SiC Wafer Substrat

Produkt beskrivelse

PAM-XIAMEN tilbyder halvlederSiC wafer Substrat,6H SiCog4H SiC (siliciumcarbid)i forskellige kvalitetsgrader til forskere og industriproducenter. Vi har udviklet osSiC krystalvækst teknologi ogSiC krystal waferforarbejdningsteknologi, etableret en produktionslinje til fremstilling af SiC-substrat, som anvendes i GaN-epitaksi-enheder (f.eks. AlN/GaN HEMT-genvækst), strømenheder, højtemperatur-enheder og optoelektroniske enheder. Som en professionel siliciumcarbid wafer virksomhed investeret af de førende producenter fra områderne avanceret og højteknologisk materialeforskning og statslige institutter og Kinas Semiconductor Lab, er vi dedikeret til løbende at forbedre kvaliteten af ​​nuværende SiC-substrater og udvikle store størrelser substrater.

Her viser detaljerede specifikationer:

1. SiC Wafer Specifikationer

1.1 4H SIC,N-TYPE, 6″WAFER SPECIFIKATION

1.2 4H SIC, HØJ RENHED HALVISOLERING(HPSI), 6″WAFER SPECIFIKATION

4H SIC,V DOPED HALVISOLERING, 6″WAFER SPECIFIKATION

1.3 4H SIC,N-TYPE, 4″WAFER SPECIFIKATION

1.4 4H SIC, HØJ RENHED HALVISOLERING(HPSI), 4″WAFER SPECIFIKATION

4H SIC,V DOPED HALVISOLERING, 4″WAFER SPECIFIKATION

1,5 4H N-TYPE SIC, 3" (76,2 mm) WAFER SPECIFIKATION

1,6 4H HALVISOLERENDE SIC, 3" (76,2 mm) WAFER SPECIFIKATION

(High Purity Semi-Insulating (HPSI) SiC-substrat er tilgængelig)

1,7 4H N-TYPE SIC, 2" (50,8 mm) WAFER SPECIFIKATION

1,8 4H HALVISOLERING SIC, 2" (50,8 mm) WAFER SPECIFIKATION

(High-Purity Semi-isolerende (HPSI) SiC-substrat er tilgængelig)

1,9 6H N-TYPE SIC, 2" (50,8 mm) WAFER SPECIFIKATION

1.10 SiC Seed Crystal Wafer:

4H N-type eller semi-isolerende SIC, 5mm*5mm, 10mm*10mm WAFER SPECIFIKATION: Tykkelse:330μm/430μm

4H N-type eller semi-isolerende SIC, 15mm*15mm, 20mm*20mm WAFER SPECIFIKATION: Tykkelse:330μm/430μm

a-plane SiC Wafer, størrelse: 40mm*10mm,30mm*10mm,20mm*10mm,10mm*10mm,specifikationer nedenfor:

6H/4H N type Tykkelse: 330μm/430μm eller tilpasset

6H/4H Halvisolerende tykkelse: 330μm/430μm eller tilpasset

1.11 SILICIUMCARBID MATERIALE EGENSKABER

2. Om SiC Wafer

Siliciumcarbid wafer har fremragende termodynamiske og elektrokemiske egenskaber.

Med hensyn til termodynamik er hårdheden af ​​siliciumcarbid så høj som 9,2-9,3 på Mohs ved 20°C. Det er et af de hårdeste materialer og kan bruges til at skære rubiner. SiC-waferens varmeledningsevne overstiger kobbers, som er 3 gange så stor som for Si og 8-10 gange så stor som for GaAs. Og SiC wafer termisk stabilitet er høj, det er umuligt at blive smeltet under normalt tryk.

Med hensyn til elektrokemi har nøgne siliciumcarbidwafer karakteristika af bredbåndsgab og nedbrydningsmodstand. Båndgabet på SiC-substratwafer er 3 gange større end Si, og elektrisk nedbrydningsfelt er 10 gange større end Si, og dets korrosionsbestandighed er ekstremt stærk.

Derfor er SiC-baserede SBD'er og MOSFET'er mere velegnede til at arbejde i højfrekvente, højtemperatur-, højspændings-, højeffekt- og strålingsbestandige miljøer. Under betingelserne for det samme effektniveau kan SiC-enheder bruges til at reducere mængden af ​​elektriske drev og elektroniske kontroller, hvilket opfylder behovene for højere effekttæthed og kompakt design. På den ene side er teknologien til fremstilling af siliciumcarbidsubstrat-wafer moden, og SiC-wafer-omkostningerne er konkurrencedygtige i øjeblikket. På den anden side fortsætter trenden med intelligens og elektrificering med at udvikle sig. De traditionelle biler har bragt en enorm efterspørgsel efter SiC-krafthalvledere. Således vokser det globale SiC-wafermarked hurtigt.

3. Q&A af SiC Wafer

3.1 Hvad er barrieren for, at SiC-wafer bliver en bred anvendelse på samme måde som siliciumwafer?

1. På grund af SiCs fysiske og kemiske stabilitet er krystalvæksten af ​​SiC ekstremt vanskelig, hvilket alvorligt hæmmer udviklingen af ​​SiC-halvlederenheder og deres elektroniske applikationer.

2. Da der er mange slags SiC-strukturer med forskellige stablingssekvenser (også kendt som polymorfi), er væksten af ​​SiC-krystal af elektronisk kvalitet hæmmet. Polymorfer af SiC, såsom 3C SiC, 4H SiC og 6h SiC.

3.2 Hvilken slags SiC-wafer tilbyder du?

Det du har brug for hører til kubisk fase, der er kubisk (c), sekskantet (H) og rombisk (R). hvad vi har er hexagonale, såsom 4H og 6h, C er kubisk, ligesom 3C siliciumcarbid.

4. Se venligst nedenstående underkatalog:

4H N Type SiC
4H Halvisolerende SiC
SiC Ingots
Lappede oblater
Poleringswafer

100 mm siliciumcarbid

200 mm (8 tommer) SiC Wafers

6H SiC Wafer

PAM-XIAMEN tilbyder Semi-isolerende SiC-substrat med høj renhed

SiC (Silicon Carbide) Boule Krystal

Sic Chips

HPSI SiC Wafer til grafenvækst

Tykt siliciumcarbidsubstrat

Hvorfor har vi brug for Semi-isolerende SiC Wafer med høj renhed?

Phonon-egenskaber af SiC Wafer

Vækst facet

Hvorfor viser SiC Wafer en anden farve?

4H-SiC frøkrystal

P-Type SiC Substrate

3C SiC Wafer