Au – Gold-Einkristall und -Substrat – kann vorübergehend nicht angeboten werden

Au – Gold-Einkristall und -Substrat – kann vorübergehend nicht angeboten werden

PAM XIAMEN bietet hochwertige Au-Gold-Einkristalle und -Substrate an.

PAM XIAMEN züchtet Gold-Einkristall entlang der <111>-Richtung bis zu einem Durchmesser von 20 mm durch das modifizierte Bridgman-Verfahren. Das Gold-Einkristallsubstrat wird aus dem Goldbarren geschnitten und auf eine Oberflächenrauheit von 30 A poliert.

Au (Gold) Einkristallsubstrat: <100>, 10 x 10 x 0,5 mm, 1 Seite poliert
Au (Gold) Einkristallsubstrat: <100>, 10 x 5 x 0,5 mm, 1 Seite poliert
Au (Gold) Einkristallsubstrat: <110>, 10 x 5 x 0,5 mm, 1 Seite poliert
Au (Gold) Einkristallsubstrat: <111>, 10 x 10 x 0,5 mm, 1 Seite poliert
Au (Gold) Einkristallsubstrat: <111>, 10 x 5 x 0,5 mm, 1 Seite poliert

***Aufgrund der schnellen Veränderungen im Halbleiterwafermarkt und unserer Produktionslinien wird sich unsere Lieferkapazität damit ändern, aber die Änderungen werden nicht auf unserer Website angezeigt. Daher behalten wir uns das Recht vor, alle Informationen auf unserer Website zu erläutern.

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website:https://www.powerwaywafer.com,
Bitte senden Sie uns E-Mail an sales@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) wurde 1990 gegründet und ist ein führender Hersteller von Halbleitermaterial in China.PAM-XIAMEN entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente.Die Technologien von PAM-XIAMEN ermöglichen eine leistungsfähigere und kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern.

PAM-XIAMEN entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, die von Germanium-Wafern der ersten Generation, Galliumarsenid der zweiten Generation mit Substratwachstum und Epitaxie auf III-V-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien auf Basis von Ga, Al, In, As und P reichen gewachsen durch MBE oder MOCVD bis zur dritten Generation: Siliziumkarbid und Galliumnitrid für LED- und Leistungsgeräteanwendungen.

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