InGaP / GaAs Epi Wafer für Solarzellen
Dank der GaAs-Tunnel-Junction-Technologie bieten wir Epi-Wafer von InGaP/GaAs-Solarzellen mit Einzel- und Doppelübergang und unterschiedlichen Strukturen epitaktischer Schichten (AlGaAs, InGaP) an, die auf GaAs für Solarzellenanwendungen gewachsen sind. Und jetzt bieten wir anGaAs-Epi-Wafermit InGaP-Tunnelübergang wie folgt:
1. InGaP/GaAs-Solarzellen-Epi-Struktur
| AR-Beschichtung MgF2/ZnS | Au | Frontkontakt | ||
| Au-Ge/Ni/Au | ||||
| n+-GaAs 0,3μm | ||||
| ┏ | n+-AlInP | - - | <2×1018cm-3(Si) | Fenster |
| InGaP | n+-InGaP | - - | - - | n |
| (z. B. = 1,88 eV) | p+-InGaP | - - | - - | p |
| oberste Zelle | p+-InGaP | - - | - - | p+ |
| ┗ | p+-AlInP | - - | - - | BSF,Diff.Barriere |
| Tunnel | p+-InGaP | 0,015 μm | - - | TN(S+) |
| Kreuzung | n+-InGaP | - - | - - | TN(n+) |
| ┏ | n+-AlInP | 0,05 μm | - - | Fenster,Diff.barriere |
| GaAs (Eg=1,43 eV) untere Zelle | n+-GaAs | - - | - - | n |
| p-GaAs | - - | - - | p | |
| ┗ | p+-InGaP | - - | - - | BSF |
| p+-GaAs | - - | 7,0×1018cm-3(Zn) | ||
| p+-GaAs-Substrat <1,0×1019cm-3(Zn) | Substrat | |||
| Au | ||||
| Rückkontakt | ||||
Note:LEDs, LASER und InGaP/GaAs-basierte Mehrfachsolarzellen können alle Tunnelübergänge nutzen, um die Leistung zu verbessern. Die Auswirkungen dieser Verbindung zu berechnen ist schwierig, aber es gibt Möglichkeiten, die Chip-Eigenschaften genau zu simulieren und das Design der Solarzellenstruktur kosteneffektiv zu optimieren.
2. Epitaktisches Wachstum von InGaP/GaAs-Solarzellenwafern
Mit der Entwicklung von MOCVD- und MBE-Geräten können InGaP/GaAs-Dual-Junction-Solarzellen gezüchtet werdenGaAs-Substratemit Gitteranpassung, um die Kristallqualität des epitaktischen Dünnfilms sicherzustellen. Die Unterzelle kann InAIP- und AlGaAs-Materialien als Fensterschicht und Rückfeldschicht verwenden, wodurch die Geschwindigkeit der Oberflächen- und Grenzflächenrekombination effektiv reduziert werden kann. Unter der Bedingung einer bestimmten Zusammensetzung kann die Bandlücke von InGaP zwischen 1,82 eV und 1,92 eV geändert werden, indem Parameter wie Wachstumstemperatur und Wachstumsrate je nach Ordnungsgrad der Kristallstruktur angepasst werden.
In Kombination mit der Gestaltung der Dicke der Absorberschicht können die von den InGaP- und GaAs-Unterzellen mit zwei Übergängen erzeugten fotogenerierten Ströme besser angepasst werden. Aufgrund dieser Faktoren weisen InGaP/GaAs-Doppelschichtsolarzellen eine hohe Umwandlungseffizienz auf. Hocheffiziente InGaP/GaAs-Dünnschichtsolarzellen können durch Substrattransfertechnologie hergestellt werden.
Wenn das GaInP/GaAs-Dual-Junction-Solarzellen-Epitaxiematerial durch Niederdruck-Wachstumstechnologie gezüchtet wird, sollte der Druck der Reaktionskammer bei 42 Torr gehalten werden und hochreines H2 als Trägergas verwendet werden. Das Wachstum des Doppelschicht-Solarzellenmaterials wurde bei einer konstanten Temperatur von 650 °C für 4 Minuten gestartet. Die Wachstumstemperatur von Arsenid und Phosphid ist beide auf 620 °C eingestellt, aber das Wachstum des hochdotierten Tunnelübergangs ist anfällig für Diffusion bei hohen Temperaturen, weshalb das Wachstum bei einer niedrigen Temperatur von 560 °C erfolgt.
3. FAQ zum epitaktischen Wafer aus InGaP/GaAs
F:Können Sie uns sagen, wie man das Solarzellen-Epi von AlGaP/GaAs schneidet?
A:Der AlGaP/GaAs-Epi-Wafer für Solarzellen kann mit einem Waferritzer geschnitten werden.
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