PAM XIAMEN bietet 100-mm-Si-Wafer an. Bitte senden Sie uns eine E-Mail ansales@powerwaywafer.comWenn Sie andere Spezifikationen und Mengen benötigen.
Artikel | Dia | Typ | Dotierstoff | Orie | Res (Ohm-cm) | Dick (ähm) | Polnisch | Klasse | Beschreibung |
PAM2312 | 100mm | P | B | <100> | 0-100 | 500 um | SSP | Test | Der vielseitige 4″ Test-Grade. Einer unserer beliebtesten Artikel! |
PAM2313 | 100mm | P | B | <100> | 0-100 | 500 um | DSP | Test | Doppelseitig polierte Siliziumwafer zu günstigen Preisen! |
PAM2314 | 100mm | N | P | <100> | 0-100 | 500 um | DSP | Test | Doppelseitig polierte Siliziumwafer, Testqualität. |
PAM2315 | 100mm | N | P | <100> | 0-100 | 500 um | SSP | Test | Siliziumwafer, N-Typ, Testqualität. |
PAM2316 | 100mm | P | B | <100> | 43475 | 500 um | DSP | Primzahl | |
PAM2317 | 100mm | P | B | <100> | 43475 | 500 um | SSP | Primzahl | |
PAM2318 | 100mm | P | B | <100> | 0,001 – 0,005 | 525um | SSP | Primzahl | Entartete dotierte Si-Wafer. |
PAM2319 | 100mm | N | P | <100> | 43475 | 500 um | SSP | Primzahl | |
PAM2320 | 100mm | N | P | <100> | 43475 | 525um | DSP | Primzahl | |
PAM2321 | 100mm | N | Als | <100> | .001-.005 | 500 um | SSP | Primzahl | Entartet dotiertes Silizium. Auch doppelseitig polierte Wafer erhältlich. |
PAM2322 | 100mm | P | B | <100> | 43595 | 380 um | SSP | ||
PAM2323 | 100mm | P | B | <100> | 43758 | 500 um | DSP | Primzahl | |
PAM2324 | 100mm | P | B | <100> | 43758 | 500 um | SSP | Primzahl | |
PAM2325 | 100mm | IRGENDEIN | IRGENDEIN | IRGENDEIN | >500um | SSP | MECH | MECHANISCHE QUALITÄT, SCHLECHTE QUALITÄT. | |
PAM2326 | 100mm | N | P | <100> | 10-9999 | 240-260 um | E/E | ||
PAM2327 | 100mm | P | B | <100> | 10-9999 | 240-260 um | E/E | ||
PAM2328 | 100mm | P | B | <100> | 43485 | 1000 um | SSP | Primzahl | |
PAM2329 | 100mm | P | B | <100> | 0.01-0.02 | 525um | SSP | Primzahl | Primär flach SEMI (011) +/- 1 Grad, 30-35 mm Sekundär flach SEMI 90 +/-5 Grad, 16-20 mm |
PAM2330 | 100mm | P | B | <100> | 43485 | 200 um | DSP | ||
PAM2331 | 100mm | P | B | <100> | 43595 | 525um | SSP | Test | TTV<15um |
Artikel | Material | Orient. | Durchm (Mm) |
Dick (μm) |
Surfen. | Widerstand Ωcm |
Kommentar |
PAM2332 | N/Ph | [100] | 100mm | 470 um | DSP | FZ >1.000 | Kaufen Sie nur eins online |
PAM2333 | P/Bor | [100] | 100mm | 200 um | DSP | FZ >1000 | |
PAM2334 | undotierte | [100] | 100mm | 500 um | SSP | FZ >10.000 | Erstklassige Lebensdauer >1.200 us, Oberflächenrauheit <5A |
PAM2335 | undotierte | [100] | 100mm | 500 um | DSP | FZ >5000 | |
PAM2336 | Intrinsisches Si:- | [100] | 100mm | 500 um | DSP | FZ >20.000 | Prime-Klasse |
PAM2337 | Ns b | [100] | 100mm | 625 | SSP | 0.01-0.02 | 2 SEMI Wohnungen |
PAM2338 | Si:B vom p-Typ | [110] ±0,5° | 4 " | 500 | P / E | FZ >10.000 | Prime, 2Flats, Empak cst, TTV<5μm |
PAM2339 | Si:B vom p-Typ | [110] ±0,5° | 4 " | 200 | P / P | FZ 1–2 | SEMI Prime, 2Flats, Empak cst |
PAM2340 | Si:B vom p-Typ | [110] ±0,5° | 4 " | 200 | P / P | FZ 1–2 | Prime, 2Flats, Empak cst |
PAM2341 | Si:B vom p-Typ | [110] ±0,5° | 4 " | 200 | P / P | FZ 1–2 | SEMI Prime, 2Flats, Empak cst, Extra 8 zerkratzte Wafer in Kassette kostenlos |
PAM2342 | Si:B vom p-Typ | [100] | 4 " | 220 ±10 | P / E | FZ >10.000 | SEMI Prime, 1Flat, Empak cst |
PAM2343 | Si:B vom p-Typ | [100] | 4 " | 230 ±10 | P / E | FZ >10.000 | SEMI Prime, 1Flat, Empak cst |
PAM2344 | Si:B vom p-Typ | [100–4° in Richtung[110]] ±0,5° | 4 " | 525 | P / E | FZ >2.000 | SEMI Prime, Empak cst, TTV<5μm |
PAM2345 | Si:B vom p-Typ | [100] | 4 " | 420 | C/C | FZ850–900 | SEMI Prime, 2Flats, Empak cst |
PAM2346 | Si:B vom p-Typ | [100] | 4 " | 250 | P / P | FZ 1–3 {0,97–1,01} | SEMI Prime, 2Flats, Empak cst, MCC-Lebensdauer >1.000 μs. |
PAM2347 | Si:B vom p-Typ | [100–6,0° in Richtung[111]] ±0,5° | 4 " | 350 | P / P | FZ 1–10 | SEMI Prime, 2Flats, Empak cst |
PAM2348 | Si:B vom p-Typ | [100] | 4 " | 500 | P / P | FZ 1–5 | SEMI Prime, 2Flats, Empak cst |
PAM2349 | Si:B vom p-Typ | [111] ±0,5° | 4 " | 400 ±15 | P / E | FZ >20.000 | SEMI Prime, 1Flat, Empak cst, TTV<5μm, Lebensdauer>1.000μs |
PAM2350 | Si:B vom p-Typ | [111] ±0,5° | 4 " | 397 | P / E | FZ 10.000–15.000 | SEMI Prime, Rückseite ACID geätzt, Empak cst |
PAM2351 | Si:P vom n-Typ | [110] ±0,5° | 4 " | 500 | P / P | FZ >9.600 | SEMI Prime, 2Flats – Primär @ <111>±0,5° – Kante ungerundet, Sekundär @ <111>. 70,5° CCW von Primary, Empak cst, Lebensdauer >6.000 μs |
PAM2352 | Si:P vom n-Typ | [110] ±0,5° | 4 " | 500 | P / P | FZ 5.000–15.000 | SEMI Prime, 2Flats – Primär @ <111>±0,5° – Kante ungerundet, Sekundär @ <111>. 70,5° CCW von Primary, in Empak-Kassette Lebensdauer >6.000 μs |
PAM2353 | Si:P vom n-Typ | [110] ±0,5° | 4 " | 500 | P / P | FZ 5.000–15.000 | SEMI Prime, 2Flats – Primär @ <111>±0,5°, Sekundär @ <111>. 70,5° CCW von Primary, in Empak cst, 3 Wafer mit kleineren Kantenausbrüchen, Lebensdauer >6.000 μs |
PAM2354 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 400 ±10 | P / P | FZ 6.000–8.000 | SEMI Prime, 2Flats, Empak cst, TTV<5μm |
PAM2355 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 200 ±10 | P / P | FZ >5.000 | SEMI TEST (Kratzer und Defekte auf der Rückseite), 1Flat, Ox<1E16/cc, C<1E16/cc, Lifetime>1.050μs, Empak cst |
PAM2356 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 380 | P / E | FZ 5.000–10.000 | SEMI Prime, 1Flat, Lebensdauer >1.000 μs, in Empak-Kassetten mit 2 Wafern |
PAM2357 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 425 | C/C | FZ >5.000 | 2Flats (Flats vom p–Typ auf Wafern vom n–Typ), Empak cst |
PAM2358 | Si:P vom n-Typ | [100–1,5° in Richtung[110]] ±0,5° | 4 " | 525 | P / E | FZ >5.000 | SEMI Prime, 2Flats, Lebensdauer>980μs, in Empak |
PAM2359 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 500 | G/G | FZ 4.300–6.300 | SEMI, 2Flats, Lebensdauer >1.000μs, beidseitig geschliffen, Empak cst |
PAM2360 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 525 | P / E | FZ 4.200–8.000 | SEMI TEST (Bad Surface & Chips), Lebensdauer >1.400 μs, 1Flat, in Empak-Kassetten mit 6, 7 und 7 Wafern |
PAM2361 | Si:P vom n-Typ | [100] ±0,2° | 4 " | 380 ±10 | P / E | FZ >3.500 | SEMI TEST (in geöffneter Empak cst), 1 Flat |
PAM2362 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 400 ±10 | P / P | FZ 3.100–6.800 | SEMI Prime, 2Flats, TTV<5μm |
PAM2363 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 200 | P / P | FZ >3.000 | SEMI Prime, 1Flat, Empak cst, MCC-Lebensdauer > 1.000 μs, |
PAM2364 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 400 | P / E | FZ 2.000–6.500 | SEMI Prime, 2Flats, Empak cst, Lebensdauer >1.000 μs |
PAM2365 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 400 | P / E | FZ 2.000–6.500 | SEMI, 2Flats, Empak cst |
PAM2366 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 915 ±10 | E/E | FZ 2.000–3.000 | 1Wohnung bei [100], Empak cst |
PAM2367 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 300 | L / L. | FZ 1.100–1.600 | SEMI, 1Flat, Empak cst |
PAM2368 | Si:P vom n-Typ | [100] ±1° | 4 " | 200 ±10 | P / P | FZ >1.000 | SEMI Prime, 1Flat, TTV<1μm, in Empak cst |
PAM2369 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 200 ±10 | GEBROCHEN | FZ 800–1.500 | Gebrochene P/E-Wafer, in Stücken verschiedener Größe, Lebensdauer >1.000 μs |
PAM2370 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 300 | L / L. | FZ 800–1.500 | SEMI, 1Flat, Empak cst |
PAM2371 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 300 | L / L. | FZ 800–1.500 | SEMI, 1Flat, Empak cst |
PAM2372 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 500 | P / P | FZ 400–1.000 | SEMI Prime, 1Flat, Empak cst, TTV<5μm |
PAM2373 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 500 | P / P | FZ 198–200 | SEMI Prime, 1Flat, Empak cst |
PAM2374 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 500 | P / P | FZ50–70 | SEMI Prime, 1Flat, Empak cst |
PAM2375 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 570 ±10 | E/E | FZ50–70 | SEMI Prime, 1Flat, Empak cst, Lebensdauer >1.200 μs. |
PAM2376 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 300 | P / P | FZ 1,2–2,0 | SEMI Prime, 2Flats, MCC Lifetime (370–420)μs, Empak cst |
PAM2377 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 300 | P / P | FZ 1,2–2,0 | SEMI Prime, 2Flats, MCC Lifetime (370–420)μs, Empak cst |
PAM2378 | Si:P vom n-Typ | [100–6°] ±0,5° | 4 " | 350 | P / P | FZ 1–10 | SEMI Prime, 2Flats, Empak cst |
PAM2379 | Si:P vom n-Typ | [100] | 4 " | 525 | P / P | FZ 1–5 | SEMI Prime, 2Flats, Empak cst |
PAM2380 | Si:P vom n-Typ | [100–4° in Richtung[111]] ±0,5° | 4 " | 525 | P / E | FZ 1–10 {3,2–4,0} | SEMI Prime, 2Flats, Lebensdauer: ~500μs, in Empak-Kassetten mit 5 Wafern |
PAM2381 | Si:P vom n-Typ | [111] ±0,5° | 4 " | 500 | P / E | FZ 10.000–15.000 | SEMI Prime, 1Flat, Empak cst, TTV<5μm |
PAM2382 | Si:P vom n-Typ | [111] ±0,25° | 4 " | 675 | P / E | FZ 10.000–20.000 | SEMI TEST (Leichte Kratzer), 1Flat, Lifetime>1.000μs, Empak cst, |
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website:https://www.powerwaywafer.com,
senden Sie uns eine E-Mail ansales@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) wurde 1990 gegründet und ist ein führender Hersteller von Halbleitermaterialien in China. PAM-XIAMEN entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsverfahren, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. PAM-XIAMEN's Technologien ermöglichen eine leistungsfähigere und kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern.
Sie können unseren kostenlosen Technologieservice von der Anfrage bis zum Kundendienst erhalten, basierend auf unseren über 25 Erfahrungen in der Halbleiterfertigung.