InAs-Wafer

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.

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Produktbeschreibung

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)(100) or (110). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.

Indium arsenide, InAs, is a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals with a melting point of 942 °C and lattice constant of 0.6058nm, and the indidum arsenide crystal structure is a zinc blende structure. Indium arsenide wafer is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1–3.8 µm. The detectors are usually photovoltaic photodiodes. Cryogenically cooled detectors have lower noise, but InAs detectors can be used in higher-power applications at room temperature as well. Because of the superior indium arsenide properties, indium arsenide thin films are also used for making of diode lasers.

Indium arsenide band gap is a direct transition, which is similar to gallium arsenide, and the forbidden band width is (300K)0.45eV. Indium arsenide is sometimes used together with indium phosphide. Alloyed with gallium arsenide, it forms indium gallium arsenide – a material with band gap dependent on In/Ga ratio, a method principally similar to alloying indium nitridewith gallium nitride to yield indium gallium nitride.

Hier ist die ausführliche Beschreibung:

2 "(50,8 mm) InAs Wafer-Spezifikation

3 "(76,2 mm) InAs Wafer Specification

4 "(100 mm) Wafer InAs Specification

2 "InAs Wafer-Spezifikation

Artikel Technische Daten
Dotierstoff undotierte Stannum Schwefel Zink
Conduction Typ N-Typ N-Typ N-Typ P-Typ
Wafer-Durchmesser 2 "
Wafer Orientation (111)±0.5° , (110)±0.5°
Waferdicke 500 ± 25 um
Primäre Wohnung Länge 16 ± 2mm
Secondary Wohnung Länge 8 ± 1mm
Ladungsträgerkonzentration 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
Mobilität ≥2×104cm2/V.s 7000-20000cm2/V.s 6000-20000cm2/V.s 100-400cm2/V.s
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <10um
BOGEN <10um
KETTE <12um
Laserbeschriftung auf Anfrage
suface Finish P / E, P / P
Epi bereit ja
Paket Single-Wafer-Behälter oder Kassette

 

3″ InAs Wafer Specification

Artikel Technische Daten
Dotierstoff undotierte Stannum Schwefel Zink
Conduction Typ N-Typ N-Typ N-Typ P-Typ
Wafer-Durchmesser 3"
Wafer Orientation (111)±0.5° , (110)±0.5°
Waferdicke 600 ± 25 um
Primäre Wohnung Länge 22 ± 2mm
Secondary Wohnung Länge 11 ± 1mm
Ladungsträgerkonzentration 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
Mobilität ≥2×104cm2/V.s 7000-20000cm2/V.s 6000-20000cm2/V.s 100-400cm2/V.s
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <12um
BOGEN <12um
KETTE <15um
Laserbeschriftung auf Anfrage
suface Finish P / E, P / P
Epi bereit ja
Paket Single-Wafer-Behälter oder Kassette


4″ InAs Wafer Specification

Artikel Technische Daten
Dotierstoff undotierte Stannum Schwefel Zink
Conduction Typ N-Typ N-Typ N-Typ P-Typ
Wafer-Durchmesser 4 "
Wafer Orientation (111)±0.5° , (110)±0.5°
Waferdicke 900 ± 25 um
Primäre Wohnung Länge 16 ± 2mm
Secondary Wohnung Länge 8 ± 1mm
Ladungsträgerkonzentration 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
Mobilität ≥2×104cm2/V.s 7000-20000cm2/V.s 6000-20000cm2/V.s 100-400cm2/V.s
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <15um
BOGEN <15um
KETTE <20um
Laserbeschriftung auf Anfrage
suface Finish P / E, P / P
Epi bereit ja
Paket Single-Wafer-Behälter oder Kassette

 

Stitched Flatness Map of InAs Wafer

 

 

Wafer Spec(example):

1) 2” (50,8 mm) InAs
Type/Dopant:N/S
Orientation:[111B]±0.5°
Thickness:500±25um
Epi-Ready
SSP

2) 2” (50,8 mm) InAs
Type/Dopant:N/Undoped
Orientation : (111)B
Thickness:500um±25um
SSP

3) 2” (50,8 mm) InAs
Type/Dopant:N Un-doped
Orientation : <111>A ±0.5°
Thickness:500um±25um
epi-ready
Ra<=0.5nm
Carrier Concentration(cm-3):1E16~3E16
Mobility(cm -2 ):>20000
EPD(cm -2 ):<15000
SSP

4) 2” (50,8 mm) InAs
Type/Dopant:N/Undoped
Orientation : <100> with [001]O.F.
Thickness:2mm
AS cut

5) 2” (50,8 mm) InAs
Type/Dopant:N/P
Orientation :(100),
Carrier Concentration(cm-3):(5-10)E17,
Thickness:500 um
SSP

6)Indium Arsenide wafers,
2″Ø×500±25µm,
p-type InAs:Zn
(110)±0.5°,
Nc=(1-3)E18/cc ,
Both-sides-polished,
Sealed under nitrogen in single wafer cassette.

 

Alle Wafer werden mit hochwertigen Epitaxie bereit Veredelung angeboten. Oberflächen werden durch in-house, fortschrittliche optische Metrologie Techniken charakterisiert, die Surfscan Trübung und Partikelüberwachung, spektroskopische Ellipsometrie und streifendem Einfall Interferometrie umfassen

Der Einfluss der Glühtemperatur auf den optischen Eigenschaften der Oberflächenelektronenanreicherungsschichten in n-Typ (1 0 0) InAs-Wafer wurde durch Raman-Spektroskopie untersucht. Es zeigt, dass Raman-Peaks aufgrund von Streuung durch ungeschirmte LO Phononen mit steigender Temperatur verschwinden, die in der InAs Oberfläche die Elektronenakkumulationsschicht zeigt durch Glühen beseitigt wird. Der beteiligte Mechanismus wurde durch Röntgenstrahl-Photoelektronen-Spektroskopie, Röntgenbeugung und hochauflösende Transmissions-Elektronenmikroskopie analysiert. Die Ergebnisse zeigen, daß amorphes In2O3 und As2O3 Phasen bei InAs Oberfläche während des Glühens und unterdessen gebildet werden, eine dünne kristalline As-Schicht an der Grenzfläche zwischen der oxidierten Schicht und der Wafer wird auch was zu einer Abnahme der Dicke der Oberflächenelektronenakkumulations erzeugten da, wie Schicht Adatome einzuführen Oberflächenzustände Akzeptor-Typ.

The emission wavelength of InAs is 3.34μm, and lattice-matched In-GaAsSb, InAsPSb and InAsSb multi-epitaxial materials can be grown on the indium arsenide substrates, which can manufacture lasers and detectors for optical fiber communication in the 2~4μm band.

We also offer InAs wafer epi service, take below as an example:

2”size InAs epi wafer(PAM190730-INAS):
Epi layer: Thikness 0.5 um, InAs epi layer(undoped, n type),
Substrate:2” semi-insulating GaAs

Relative Produkte:
InAs-Wafer
InSb-Wafer
InP-Wafer
GaAs-Wafer
GaSb-Wafer
GaP-Wafer

Indium Arsenide Ingot with Zinc Blende Structure Grown By VGF

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