Fotomaske

PAM-Xiamen Tilbudfotomasker

En fotomaske er et tyndt lag maskering materiale understøttet af en tykkere substrat, og maskeringen materiale absorberer lys i varierende grad og kan mønstret med en brugerdefineret design. Mønsteret bruges til at modulere lys og overføre mønstret gennem processen med fotolitografi, som er den grundlæggende proces, der anvendes til at bygge næsten alle nutidens digitale enheder.

  • Beskrivelse

Beskrivelse

Foto Mask

PAM-Xiamen Tilbudfotomasker

Fotomask Stor størrelse

Fotomask Middium og lille størrelse

Fotografisk plade

Fotografisk film Bogtryk

Fotografisk film

Chrome fotomaske

Chrom fotomaske blank

Fotolitografi maske

ENfotomaskeer en tynd belægning af maskeringsmateriale understøttet af et tykkere substrat, og maskeringsmaterialet absorberer lys i varierende grad og kan mønstres med et brugerdefineret design. Mønsteret bruges til at modulere lys og overføre mønsteret gennem fotolitografi, som er den grundlæggende proces, der bruges til at opbygge næsten alle nutidens digitale enheder.

Hvad er en fotomaske

En fotomaske er en uigennemsigtig plade med huller eller transparenter, der tillader lys at skinne igennem i et defineret mønster. De bruges ofte i fotolitografi. Litografiskfotomaskerer typisk gennemsigtige smeltede silica-emner dækket med et mønster defineret med en krom metalabsorberende film.fotomasker are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

Maskematerialer - Forskel mellem kvarts og sodakalkglas:

De mest almindelige glastyper til fremstilling af masker er kvarts og sodakalk. Kvarts er dyrere, men har fordelen ved en meget lavere koefficient for termisk ekspansion (hvilket betyder, at den udvides mindre, hvis masken bliver varm under brug) og er også gennemsigtig ved dybere ultraviolette (DUV) bølgelængder, hvor Soda Lime-glas er uigennemsigtigt. Kvarts skal bruges, hvor bølgelængden, der bruges til at eksponere masken, er mindre end eller lig med 365 nm (i-line). En fotolitografimaske er en uigennemsigtig plade eller film med gennemsigtige områder, der tillader lys at skinne igennem i et defineret mønster. De bruges ofte i fotolitografiprocesser, men bruges også i mange andre applikationer af en bred vifte af industrier og teknologier. Det findes forskellige slags masker til forskellige applikationer, nemlig baseret på den nødvendige opløsning.

For flere produktdetaljer bedes du kontakte os på [email protected] eller [email protected]

 

1X Master Mask

1X Master Mask Dimensions og substratmaterialer

Produkt Dimensioner Underlagsmaterialer
1X Master 4 ”X4” X0.060 ”eller 0.090” Kvarts og sodakalk
5 ”X5” X0.090 ” Kvarts og sodakalk
6 ”X6” X0.120 ”eller 0.250” Kvarts og sodakalk
7 ”X7” X0.120 ”eller 0.150” Kvarts og sodakalk
7,25 ”Runde X 0,150” Quartz
9 ”X9” X0.120 ”eller 0.190” Kvarts og sodakalk

 

Almindelige specifikationer for 1X mastermasker (kvartsmateriale)

CD-størrelse CD middel til nominel CD-ensartethed Registrering defekt Størrelse
2,0 um ≤0,25 um ≤0,25 um ≤0,25 um ≥2,0 um
4,0 um ≤0,30 um ≤0,30 um ≤0,30 um ≥3,5 um

 

Almindelig specifikation for 1X mastermasker (sodakalkmateriale)

CD-størrelse CD middel til nominel CD-ensartethed Registrering defekt Størrelse
≤4 um ≤0,25 um ———— ≤0,25 um ≥3,0 um
Um 4 um ≤0,30 um ———— ≤0,45 um ≥5,0 um

 

UT1X maske

UT1X maske dimensioner og substrat materialer

Produkt Dimensioner substrat Materiale
UT1X 3 ″ X5 ″ X0.090 ″ Quartz
5 ″ X5 ″ X0.090 ″ Quartz
6 ″ X6 ″ X0.120 ″ eller 0.250 ″ Quartz

 

Almindelige specifikationer for UT1X-masker

CD-størrelse CD middel til nominel CD-ensartethed Registrering defekt Størrelse
1,5 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≥0,50 um
3,0 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≥0,60 um
4,0 um ≤0,25 um ≤0,25 um ≤0,20 um ≥0,75 um

 

Standard binære masker

Standard binære maske dimensioner og substratmaterialer

Produkt Dimensioner Underlagsmaterialer
2X 6 ″ X 6 ″ X0.250 ″ Quartz
2,5X
4X
5X 5 ″ X5 ″ X0.090 ″ Quartz
6 ″ X6 ″ X0.250 ″ Quartz

 

Almindelige specifikationer for standard binære masker

CD-størrelse CD middel til nominel CD-ensartethed Registrering defekt Størrelse
2,0 um ≤0,10 um ≤0,15 um ≤0,10 um ≥0,50 um
3,0 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≥0,75 um
4,0 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≥1,00 um

 

Masker til mellemstore områder

Dimensioner og materialer til mellemstor maske

Produkt Dimensioner Underlagsmaterialer
1X 9 ″ X9 ″ 0,120 ″ Quartz Soda Lime (både Chrome- og jernoxidabsorbenter fås)
9 ″ X9 ″ 0.190 ″ Quartz

 

Almindelige specifikationer for mellemstore masker (kvartsmateriale)

CD-størrelse CD middel til nominel CD-ensartethed Registrering defekt Størrelse
0,50 um ≤0,20 um ———— ≤0,15 um ≥1,50 um

 

Almindelige specifikationer for mellemstore masker (sodakalkmateriale)

CD-størrelse CD middel til nominel CD-ensartethed Registrering defekt Størrelse
10 um ≤4,0 um ———— ≤4,0 um ≥10 um
4 um ≤2,0 um ———— ≤1,0 um ≥5 um
2,5 um ≤0,5 um ———— ≤0,75 um ≥3 um

Du kan også gerne ...