientering | <11-20>±5,0° |
| Primær flad længde | 22,22 mm±3,17 mm |
| 0,875"±0,125" | |
| Sekundær flad orientering | Si-ansigt: 90 ° CW. Fra orientering flad ± 5 ° |
| C-ansigt: 90 ° CCW. Fra orientering flad ± 5 ° | |
| Sekundær flad længde | 11,00 ± 1,70 mm |
| Overfladebehandling | Enkelt eller dobbelt ansigt poleret |
| Emballage | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks |
| Scratch | Ingen |
| Brugbart område | ≥ 90% |
| Kantudelukkelse | 2mm |
| Kantchips ved diffus belysning (max) | Kontakt vores ingeniørteam |
| Revner af højintensitetslys | Kontakt vores ingeniørteam |
| Visuelle kulstofindeslutninger kumulativt område | Kontakt vores ingeniørteam |
| Ridser med lys med høj intensitet | Kontakt vores ingeniørteam |
| Forurening med lys med høj intensitet | Kontakt vores ingeniørteam |
1,9 4H Semi-isolerende SIC, 3 ″ (76,2 mm) Wafer Specifikation
(Semi-isolerende (HPSI) SIC-underlag med høj renhed (HPSI) er tilgængeligt)
| UBSTRATEJENDOM | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Beskrivelse | A/B Produktionskvalitet C/D Forskningskvalitet D Dummy Grade 4H SIC Substrat |
| Polytype | 4H |
| Diameter | (76,2 ± 0,38) mm |
| Tykkelse | (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Transportør type | semi-isolerende |
| dopingmiddel | V dopet |
| Resistivitet (RT) | >1E7 Ω·cm |
| Overfladeruhed | <0,5 nm (Si-Face CMP EPI-klar); <1 nm (c- ansigt optisk polsk) |
| FWHM | A <30 Arcsec B/C/D <50 Arcsec |
| Mikrorørstæthed | A≤1cm-2 b <5 cm-2 c≤30 cm-2 d≤50 cm-2 |
| TTV/Bow/Warp | ＜25μm |
| Overfladeorientering | |
| På aksen | <0001>± 0,5° |
| Ud af aksen | 4° eller 8° mod <11-20>± 0,5° |
| Primær flad orientering | <11-20>±5,0° |
| Primær flad længde | 22,22 mm±3,17 mm |
| 0,875"±0,125" | |
| Sekundær flad orientering | Si-ansigt: 90 ° CW. Fra orientering flad ± 5 ° |
| C-ansigt: 90 ° CCW. Fra orientering flad ± 5 ° | |
| Sekundær flad længde | 11,00 ± 1,70 mm |
| Overfladebehandling | Enkelt eller dobbelt ansigt poleret |
| Emballage | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks |
| Scratch | Ingen |
| Brugbart område | ≥ 90% |
| Kantudelukkelse | 2mm |
| Kantchips ved diffus belysning (max) | Kontakt vores ingeniørteam |
| Revner af højintensitetslys | Kontakt vores ingeniørteam |
| Visuelle kulstofindeslutninger kumulativt område | Kontakt vores ingeniørteam |
| Ridser med lys med høj intensitet | Kontakt vores ingeniørteam |
| Forurening med lys med høj intensitet | Kontakt vores ingeniørteam |
1,10 4H N-type SIC, 2 ″ (50,8 mm) Wafer Specifikation
| SUBSTRAT EJENDOM | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| Beskrivelse | A/B Produktionskvalitet C/D Forskningskvalitet D Dummy Grade 4H SIC Substrat |
| Polytype | 4H |
| Diameter | (50,8 ± 0,38) mm |
| Tykkelse | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Transportør type | n-type |
| dopingmiddel | Kvælstof |
| Resistivitet (RT) | 0,012 – 0,0028 Ω·cm |
| Overfladeruhed | <0,5 nm (Si-Face CMP EPI-klar); <1 nm (c- ansigt optisk polsk) |
| FWHM | A <30 Arcsec B/C/D <50 Arcsec |
| Mikrorørstæthed | A≤0,5 cm-2 b <2 cm-2 c≤15 cm-2 d≤50 cm-2 |
| Overfladeorientering | |
| På aksen | <0001>± 0,5° |
| Ud af aksen | 4° eller 8° mod <11-20>± 0,5° |
| Primær flad orientering | Parallel {1-100} ± 5° |
| Primær flad længde | 16,00 ± 1,70) mm |
| Sekundær flad orientering | Si-ansigt: 90 ° CW. Fra orientering flad ± 5 ° |
| C-ansigt: 90 ° CCW. Fra orientering flad ± 5 ° | |
| Sekundær flad længde | 8,00 ± 1,70 mm |
| Overfladebehandling | Enkelt eller dobbelt ansigt poleret |
| Emballage | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks |
| Brugbart område | ≥ 90% |
| Kantudelukkelse | 1 mm |
| Kantchips ved diffus belysning (max) | Kontakt vores ingeniørteam |
| Revner af højintensitetslys | Kontakt vores ingeniørteam |
| Visuelle kulstofindeslutninger kumulativt område | Kontakt vores ingeniørteam |
| Ridser med lys med høj intensitet | Kontakt vores ingeniørteam |
| Forurening med lys med høj intensitet | Kontakt vores ingeniørteam |
1.11 4H Semi-isolerende SIC, 2 ″ (50,8 mm) Wafer Specifikation
(Semi-Isulerende (HPSI) SIC-underlag med høj renhed (HPSI) er tilgængeligt)
| SUBSTRAT EJENDOM | S4H-51-Si-PWAM-250 S4H-51-Si-PWAM-330 S4H-51-Si-PWAM-430 |
| Beskrivelse | A/B Produktionsklasse C/D Forskningskvalitet D Dummy Grade 4H Semi Substrat |
| Polytype | 4H |
| Diameter | (50,8 ± 0,38) mm |
| Tykkelse | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Resistivitet (RT) | >1E7 Ω·cm |
| Overfladeruhed | <0,5 nm (Si-Face CMP EPI-klar); <1 nm (c- ansigt optisk polsk) |
| FWHM | A <30 Arcsec B/C/D <50 Arcsec |
| Mikrorørstæthed | A≤1cm-2 b <5 cm-2 c≤30 cm-2 d≤50 cm-2 |
| Overfladeorientering | |
| På aksen <0001> ± 0,5 ° | |
| Fra aksen 3,5 ° mod <11-20> ± 0,5 ° | |
| Primær flad orientering | Parallel {1-100} ± 5° |
| Primær flad længde | 16,00 ± 1,70 mm |
| Sekundær flad orientering Si-ansigt: 90 ° CW. Fra orientering flad ± 5 ° | |
| C-ansigt: 90 ° CCW. Fra orientering flad ± 5 ° | |
| Sekundær flad længde | 8,00 ± 1,70 mm |
| Overfladebehandling | Enkelt eller dobbelt ansigt poleret |
| Emballage | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks |
| Brugbart område | ≥ 90% |
| Kantudelukkelse | 1 mm |
| Kantchips ved diffus belysning (max) | Kontakt vores ingeniørteam |
| Revner af højintensitetslys | Kontakt vores ingeniørteam |
| Visuelle kulstofindeslutninger kumulativt område | Kontakt vores ingeniørteam |
| Ridser med lys med høj intensitet | Kontakt vores ingeniørteam |
| Forurening med lys med høj intensitet | Kontakt vores ingeniørteam |
1.12 6H N-Type Sic, 2 ″ (50,8 mm) Wafer Specifikation
| SUBSTRAT EJENDOM | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| Beskrivelse | A/B Produktionsklasse C/D Forskningskvalitet D Dummy Grad 6H SIC Substrat |
| Polytype | 6H |
| Diameter | (50,8 ± 0,38) mm |
| Tykkelse | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Transportør type | n-type |
| dopingmiddel | Kvælstof |
| Resistivitet (RT) | 0,02 ~ 0,1 Ω·cm |
| Overfladeruhed | <0,5 nm (Si-Face CMP EPI-klar); <1 nm (c- ansigt optisk polsk) |
| FWHM | A <30 Arcsec B/C/D <50 Arcsec |
| Mikrorørstæthed | A≤0,5 cm-2 b <2 cm-2 c≤15 cm-2 d≤50 cm-2 |
| Overfladeorientering | |
| På aksen | <0001>± 0,5° |
| Ud af aksen | 3,5° mod <11-20>± 0,5° |
| Primær flad orientering | Parallel {1-100} ± 5° |
| Primær flad længde | 16,00 ± 1,70 mm |
| Sekundær flad orientering | Si-ansigt: 90 ° CW. Fra orientering flad ± 5 ° |
| C-ansigt: 90 ° CCW. Fra orientering flad ± 5 ° | |
| Sekundær flad længde | 8,00 ± 1,70 mm |
| Overfladebehandling | Enkelt eller dobbelt ansigt poleret |
| Emballage | Enkelt wafer -boks eller multi wafer -boks |
| Brugbart område | ≥ 90% |
| Kantudelukkelse | 1 mm |
| Kantchips ved diffus belysning (max) | Kontakt vores ingeniørteam |
| Revner af højintensitetslys | Kontakt vores ingeniørteam |
| Visuelle kulstofindeslutninger kumulativt område | Kontakt vores ingeniørteam |
| Ridser med lys med høj intensitet | Kontakt vores ingeniørteam |
| Forurening med lys med høj intensitet | Kontakt vores ingeniørteam |
1.13 12 inch SiC Substrate Wafer
|
12 inch (300mm) 4H-SiC Substrate Specification (PAM07282026) |
|
| Parameter | Value |
| Diameter | 300.0±0.5mm |
| Tykkelse | 700±50μm |
| Polytype | 4H |
| dopingmiddel | n-type Nitrogen |
| Surface orientation | NA |
| Notch orientation | <1-100>±5° |
| Hak dybde | 1-1.25mm |
| Resistivitet | NA |
| TTV | NA |
| Sløjfe | NA |
| Warp | NA |
| Micropipe density | NA |
| Visible carbon inclusions | NA |
| Metal urenheder | NA |
| TSD | NA |
| BPD | NA |
| TED | NA |
| SF(2mm*2mm) | NA |
| Total usable area(2mm*2mm) | NA |
| Front side quality | |
| Front | Si |
| Overfladebehandling | Si-face CMP |
| Partikler | NA |
| Ridser | NA |
| Orange peel/pits/stains/striations/cracks/contamination/pinholes | NA |
| Edge chips/indents | NA |
| Polytype områder | NA |
| Front Roughness | NA |
| Lasermarkering foran | Ingen |
| Back side quality | |
| Tilbage finish | C-ansigt poleret |
| Ridser | NA |
| Edge chips/indents | NA |
| Ryg ruhed | NA |
| Lasermarkering bagpå | Directly above the notch |
| Edge | Chamfer |
| Emballage | Multi/single-wafer cassette with Nitrogen filled or vacuum, epi-ready |
Note: “NA” means no requirements.
1.14 SiC Seed Crystal Wafer:
| Vare | Størrelse | Type | Orientering | Tykkelse | MPD | Poleringstilstand |
| No.1 | 105mm | 4H, N-type | C(0001)4 grader | 500+/-50um | <=1/cm-2 | - |
| Nr.2 | 153 mm | 4H, N-type | C(0001)4 grader | 350+/-50um | <=1/cm-2 | - |
4H N-type eller semi-isolerende SIC, 5 mm*5mm, 10 mm*10 mm skivespecifikation: tykkelse: 330μm/430μm
4H N-type eller semi-isolerende SIC, 15 mm*15mm, 20 mm*20 mm skivespecifikation: Tykkelse: 330μm/430μm
a-plan sic wafer, størrelse: 40 mm*10mm, 30 mm*10mm, 20 mm*10mm, 10 mm*10mm, specifikationer nedenfor:
6H/4H N Tyktykkelse: 330μm/430μm eller brugerdefineret
6H/4H semi-isolerende tykkelse: 330μm/430μm eller brugerdefineret
1.15 SILICON CARBIDE MATERIAL PROPERTIES
| Siliciumcarbidmaterialeegenskaber | ||
| Polytype | Enkelt krystal 4H | Enkelt krystal 6H |
| Gitterparametre | a=3,076 Å | a=3,073 Å |
| c=10,053 Å | c=15,117 Å | |
| Stablingssekvens | ABCB | ABCACB |
| Band-gap | 3,26 eV | 3,03 eV |
| density | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Ekspansionskoefficient | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Brydningsindeks | nej = 2.719 | nej = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Dielektrisk konstant | 9.6 | 9.66 |
| Varmeledningsevne | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Nedbrydning af elektrisk felt | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Mætningsdriftshastighed | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Elektronmobilitet | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| hul Mobilitet | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohs hårdhed | ~9 | ~9 |
2. Om SiC Wafer
Siliciumcarbidskive har fremragende termodynamiske og elektrokemiske egenskaber.
Med hensyn til termodynamik er hårdheden af siliciumcarbid så høj som 9,2-9,3 på MOHS ved 20 ° C. Det er et af de sværeste materialer og kan bruges til at skære rubiner. Sic Wafer termisk ledningsevne overstiger kobberens kobber, som er 3 gange SI og 8-10 gange Gaas. Og sic wafer termisk stabilitet er høj, det er umuligt at blive smeltet under normalt tryk.
Med hensyn til elektrokemi har bare siliciumcarbidskive egenskaberne ved bredt båndgap og nedbrydningsresistens. Båndgabet af SiC -substratskive er 3 gange Si, og nedbrydning af elektrisk felt er 10 gange SI, og dets korrosionsbestandighed er ekstremt stærk.
Derfor er SIC-baserede SBD'er og MOSFET'er mere egnede til at arbejde i højfrekvent, høje temperatur, højspænding, højeffekt og strålingsbestandige miljøer. Under betingelserne for det samme effektniveau kan SIC -enheder bruges til at reducere mængden af elektriske drev og elektroniske kontroller, der imødekommer behovene i højere effekttæthed og kompakt design. På den ene side er siliciumcarbidsubstrat Wafer Fabrication Technology moden, og SIC Wafer -omkostningerne er i øjeblikket konkurrencedygtige. På den anden side fortsætter tendensen med intelligens og elektrificering med at udvikle sig. De traditionelle biler har bragt enorm efterspørgsel efter Sic Power Semiconductors. Således vokser det globale Sic Wafer -marked hurtigt.
3. Q&A af SiC Wafer
3.1 Hvad er barrieren for Sic Wafer, der bliver en bred anvendelse, det samme som siliciumskive?
1.Unt til den fysiske og kemiske stabilitet af SIC er krystalvæksten af SIC ekstremt vanskelig, hvilket alvorligt hindrer udviklingen af SIC -halvlederenheder og deres elektroniske applikationer.
2. Da der er mange slags SIC -strukturer med forskellige stablingssekvenser (også kendt som polymorfisme), hindres væksten af SIC -krystal i elektronisk kvalitet. Polymorferne af SIC, såsom 3C SIC, 4H SIC og 6H SIC.
3.2 Hvilken slags sic wafer tilbyder du?
Hvad du har brug for hører til kubisk fase, der er kubisk (C), hexagonal (H) og rhombic (R). Det, vi har, er hexagonal, såsom 4H og 6H, C er kubisk, som 3C siliciumcarbid.
4. se venligst nedenfor underkatalogen:
4H N Type SiC
4H Halvisolerende SiC
SiC Ingots
Lappede oblater
Poleringswafer
Pam-Xiamen tilbyder semi-isolerende SIC-underlag med høj renhed
Sic (siliciumcarbid) Boule Crystal
Hvorfor har vi brug for semi-isolerende Sic Wafer med høj renhed?
Phonon-egenskaber af SiC Wafer
