AlGaInP-Epi-Wafer
1.Spezifikationen von AlGaInP-Wafern auf Chips
| Parameter | Voraussetzung | Minute | Typ. | Max. | Einheit |
| Durchlassspannung (Vf1) | Wenn = 10μA | 1.35 | ﹎ | ﹎ | V. |
| Durchlassspannung (Vf2) | Wenn = 20mA | ﹎ | ﹎ | 2.2 | V. |
| Sperrspannung (Lr) | Vr = 10 V. | ﹎ | ﹎ | 2 | μA |
| Dominante Wellenlänge (λｄ) | Wenn = 20mA | 565 | ﹎ | 575 | nm |
| FWHM （Δλ） | Wenn = 20mA | ﹎ | 10 | ﹎ | nm |
| Code | LC | LD | LE | LF | LG | LH | LI |
| IV (mcd) | 20-30 | 25-35 | 30-35 | 35-50 | 40-60 | 50-70 | 60-80 |
2. Bandlücke von gespanntem AlGaInP auf GaAs-Substrat
Bandparameter für III-V-Verbindungshalbleiter und ihre Legierungen
I. Vurgaftman, JR Meyer, LR Ram-Mohan
J. Appl. Physik. 89 (11), 5815 (2001)
| 1) AlP | auf Zug gespannt | in Bezug auf GaAs |
| 2) GaP | auf Zug gespannt | in Bezug auf GaAs |
| 3) InP | kompressiv gespannt | in Bezug auf GaAs |
| 4)AlxGa1-xP | auf Zug gespannt | in Bezug auf GaAs |
| 5)GaxIn1-xP | angespannt | in Bezug auf GaAs |
| 6)AlxIn1-xP | angespannt | in Bezug auf GaAs |
| 7)Al0.4Ga0.6P | auf Zug gespannt | in Bezug auf GaAs |
| 8) Ga0.4In0.6P | kompressiv gespannt | in Bezug auf GaAs |
| 9)Al0.4In0.6P | kompressiv gespannt | in Bezug auf GaAs |
| Jede Materialschicht hat in der Simulation eine Länge von 10 nm. | ||
| Die Materialschichten 4), 5) und 6) variieren ihre Legierungsgehalte linear: | ||
| 4)AlxGa1-xP von 10 nm bis 20 nm von x=0,0 bis x=1,0 | ||
| 5)GaxIn1-xP von 30 nm bis 40 nm von x=0,0 bis x=1,0 | ||
| 6)AlxIn1-xP von 50 nm bis 60 nm von x=1,0 bis x=0,0 | ||
3. Informationen zur AlGaInP/InGaP-Struktur
Da quartäre InGaAlP-Materialien eine große direkte Bandlücke aufweisen können, können sie durch Anpassung der Zusammensetzung von In, Al und Ga mit hochwertigen und kostengünstigen GaAs-Dünnfilmen gitterangepasst werden. Der Lichtemissionsbereich der Epitaxiestruktur kann rote, orange, gelbe und gelbgrüne Bänder abdecken. Somit hat der 650-nm-Rotlaser in der sichtbaren lichtemittierenden Diode ein breites Anwendungsspektrum.
Quartäre AlGaInP-Verbindungsmaterialien werden zum Züchten von epitaktischen GaAs-Wafern verwendet, die weit verbreitet in rotlichtemittierenden Dioden und Halbleiterlasern mit hoher Helligkeit eingesetzt werden und sich zum Hauptmaterial für rotlichtemittierende Geräte entwickelt haben. Die Leitungsbandordnung von AlGaInP/GaInP-Heteroübergängen ist sehr klein, mit einem Maximalwert von etwa 270 meV, was kleiner ist als der von 350 meV AlGaAs-Materialien. Die elektronische Barriere ist relativ niedrig und es entsteht ein Leckstrom. Der Schwellenstrom des laserbasierten GaAs-Epitaxiewafers wird erhöht, was bei Hochtemperatur- und Hochstrombetrieb deutlicher zu erkennen ist. Die AlGaInP-Schicht verteilt sich in der Legierung und der thermische Widerstand ist viel höher als der von AlGaAs. Die überschüssige Wärme verursacht die Übergangstemperatur und die Oberflächentemperatur des Hohlraums. Daher ist die charakteristische Temperatur des AlGaInP-Lasers niedriger und die elektrooptische Umwandlungseffizienz wird im Dauerbetrieb geringer und es wird mehr Wärme erzeugt.
4. Brechungsindex von AlGaInP
Quelle:PAM-XIAMEN
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter[email protected] und [email protected].