Wer wir sind

Vor 1990 sind wir der Physik kondensierter Materie Forschungszentrum angegeben besaß. Im Jahr 1990 Zentrum Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) ins Leben gerufen, jetzt ist es ein führender Hersteller von Verbindungshalbleitermaterial in China. PAM-XIAMEN entwickeln fortschrittliches Kristallwachstum und die Epitaxie-Technologien, reicht von den ersten Generation Germanium-Wafer, Arsenid zweiter Generation mit Gallium Substrat Wachstum und Epitaxie auf ...

Warum Uns Wählen

null

Guter Kundendienst

Unser Ziel ist es, alle Ihre Anforderungen zu erfüllen, egal wie kleine Aufträge und wie schwierig Fragen sie, seine nachhaltiges und profitables Wachstum für jeden Kunden durch unsere qualifizierten Produkte und befriedigenden Service aufrecht zu erhalten.
null

25+ Jahre Erfahrungen

Mit mehr als 25 + Jahren Erfahrungen in dem Verbindungshalbleitermaterial Feld und Export-Geschäft, unser Team können Ihnen versichern, dass wir Ihre Anforderungen verstehen und mit Ihrem Projekt professionell beschäftigen.
null

zuverlässige Qualität

Qualität ist unsere erste Priorität. PAM-XIAMEN werden ISO9001: 2008, besitzen und Aktien vier moderne facories, die eine recht große Auswahl an qualifizierten Produkten anbieten können unterschiedliche Anforderungen unserer Kunden gerecht zu werden, und jede Bestellung über unser strenges Qualitätssystem abgewickelt werden muss. Prüfbericht wird für jede Sendung zur Verfügung gestellt, und jeder Wafer ist Garantie.
null

Kostenlose und professionelle Technology Support

Sie können unseren kostenlosen Technologie-Service von der Anfrage bis zum After-Dienst auf Basis unserer 25+ Erfahrungen in der Halbleiterlinie erhalten.
Nach mehr als 20 Jahren der Akkumulation und Entwicklung, hat unser Unternehmen einen offensichtlichen Vorteil in der Technologie Innovation und Talent-Pool.
In Zukunft brauchen wir das Tempo der tatsächlichen Aktion beschleunigen den Kunden bessere Produkte und Dienstleistungen

Doktor Chan - CEO von Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Die weltweit berühmtesten Universitäten und Unternehmen vertrauen uns

Partners

Neueste News

(Invited) Strain Engineered Crack-Free GaN on Si for Integrated Vertical High Power GaN Devices with Si CMOS

The ability to grow thin GaN layers on Si substrates has led to the development of lateral high power [...]

Heteroepitaxial Growth of SiC on Si(100) and (111) by Chemical Vapor Deposition Using Trimethylsilane

Heteroepitaxial growth of 3C‐SiC on Si by chemical vapor deposition has been investigated using the precursor trimethylsilane. To optimize [...]

Top 10 Publikation in der Mikroelektronik und Electronic Packaging von Citation

Top 10 Publication in in Microelectronics & Electronic Packaging by Citation Post: PAM-XIAMEN, date: Jan 13,2020 PAM-XIAMEN has compiled top 10 [...]

Analyse von Spurenmengen von Ge Übertragen auf Si Waferoberflächen während SiGe Wafer Processing

Effects of trace levels of Ge transferred to Si surfaces during thermal processing of SiGe wafers are presented here. [...]

Herstellung und thermische Budget Überlegungen von Advanced Ge und InP SOLES Substrate

The Silicon on Lattice Engineered Substrate (SOLES) platform enables monolithic integration of III-V compound semiconductor (III-V) and silicon (Si) [...]

Selektive Epitaxie von SiC: thermodynamische Analyse der SiC-Cl-H-Cl und SiC-H-O-Systeme

Thermodynamic analysis was conducted to determine the conditions necessary for the selective epitaxial growth (SEG) of SiC on  masked Si [...]

Zweidimensionale Arrays von Nanometer-Maßstab Löchern und Nano V-Nuten in oxidierter Si-Wafer für das selektive Aufwachsen von Ge Punkten oder Ge / Si-Heteronanokristalle

Two-dimensional (2D) arrays of nanometre scale holes were opened in thin SiO2 layers on silicon by electron beam lithography and [...]

2018 TOP 100 US HOCHSCHUL F & E-Ausgaben

2018 TOP 100 US HOCHSCHUL F & E-Ausgaben veröffentlichen von PAM-XIAMEN Datum: Jan 03,2020 Universität ist ein wichtiges Forschungs- und Entwicklungs Thema [...]

faqs