Wir über uns

Wer wir sind

Mit einem Hintergrund in der Physikforschung gründeten wir Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN). Es ist heute ein führender Hersteller von Verbindungshalbleitermaterialien in China.

PAM-XIAMEN entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien mit Fachwissen, das von Verbindungshalbleitern auf GaAs- und InP-Basis bis hin zu hochmodernen SiC- und GaN-Materialien reicht. Zu unseren Kompetenzen gehören Substratwachstum und epitaktische MBE/MOCVD-Abscheidung von III-V-Halbleitern (Ga, Al, In, As, P) für Optoelektronik und Leistungsgeräte, wodurch wir uns als führender Anbieter von Halbleitermaterialinnovationen in China positionieren.

Qualität steht bei uns an erster Stelle. PAM-XIAMEN wurde nach ISO9001:2008 zertifiziert und erhielt Auszeichnungen von der China General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine. Wir besitzen und teilen vier moderne Fabriken, die eine große Auswahl an qualifizierten Produkten anbieten können, um den unterschiedlichen Bedürfnissen unserer Kunden gerecht zu werden.

Halbleiter-Wafer-Technologie am Xiamen Powerway (PAM-XIAMEN)

2009-jährige Arbeit

Wenn Sie weitere Fragen haben, können Sie gerne eine Anfrage an unser Verkaufsteam senden. Vielen Dank!

Klicken Sie hier, um eine Anfrage zu senden

Unsere Geschichte

2011-jährige Arbeit

Stufe I

Pam-XiamenSilizium -Carbid -Lösungen: Wir liefern 4H-SiC- und 3C-SiC-Substrate vom halbisolierenden oder leitfähigen Typ in Dummy-/Forschungs-/Produktionsqualitäten und homoepitaktische Wafer mit Dotierungs-/Dickenkontrolle (650–1700 V), eingesetzt in GaN-auf-SiC-HF-, EV-Leistungsmodulen und Sensoren für extreme Umgebungen.
2009-jährige Arbeit

Stufe II

Pam-XiamenVerbindungshalbleiterlösungen: Wir entwickeln und fertigen technische Substrate (z. B. GaAs, InP, InAs, InSb, GaSb) und fortschrittliche Epitaxie für Photonik-/RF-Systeme der nächsten Generation. Unser MBE/MOCVD kann epitaktische Wachstumsdienste für GaAs/InP-basierte HEMT- und Laserstrukturen, Sb-basierte QCL-Strukturen usw. liefern und so kritische Photonik- und HF-Anwendungen ermöglichen.
2007 Jahre Arbeit

Stufe III

Pam-XiamenGAN -Lösungen: Wir liefern HVPE-gewachsene freistehende GaN-Substrate mit niedriger Versetzungsdichte (2″-4″) und GaN-Epiwafer auf Saphir, Silizium, SiC, GaN, die LED-, LD- und HEMT-Anwendungen ermöglichen.