GaP-Wafer – kann vorübergehend nicht angeboten werden

GaP Wafer – Can’t Offer Temporarily

PAM-XIAMEN bietet Verbindungshalbleiter-GaP-Wafer – Galliumphosphidwafer, die von LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) gezüchtet werden, als Epi-Ready- oder mechanische Qualität mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Ausrichtung (111) oder (100) an.
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Produktbeschreibung

PAM-XIAMEN bietet Verbindungshalbleiter-GaP-Wafer an –GalliumphosphidWafer, die von LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) als epi-ready oder mechanische Qualität mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Ausrichtung (111) oder (100) gezüchtet werden.

Galliumphosphid (GaP), ein Galliumphosphid, ist ein Verbindungshalbleitermaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2,26 eV (300 K). Das polykristalline Material sieht aus wie blassorangefarbene Stücke. Undotierte einzelne Galliumphosphid-Kristallwafer erscheinen klar orange, stark dotierte Wafer erscheinen jedoch aufgrund der Absorption freier Träger dunkler. Es ist geruchlos und wasserunlöslich. Galliumphosphid-Wafer können durch Dotierung mit Schwefel oder Tellur Halbleiter vom n-Typ erzeugen. Zink wird als Dotierstoff für den p-Typ-Halbleiter verwendet. Galliumphosphid-Wafer finden Anwendung in optischen Systemen. Sein Brechungsindex liegt zwischen 4,30 bei 262 nm (UV), 3,45 bei 550 nm (grün) und 3,19 bei 840 nm (IR). Galliumphosphid-Einkristall ist das Hauptsubstratmaterial für die Herstellung von LEDs mit sichtbarem Licht in den Farben Rot, Grün, Gelb und Orange.

Specs of GaP Wafer and Substrate
Conducion Type N-Typ
Dotierstoff S doped
Waferdurchmesser 50.8+/-0.5mm
Crystal Orientation (111)+/-0.5°
Flat orientation 111
Flat length 17.5+/-2mm
Trägerkonzentration (2-7)x10^7/cm3
Resistivity at RT 0.05-0.4ohm.cm
Mobilität 100cm²/V.sec
Etch Pit Density 3*10^5/cm²
Laser Marking auf Anfrage
Suface Fnish P/E
Dicke 250+/-20um
Epi Ready Yes
Paket Einzelner Waferbehälter oder Kassette
 
Um GaP-Wafer-Defekte zu reduzieren, kann das Diffusionsverfahren der gelösten Synthese für das Kristallwachstum verwendet werden, aber die Wachstumsrate ist langsam und es ist schwierig, große Kristalle zu erhalten. Derzeit werden epitaktisch gewachsene Filme hauptsächlich bei der Herstellung von Galliumphosphid-Geräten verwendet.
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Wir hoffen auf Ihr Verständnis und Ihre Mitarbeit!

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