GaAs Epiwafer
PAM-XIAMEN stellt verschiedene Arten von Epi-Wafer III-V-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien auf der Basis von Ga, Al, In, As und P her, die durch MBE oder MOCVD gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische GaAs-Epiwafer-Strukturen, um Kundenspezifikationen zu erfüllen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
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Produktbeschreibung
GaAs Epi-Wafer
Als führende GaAs-Epi-Wafer-Gießerei fertigt PAM-XIAMEN verschiedene Arten von III-V-Epiwafer-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien auf der Basis von Ga, Al, In, As und P, die durch MBE oder MOCVD gezüchtet werden und ein niedriges Galliumarsenid ergeben Epi-Wafer-Defekt. Wir liefern kundenspezifische GaAs-Epiwafer-Strukturen nach Kundenspezifikation, bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
Wir haben Zahlen der Vereinigten Staaten Veeco GEN2000, GEN200 Großserienproduktion von Epitaxie-Ausrüstung Produktionslinie, vollständige Reihe von XRD; PL-Mapping; Surfacescan und andere erstklassige Analyse- und Testgeräte. Das Unternehmen verfügt über mehr als 12.000 Quadratmeter unterstützende Anlagen, darunter hochreine Halbleiter von Weltklasse und eine damit verbundene Forschung und Entwicklung der jüngeren Generation sauberer Laboreinrichtungen.
Spezifikation für alle neuen und vorgestellten Produkte von MBE III-V-Verbindungshalbleiter-Epitaxialwafern:
Substratmaterial | Materialfähigkeit | Anwendung |
GaAs | Niedertemperatur-GaAs | THz |
GaAs | GaAs / GaAlAs / GaAs / GaAs | Schottky Diode |
InP | InGaAs | PIN-Detektor |
InP | InP / InP / InGaAsP / InP / InGaAs | Laser |
GaAs | GaAs / AlAs / GaAs | |
InP | InP / InAsP / InGaAs / InAsP | |
GaAs | GaAs / InGaAsN / AlGaAs | |
/ GaAs / AlGaAs | ||
InP | InP / InGaAs / InP | Fotodetektoren |
InP | InP / InGaAs / InP | |
InP | InP / InGaAs | |
GaAs | GaAs / InGaP / GaAs / AlInP | Solarzelle |
/ InGaP / AlInP / InGaP / AlInP | ||
GaAs | GaAs / GaInP / GaInAs / GaAs / AlGaAs / GalnP / GalnAs | Solarzelle |
/ GalnP / GaAs / AlGaAs / AllnP / GalnP / AllnP / GalnAs | ||
InP | InP / GaInP | |
GaAs | GaAs / AlInP | |
GaAs | GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs | 703nm Laser |
GaAs | GaAs / AlGaAs / GaAs | |
GaAs | GaAs / AlGaAs / GaAs / AlGaAs / GaAs | HEMT |
GaAs | GaAs / AlAs / GaAs / AlAs / GaAs | mHEMT |
GaAs | GaAs / DBR / AlGaInP / MQW / AlGaInP / GaP | LED-Wafer, Festkörperbeleuchtung |
GaAs | GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 635 nm, 660 nm, 808 nm, 780 nm, 785 nm, |
/ GaAsP / GaAs / GaAs-Substrat | 950 nm, 1300 nm, 1550 nm Laser | |
GaSb | AlSb / GaInSb / InAs | IR-Detektor, PIN, Sensorik, IR-Cemera |
Silizium | InP oder GaAs auf Silizium | Hochgeschwindigkeits-IC / Mikroprozessoren |
InSb | Beryllium dotiertes InSb | |
/ undotiertes InSb / Te dotiertes InSb / |
Galliumarsenid ist derzeit eines der wichtigsten Verbindungshalbleitermaterialien mit der am weitesten ausgereiften Epi-Wafer-Technologie. GaAs-Material hat die Eigenschaften einer großen verbotenen Bandbreite, einer hohen Elektronenmobilität, einer direkten Bandlücke und einer hohen Lichtausbeute. Aufgrund all dieser Vorteile von Epi-Wafern ist die GaAs-Epitaxie derzeit das wichtigste Material, das im Bereich der Optoelektronik verwendet wird. Mittlerweile ist es auch ein wichtiges mikroelektronisches Material. Entsprechend dem Unterschied in der elektrischen Leitfähigkeit können GaAs-Epi-Wafermaterialien in halbisolierendes (SI) GaAs und halbleitendes (SC) GaAs unterteilt werden.
Im Bereich Epitaxie-Wafer ist der Epi-Wafer-Marktanteil von HF- und Laseranwendungen sehr groß.
Für weitere Detailspezifikationen lesen Sie bitte Folgendes:
LT-GaAs-Epi-Schicht auf GaAs-Substrat
LT GaAs Thin Film for Photodetectors and Photomixers
Bei niedriger Temperatur gewachsenes InGaAs
GaAs-Schottky-Dioden-Epitaxiewafer
InGaAs / InP-Epi-Wafer für PIN
InGaAsP / InGaAs auf InP-Substraten
InGaAs APD-Wafer mit hoher Leistung
InGaAsN epitaktisch auf GaAs oder InP-Wafern
Struktur für InGaAs-Fotodetektoren
AlGaP / GaAs-Epi-Wafer für Solarzellen
Solar Cell Structure Epitaxially Grown on InP Wafer
Wachstum von GaAsSb/InGaAs-Typ-II-Übergittern
Schichtstruktur des 703nm Lasers
AlGaAs/GaAs-PIN-Epitaxialwafer
1550nm GaInAsP / InP PIN Photodiode Structure
GaAs / AlGaAs / GaAs-Epi-Wafer
Nun listen wir einige Spezifikationen auf:
GaAs HEMT-Epiwafer, Größe: 2~6 Zoll | ||
Artikel | Technische Daten | Anmerkung |
Parameter | Al Zusammensetzung / In Zusammensetzung / Blattbeständigkeit | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
Hallenmobilität / 2DEG-Konzentration | ||
Messtechnik | Röntgenbeugung / Wirbelstrom | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
Berührungslose Halle | ||
Typisches Ventil | Nahtabhängig | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
5000 ~ 6500 cm² / V · S / 0,5 ~ 1,0 × 1012 cm² | ||
Standardtoleranz | ± 0,01 / ± 3% / keine | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
GaAs (Galliumarsenid) pHEMT-Epiwafer, Größe: 2 ~ 6 Zoll | ||
Artikel | Technische Daten | Anmerkung |
Parameter | Al Zusammensetzung / In Zusammensetzung / Blattbeständigkeit | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
Hallenmobilität / 2DEG-Konzentration | ||
Messtechnik | Röntgenbeugung / Wirbelstrom | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
Berührungslose Halle | ||
Typisches Ventil | Nahtabhängig | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
5000 ~ 6800 cm 2 / V · S / 2,0 ~ 3,4 × 1012 cm 2 | ||
Standardtoleranz | ± 0,01 / ± 3% / keine | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
Anmerkung: GaAs-PHEMT: Im Vergleich zu GaAs-HEMT enthält GaAs-PHEMT auch InxGa1-xAs, wobei InxAs für GaAs-basierte Geräte auf x < 0,3 beschränkt ist. Strukturen, die mit derselben Gitterkonstante wie HEMT, aber unterschiedlichen Bandlücken gewachsen sind, werden einfach als gitterangepasste HEMTs bezeichnet. | ||
GaAs mHEMT-Epiwafer, Größe: 2~6 Zoll | ||
Artikel | Technische Daten | Anmerkung |
Parameter | In Zusammensetzung / Blattbeständigkeit | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
Hallenmobilität / 2DEG-Konzentration | ||
Messtechnik | Röntgenbeugung / Wirbelstrom | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
Berührungslose Halle | ||
Typisches Ventil | Nahtabhängig | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
8000~10000cm2/V ·S/2,0~3,6x 1012cm-2 | ||
Standardtoleranz | ± 3% / keine | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
InP HEMT-Epiwafer, Größe: 2 ~ 4 Zoll | ||
Artikel | Technische Daten | Anmerkung |
Parameter | In Zusammensetzung / Blattwiderstand / Hallmobilität | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
Anmerkung: GaAs (Galliumarsenid) ist ein Verbindungshalbleitermaterial, eine Mischung aus zwei Elementen, Gallium (Ga) und Arsen (As). Die Verwendung von Galliumarsenid ist vielfältig und umfasst die Verwendung in LED/LD, Feldeffekttransistoren (FETs) und integrierten Schaltkreisen (ICs).
Geräteanwendungen
HF-Schalter,Leistungs- und rauscharme Verstärker,Hallsensor,Optischer Modulator
Drahtlos: Handy oder Basisstationen
Kfz-Radar,MMIC, RFIC,Glasfaserkommunikation
GaAs Epi Wafer für LED / IR-Serie:
1. Allgemeine Beschreibung:
1.1 Wachstumsmethode: MOCVD
1.2 GaAs-Epi-Wafer für drahtlose Netzwerke
1.3GaAs-Epi-Wafer für LED/ IR und LD / PD
2.Epi Wafer Spezifikationen:
2.1 Wafergröße: 2 Zoll Durchmesser
2.2 GaAs Epi-Wafer-Struktur (von oben nach unten):
P + GaAs
p-GaP
p-AlGaInP
MQW-AlGaInP
n-AlGaInP
DBR n-ALGaAs / AlAs
Puffer
GaAs-Substrat
3.Chip-Trennung (Basis auf 9mil * 9mil-Chips)
3.1 Parameter
Chipgröße 9mil * 9mil
Dicke 190 ± 10 um
Elektrodendurchmesser 90um ± 5um
3.2 Optisch-elektrische Zeichen (Ir = 20mA, 22 ℃)
Wellenlänge 620 ~ 625 nm
Durchlassspannung 1,9 ~ 2,2 V.
Sperrspannung ≥10V
Rückstrom 0-1uA
3.3 Lichtintensitätszeichen (Ir = 20mA, 22 ℃)
IV (MCD) 80-140
3.4 Epiwafer-Durchschnittslänge
Artikel |
Einheit |
Rot |
Gelb |
Gelbgrün |
Beschreibung |
Wellenlänge (λD) |
nm |
585,615,620 ~ 630 |
587 ~ 592 |
568 ~ 573 |
IF = 20 mA |
Wachstumsmethoden: MOCVD, MBE
Epitaxie = Filmwachstum mit einer kristallographischen Beziehung zwischen Film und Substrat Homoepitaxie (Autoepitaxie, Isoepitaxie) = Schicht und Substrat sind aus dem gleichen Material Heteroepitaxie = Schicht und Substrat sind aus unterschiedlichen Materialien. FürFür weitere Informationen zu den Wachstumsmethoden klicken Sie bitte auf Folgendes:https://www.powerwaywafer.com/technology.html
Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
InGaAs Epitaxy Sensor / Detector:
Kurzwellen-Infrarot-InGaAs-Sensor
InGaAs/InAlAs Epistucture for Single Photon Detector
Epiwafer for Photonic Integrated Chip: