Teknologi

Wafer Proces:

Wafer Crystal Growth

I fremstillingen af ​​krystal wafers, det første kritiske trin er enkelt krystalvækst. Anvendelse polykrystal som råmateriale med lille procent af doteringsmiddel, såsom nitrogen, vanadium, bor eller phosphor. (Denne doteringsmiddel bestemme de elektriske egenskaber, eller resistiviteten af ​​de vafler, der er skåret fra krystallen), voksende ingots gennem forseglede vækst ovn.

wafer Skæring

Frø-ende (øverst) og den tilspidsede ende (bunden) af ingots fjernes, så blokken skæres i kortere sektioner for at optimere den udskæring operation, der følger senere. Dernæst hver sektion formalet til den angivne diameter på en mekanisk lathe.finally skære krystal i skiver.

wafer Polering

Wafer polering er nødvendig for wafer fremstilling af halvleder devices.First trin er ru skvulpen ved mekanisk polering, andet trin er tynd polering af CMP (kemisk mekaniske polering), for at forbedre wafer planhed og overfladeruhed, gør dens overflade for at få den præcision af epitaksiale skive, bliver endelig epi-klar wafer.

wafer Rengøring

Under polering, er vaflerne allerede fortsætte ind i en serie af rengøring systems.But før vaflerne pakkes i beholdere, de stadig har brug for at inspicere de oblater at se om der er stratches, pletter, og inklusioner.

wafer Epitaksi

Epitaksi er en proces, der vokser et tyndt lag den polerede overflade af wafersubstrat ved reaktoren, og så bliver epiwafer, som giver vores kunder til at bygge sammensatte halvledere i verden.

Vækst og Epitaksi Teknologi

Hydrid Vapor Phase Epitaxy (HVPE) Technology

Vokset med HVPE fremgangsmåde og teknologi til produktion af sammensatte halvledere såsom GaN, AIN, og AlGaN. De anvendes i en bred anvendelse: solid state belysning, kort bølgelængde optoelektronik og RF-effekt enhed.

Hvis du har brug for mere information, se: https://www.powerwaywafer.com/GaN-Templates.html

Molecular Beam Epitaxy (MBE) Teknologi

MBE er en metode for at fastsætte lag af materialer med atomare tykkelser på substrater. Dette gøres ved at skabe en 'molekylær stråle' af et materiale, der rammer substratet. De resulterende 'superlattices' har en række teknologisk vigtige anvendelser, herunder Quantum såvel lasere til halvledende systemer, og Giant Magneto-Resistance til metalliske systemer.

Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Teknologi

Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) eller metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) er en kemisk dampaflejring fremgangsmåde til epitaxi ved aflejring atomer på en wafersubstrat.

Hvis du har brug for mere information, se: https://www.powerwaywafer.com/GaAs-Epiwafer.html

Og nu giver vi en kort introduktion af MBE og MOCVD.

1: MBE

MBE er en metode for at fastsætte lag af materialer med atomare tykkelser på substrater. Dette gøres ved at skabe en 'molekylær stråle' af et materiale, der rammer substratet. De resulterende 'superlattices' har en række teknologisk vigtige anvendelser, herunder Quantum såvel lasere til halvledende systemer, og Giant Magneto-Resistance til metalliske systemer.
I forbindelse halvlederindustrien, ved hjælp af MBE-teknologi, vi vokser epitaksiale lag på GaAs og andre forbindelse halvledersubstrater, og tilbyde epi vafler og udvikle multilayer substrater til for mikrobølger og RF-applikationer.

1-1: Karakteristika for Molecular Beam Epitaxy:

Lav vækstrate på ~ 1 monolag (gitter plan) pr sekund
Lav temperatur vækst (~ 550 ° C i GaAs)
Glat vækst overflade med trinnene atomare højde og store flade terrasser
Præcis styring af overfladen sammensætning og morfologi
Abrupt variation af kemisk sammensætning på grænseflader
In situ styring af krystalvækst på det atomare niveau

1-2: Fordele ved MBE Teknik:

Rent miljø vækst
Præcis styring af strålen fluxer
og vækstbetingelser
Nem implementering af in situ
diagnostiske instrumenter
Kompatibilitet med andre højvakuum
tyndfilms forarbejdningsmetoder (metal
fordampning, ionstrålefræsning, ionimplantering)

1-3: MBE-processen:

MBE ProcessMBE Process

2: MOCVD

Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) eller metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) er en kemisk dampaflejring fremgangsmåde til epitaxi ved aflejring atomer på en wafersubstrat.
Princippet MOCVD er ganske enkel: Atomer som du gerne vil være i din krystal kombineres med komplekse organiske gasmolekyler og passeret over en varm wafersubstrat. Varmen bryder op molekylerne og indskud de ønskede atomer på overfladen, lag på lag. Ved at variere sammensætningen af ​​gassen, kan vi ændre egenskaberne af krystallet ved en næsten atomar skala. Den kan blive høj kvalitet halvlederlag og krystalstrukturen af ​​disse lag er perfekt på linie med den for substratet.