100 mm (4 Zoll) Siliziumwafer-1

100 mm (4 Zoll) Siliziumwafer-1

PAM XIAMEN bietet 100-mm-Si-Wafer an. Bitte senden Sie uns eine E-Mail ansales@powerwaywafer.comWenn Sie andere Spezifikationen und Mengen benötigen.

Artikel Dia Typ Dotierstoff Orie Res (Ohm-cm) Dick (ähm) Polnisch Klasse Beschreibung
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PAM2316 100mm P B <100> 43475 500 um DSP Primzahl
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PAM2318 100mm P B <100> 0,001 – 0,005 525um SSP Primzahl Entartete dotierte Si-Wafer.
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PAM2320 100mm N P <100> 43475 525um DSP Primzahl
PAM2321 100mm N Als <100> .001-.005 500 um SSP Primzahl Entartet dotiertes Silizium. Auch doppelseitig polierte Wafer erhältlich.
PAM2322 100mm P B <100> 43595 380 um SSP
PAM2323 100mm P B <100> 43758 500 um DSP Primzahl
PAM2324 100mm P B <100> 43758 500 um SSP Primzahl
PAM2325 100mm IRGENDEIN IRGENDEIN IRGENDEIN >500um SSP MECH MECHANISCHE QUALITÄT, SCHLECHTE QUALITÄT.
PAM2326 100mm N P <100> 10-9999 240-260 um E/E
PAM2327 100mm P B <100> 10-9999 240-260 um E/E
PAM2328 100mm P B <100> 43485 1000 um SSP Primzahl
PAM2329 100mm P B <100> 0.01-0.02 525um SSP Primzahl Primär flach SEMI (011) +/- 1 Grad, 30-35 mm Sekundär flach SEMI 90 +/-5 Grad, 16-20 mm
PAM2330 100mm P B <100> 43485 200 um DSP
PAM2331 100mm P B <100> 43595 525um SSP Test TTV<15um

 

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PAM2342 Si:B vom p-Typ [100] 4 " 220 ±10 P / E FZ >10.000 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst
PAM2343 Si:B vom p-Typ [100] 4 " 230 ±10 P / E FZ >10.000 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst
PAM2344 Si:B vom p-Typ [100–4° in Richtung[110]] ±0,5° 4 " 525 P / E FZ >2.000 SEMI Prime, Empak cst, TTV<5μm
PAM2345 Si:B vom p-Typ [100] 4 " 420 C/C FZ850–900 SEMI Prime, 2Flats, Empak cst
PAM2346 Si:B vom p-Typ [100] 4 " 250 P / P FZ 1–3 {0,97–1,01} SEMI Prime, 2Flats, Empak cst, MCC-Lebensdauer >1.000 μs.
PAM2347 Si:B vom p-Typ [100–6,0° in Richtung[111]] ±0,5° 4 " 350 P / P FZ 1–10 SEMI Prime, 2Flats, Empak cst
PAM2348 Si:B vom p-Typ [100] 4 " 500 P / P FZ 1–5 SEMI Prime, 2Flats, Empak cst
PAM2349 Si:B vom p-Typ [111] ±0,5° 4 " 400 ±15 P / E FZ >20.000 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst, TTV<5μm, Lebensdauer>1.000μs
PAM2350 Si:B vom p-Typ [111] ±0,5° 4 " 397 P / E FZ 10.000–15.000 SEMI Prime, Rückseite ACID geätzt, Empak cst
PAM2351 Si:P vom n-Typ [110] ±0,5° 4 " 500 P / P FZ >9.600 SEMI Prime, 2Flats – Primär @ <111>±0,5° – Kante ungerundet, Sekundär @ <111>. 70,5° CCW von Primary, Empak cst, Lebensdauer >6.000 μs
PAM2352 Si:P vom n-Typ [110] ±0,5° 4 " 500 P / P FZ 5.000–15.000 SEMI Prime, 2Flats – Primär @ <111>±0,5° – Kante ungerundet, Sekundär @ <111>. 70,5° CCW von Primary, in Empak-Kassette Lebensdauer >6.000 μs
PAM2353 Si:P vom n-Typ [110] ±0,5° 4 " 500 P / P FZ 5.000–15.000 SEMI Prime, 2Flats – Primär @ <111>±0,5°, Sekundär @ <111>. 70,5° CCW von Primary, in Empak cst, 3 Wafer mit kleineren Kantenausbrüchen, Lebensdauer >6.000 μs
PAM2354 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 400 ±10 P / P FZ 6.000–8.000 SEMI Prime, 2Flats, Empak cst, TTV<5μm
PAM2355 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 200 ±10 P / P FZ >5.000 SEMI TEST (Kratzer und Defekte auf der Rückseite), 1Flat, Ox<1E16/cc, C<1E16/cc, Lifetime>1.050μs, Empak cst
PAM2356 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 380 P / E FZ 5.000–10.000 SEMI Prime, 1Flat, Lebensdauer >1.000 μs, in Empak-Kassetten mit 2 Wafern
PAM2357 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 425 C/C FZ >5.000 2Flats (Flats vom p–Typ auf Wafern vom n–Typ), Empak cst
PAM2358 Si:P vom n-Typ [100–1,5° in Richtung[110]] ±0,5° 4 " 525 P / E FZ >5.000 SEMI Prime, 2Flats, Lebensdauer>980μs, in Empak
PAM2359 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 500 G/G FZ 4.300–6.300 SEMI, 2Flats, Lebensdauer >1.000μs, beidseitig geschliffen, Empak cst
PAM2360 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 525 P / E FZ 4.200–8.000 SEMI TEST (Bad Surface & Chips), Lebensdauer >1.400 μs, 1Flat, in Empak-Kassetten mit 6, 7 und 7 Wafern
PAM2361 Si:P vom n-Typ [100] ±0,2° 4 " 380 ±10 P / E FZ >3.500 SEMI TEST (in geöffneter Empak cst), 1 Flat
PAM2362 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 400 ±10 P / P FZ 3.100–6.800 SEMI Prime, 2Flats, TTV<5μm
PAM2363 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 200 P / P FZ >3.000 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst, MCC-Lebensdauer > 1.000 μs,
PAM2364 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 400 P / E FZ 2.000–6.500 SEMI Prime, 2Flats, Empak cst, Lebensdauer >1.000 μs
PAM2365 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 400 P / E FZ 2.000–6.500 SEMI, 2Flats, Empak cst
PAM2366 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 915 ±10 E/E FZ 2.000–3.000 1Wohnung bei [100], Empak cst
PAM2367 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 300 L / L. FZ 1.100–1.600 SEMI, 1Flat, Empak cst
PAM2368 Si:P vom n-Typ [100] ±1° 4 " 200 ±10 P / P FZ >1.000 SEMI Prime, 1Flat, TTV<1μm, in Empak cst
PAM2369 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 200 ±10 GEBROCHEN FZ 800–1.500 Gebrochene P/E-Wafer, in Stücken verschiedener Größe, Lebensdauer >1.000 μs
PAM2370 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 300 L / L. FZ 800–1.500 SEMI, 1Flat, Empak cst
PAM2371 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 300 L / L. FZ 800–1.500 SEMI, 1Flat, Empak cst
PAM2372 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 500 P / P FZ 400–1.000 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst, TTV<5μm
PAM2373 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 500 P / P FZ 198–200 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst
PAM2374 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 500 P / P FZ50–70 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst
PAM2375 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 570 ±10 E/E FZ50–70 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst, Lebensdauer >1.200 μs.
PAM2376 Si:P vom n-Typ [100] 4 " 300 P / P FZ 1,2–2,0 SEMI Prime, 2Flats, MCC Lifetime (370–420)μs, Empak cst
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PAM2378 Si:P vom n-Typ [100–6°] ±0,5° 4 " 350 P / P FZ 1–10 SEMI Prime, 2Flats, Empak cst
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PAM2380 Si:P vom n-Typ [100–4° in Richtung[111]] ±0,5° 4 " 525 P / E FZ 1–10 {3,2–4,0} SEMI Prime, 2Flats, Lebensdauer: ~500μs, in Empak-Kassetten mit 5 Wafern
PAM2381 Si:P vom n-Typ [111] ±0,5° 4 " 500 P / E FZ 10.000–15.000 SEMI Prime, 1Flat, Empak cst, TTV<5μm
PAM2382 Si:P vom n-Typ [111] ±0,25° 4 " 675 P / E FZ 10.000–20.000 SEMI TEST (Leichte Kratzer), 1Flat, Lifetime>1.000μs, Empak cst,

 

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website:https://www.powerwaywafer.com,
senden Sie uns eine E-Mail ansales@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) wurde 1990 gegründet und ist ein führender Hersteller von Halbleitermaterialien in China. PAM-XIAMEN entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsverfahren, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. PAM-XIAMEN's Technologien ermöglichen eine leistungsfähigere und kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern.

Sie können unseren kostenlosen Technologieservice von der Anfrage bis zum Kundendienst erhalten, basierend auf unseren über 25 Erfahrungen in der Halbleiterfertigung.

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