GaP Wafer – Can’t Offer Temporarily
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Product Description
PAM-XIAMEN bietet Verbindungshalbleiter-GaP-Wafer an –GalliumphosphidWafer, die von LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) als epi-ready oder mechanische Qualität mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Ausrichtung (111) oder (100) gezüchtet werden.
Galliumphosphid (GaP), ein Galliumphosphid, ist ein Verbindungshalbleitermaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2,26 eV (300 K). Das polykristalline Material sieht aus wie blassorangefarbene Stücke. Undotierte einzelne Galliumphosphid-Kristallwafer erscheinen klar orange, stark dotierte Wafer erscheinen jedoch aufgrund der Absorption freier Träger dunkler. Es ist geruchlos und wasserunlöslich. Galliumphosphid-Wafer können durch Dotierung mit Schwefel oder Tellur Halbleiter vom n-Typ erzeugen. Zink wird als Dotierstoff für den p-Typ-Halbleiter verwendet. Galliumphosphid-Wafer finden Anwendung in optischen Systemen. Sein Brechungsindex liegt zwischen 4,30 bei 262 nm (UV), 3,45 bei 550 nm (grün) und 3,19 bei 840 nm (IR). Galliumphosphid-Einkristall ist das Hauptsubstratmaterial für die Herstellung von LEDs mit sichtbarem Licht in den Farben Rot, Grün, Gelb und Orange.
| Specs of GaP Wafer and Substrate | |
| Conducion Type | N-type |
| Dotierstoff | S doped |
| Wafer Diameter | 50.8+/-0.5mm |
| Crystal Orientation | (111)+/-0.5° |
| Flat orientation | 111 |
| Flat length | 17.5+/-2mm |
| Carrier Concentration | (2-7)x10^7/cm3 |
| Resistivity at RT | 0.05-0.4ohm.cm |
| Mobility | ＞100cm²/V.sec |
| Etch Pit Density | ＜3*10^5/cm² |
| Laser Marking | upon request |
| Suface Fnish | P/E |
| Dicke | 250+/-20um |
| Epi Ready | Yes |
| Package | Single wafer container or cassette |
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Wir hoffen auf Ihr Verständnis und Ihre Mitarbeit!
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