PAM XIAMEN bietet Aluminiumoxid-Substrat Al2O3 an.
| Eigenschaften von Aluminiumoxid-Keramiksubstraten | ||||
| Reinheit (Gew .-%) | 0.96 | 0.996 | 0.996 | 0.999 |
| Dichte (g / cm3) | > 3,75 | 3.88 | 3.87 | 3.92 |
| Wärmeleitfähigkeit (W/m·K) | 24 | 34.7 | 35 | 35 |
| Wärmeausdehnung (x10-6/oC) | < 7,7 | 7~8.3 | 7~8.3 | 8.1 |
| Spannungsfestigkeit (Kv / mm) | > 14 | 23.64 | 23.64 | 8.7 |
| Dielektrizitätskonstante (bei 1 MHz) | 9.8 | 9.9 | 9.9 | 9.8 |
| Verlusttangens (x10-4@1MHz) | 4 | 1 | 1 | < 1 |
| Durchgangswiderstand (Ohm-m) | > 1013bei 20oC; > 3×107bei 500oC | > 1014bei 25oC; > 109bei 500oC | > 1014bei 25oC; > 1010bei 500oC | > 10fünfzehnbei 25oC; 1012bei 500oC |
| Biegefestigkeit (N/mm2) | >330 | 593 | 621 | 400 |
| Oberflächenrauheit (Mikron) | wie gebrannt 0,3 wie geläppt 0,075 wie poliert 0,025 | |||
Aluminiumoxid-Keramiksubstrat (Reinheit: 96%) 60 x 70 x 0,2 mm beidseitig geläppt, 10 Blatt/Packung
Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 1″ x 1″ x 0,5 mm feingeschliffen
Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 1″ x 1″ x 0,6 mm feingeschliffen
Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 1″x1″x 1.0mm Feinschliff
Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 10x10x0,5 mm, einseitig poliert”
Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 10x10x0,5 mm , zwei Seiten poliert
Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 3″x3″x 0.5mm, einseitig poliert mit Ra: < 100 A RMS
Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 3″x3″x 0.635mm, fein geschliffen
Hochreines (99,6%) Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 2″x2″x 0.5mm, 2sp
Hochreines (99,6%) Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 2″”x2″”x 0.5mm,1sp”
Hohe Reinheit (Reinheit: 99,6%) Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 1″x1″x 0.254mm,1sp
Hohe Reinheit (Reinheit: 99,6%) Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 1″x1″x 0.254mm,2sp
Hohe Reinheit (Reinheit: 99,9%) Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 2″x2″x 0.5mm,1sp
Hohe Reinheit (Reinheit: 99,9%) Aluminiumoxid-Keramiksubstrat 2″x2″x 0.5mm,2sp
Für weitere Informationen, besuchen Sie bitte unsere Website: https://www.powerwaywafer.com,
Bitte senden Sie uns E-Mail an sales@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) wurde 1990 gegründet und ist ein führender Hersteller von Halbleitermaterial in China.PAM-XIAMEN entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsverfahren, technische Substrate und Halbleiterbauelemente.Die Technologien von PAM-XIAMEN ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern.
Qualität steht bei uns an erster Stelle. PAM-XIAMEN ist ISO9001:2008, besitzt und teilt vier moderne Fabriken, die eine ziemlich große Auswahl an qualifizierten Produkten anbieten können, um die unterschiedlichen Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen, und jede Bestellung muss durch unser strenges Qualitätssystem abgewickelt werden. Testbericht wird bereitgestellt für jede Sendung und jeden Wafer sind Garantie.