PAM-XIAMEN bietet 650-V-GaN-FETs-Chips für schnelles Laden. Auf dem aktuellen Markt,Galliumnitrid-Schnellladequellenverwenden hauptsächlich 650-V-GaN-Chips (GaN-FETs) als Leistungsschalter, und die Hochfrequenzeigenschaften von Galliumnitrid werden verwendet, um Terminal-Schnellladeprodukte kleiner und effizienter zu machen.
Die Galliumnitrid(GaN)-FETs der Serie PAM65D150DNBI-TS mit 650 V und 150 mΩ sind selbstleitende Bauelemente. Der GaN-Chip von PAM-XIAMEN bietet eine bessere Effizienz durch niedrigere Gate-Ladung, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und eine kleinere Sperrverzögerungsladung, was erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Silizium(Si)-Bauteilen bietet. PAM-XIAMEN ist einer der führenden Hersteller von GaN-Chips mit Weltklasse-Innovationen.
1. Parameter des 650-V-GaN-FETs-Chips
| Symbol | Parameter | Grenzwert | Einheit |
| RθJC | Junction-to-case | 1.3 | °C/W |
1.1 Absolut Maximal Nennwerte von 650 V GaN FETs Chip (TC=25°C sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Grenzwert | Einheit | |
| VDSS | Drain-Source-Spannung | 650 | V | |
| VDSS | Gate-Source-Spannung | 一25~+2 | ||
| Identifikation | Kontinuierlicher Drainstrom @TC=25°C | 15 | A | |
| Kontinuierlicher Drainstrom @TC=100°C | 10 | |||
| IDM | Puls-Drain-Strom | 65 | A | |
| PD | Maximale Verlustleistung @ TC=25°C | 65 | W | |
| TC | Betriebstemperatur | Fall | £55~150 | ° C |
| TJ | Kreuzung | 55~175 | ° C | |
| TS | Lagertemperatur | £55~150 | ° C | |
obenBoden
1.2 Elektrische Parameter von 650 VGaN ChipSet (TJ=25°C sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Min | Typ | Max | Einheit | Test-Bedingungen |
| Eigenschaften des Weiterleitungsgeräts | ||||||
| V(BL)DSs | Drain-Source-Spannung | — | 650 | — | v | Vcs=-25V |
| Vasth) | Gate-Schwellenspannung | — | -18 | — | v | VDs=Vas,IDs=luA |
| RDS(ein) | Drain-Source-Einschaltwiderstand | — | 150 | 180 | mQ | Vcs=OV,ID-10A |
| — | — | — | VGs=OV, ID-10A,TJ=150°C | |||
| lDss | Drain-to-Source-Leckage Strom |
— | — | 3 | uA | UDs=650V, VGs=-25V |
| — | — | 30 | UDs=400V, VGs=-25V, T=150'c |
|||
| Mädel | Gate-to-Source-Weiterleitung Leckstrom |
— | 3.7 | 100 | n / a | VGs=2V |
| Gate-to-Source-Umkehrung Leckstrom |
— | -3.5 | -100 | VGS=-25V | ||
| CIss | Eingangskapazität | — | 650 | — | pF | vGs=-25V,VDS=300V,f=1MHz |
| Kosten | Ausgangskapazität | — | 40 | — | ||
| CRSS | Sperrkapazität | — | 10 | — | ||
| QG | Gesamte Gate-Gebühr | — | 9 | — | nC | VDS=200V,VGS=-25V bis ov, ichD=10A |
| QGS | Gate-Source-Ladung | — | 2 | — | ||
| QGD | Gate-Drain-Ladung | — | 7 | — | ||
| tn | Reverse-Recovery-Zeit | — | 4 | — | ns | Is=0A bis 11A,VDD=400V di/dt=1000A/uS |
| Q. | Reverse-Recovery-Gebühr | — | 17 | — | nC | — |
| TIX(ein) | Einschaltverzögerung | — | 0.5 | — | — | VDs=200VVG=-25V bis ov, ID=10A |
| tR | Aufstehzeit | — | 9 | — | ||
| tD(aus) | Ausschaltverzögerung | — | 0.5 | — | ||
| tF | Abfallzeit | — | 10 | — | ||
| Umgekehrte Geräteeigenschaften | ||||||
| VSD | Sperrspannung | — | 7 | — | v | VGS=-25V,Is=10A,Tc=25′ C |
1.3 Typische Eigenschaften von 650 V GaNLadegerät Chip (TJ=25°C sofern nicht anders angegeben)
1.4 Testschaltung und Wellenformen von 650 V GaNMacht Chip
1,5 PAKETABMESSUNGEN von 650 VGaN-Chip
| ARTIKEL | Ich.ow 1mit (Mm) |
Zentrum (Mm) |
Oberer, höher 1mit (Mm) |
| A | 0.80 | — | 1.00 |
| A1 | 0 | — | 0.05 |
| A2 | 0.15 | 0.25 | 0.35 |
| b | 0.9 | 1 | 1.1 |
| D | 7.9 | 8 | 8.1 |
| D1 | 6.9 | 7 | 7.1 |
| D2 | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
| D3 | 7.1 | 7.2 | 7.3 |
| D4 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E | 7.9 | 8 | 8.1 |
| E1 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E2 | 4.25 | 4.35 | 4.45 |
| E3 | 2.65 | 2.75 | 2.85 |
| e | 1.9 | — | 2.1 |
| L | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
2. Allgemeine Merkmale von 650-V-GaNMacht FETs
Einfache Ansteuerung – kompatibel mit Standard-Gate-Treibern
Geringe Leitungs- und Schaltverluste
Niedriger Qrr von 17 nC – keine Freilaufdiode
erforderlich
RoHS-konform und halogenfrei
3. Automotive mit 650-V-GaN-FETs-Chip
Schnellladegerät
Erneuerbare Energie
Telekommunikation und Datenkommunikation
Servomotor
Industriell
Automotive
4. Vorteile des 650-V-GaN-Chips
Effizienzsteigerung durch schnelles Schalten
Erhöhte Leistungsdichte
Reduzierte Systemgröße und -gewicht
Als Vertreter der dritten Generation von Halbleitermaterialien ist die Ausgangsleistung von GaN-Chips bei Verwendung von Galliumnitrid in Schnellladegeräten dreimal so hoch wie bei herkömmlichen Materialien bei gleicher Größe. Die GaN-FET-Technologie definiert den Standard für das schnelle Aufladen von Mobiltelefonen neu. Auch die Halbleiterindustrie der dritten Generation leitet durch die Anwendung von Galliumnitrid neue Entwicklungen ein.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.comundpowerwaymaterial@gmail.com