InAs-Wafer
PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.
- Beschreibung
Produktbeschreibung
PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)(100) or (110). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.
Indium arsenide, InAs, is a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals with a melting point of 942 °C and lattice constant of 0.6058nm, and the indidum arsenide crystal structure is a zinc blende structure. Indium arsenide wafer is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1–3.8 µm. The detectors are usually photovoltaic photodiodes. Cryogenically cooled detectors have lower noise, but InAs detectors can be used in higher-power applications at room temperature as well. Because of the superior indium arsenide properties, indium arsenide thin films are also used for making of diode lasers.
Indium arsenide band gap is a direct transition, which is similar to gallium arsenide, and the forbidden band width is (300K)0.45eV. Indium arsenide is sometimes used together with indium phosphide. Alloyed with gallium arsenide, it forms indium gallium arsenide – a material with band gap dependent on In/Ga ratio, a method principally similar to alloying indium nitride with gallium nitride to yield indium gallium nitride.
Hier ist die ausführliche Beschreibung:
2 "(50,8 mm) InAs Wafer-Spezifikation
3 "(76,2 mm) InAs Wafer Specification
4 "(100 mm) Wafer InAs Specification
2 "InAs Wafer-Spezifikation
Artikel | Technische Daten | |||
Dotierstoff | low doped | Stannum | Schwefel | Zink |
Conduction Typ | N-Typ | N-Typ | N-Typ | P-Typ |
Wafer-Durchmesser | 2 " | |||
Wafer Orientation | (111)±0.5° , (110)±0.5° | |||
Waferdicke | 500 ± 25 um | |||
Primäre Wohnung Länge | 16 ± 2mm | |||
Secondary Wohnung Länge | 8 ± 1mm | |||
Ladungsträgerkonzentration | 5×1016cm-3 | (5-20)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 |
Mobilität | ≥2×104cm2/V.s | 7000-20000cm2/V.s | 6000-20000cm2/V.s | 100-400cm2/V.s |
EPD | <5×104cm-2 | <5×104cm-2 | <3×104cm-2 | <3×104cm-2 |
TTV | <10um | |||
BOGEN | <10um | |||
KETTE | <12um | |||
Laserbeschriftung | auf Anfrage | |||
suface Finish | P / E, P / P | |||
Epi bereit | ja | |||
Paket | Single-Wafer-Behälter oder Kassette |
3″ InAs Wafer Specification
Artikel | Technische Daten | |||
Dotierstoff | low doped | Stannum | Schwefel | Zink |
Conduction Typ | N-Typ | N-Typ | N-Typ | P-Typ |
Wafer-Durchmesser | 3" | |||
Wafer Orientation | (111)±0.5° , (110)±0.5° | |||
Waferdicke | 600 ± 25 um | |||
Primäre Wohnung Länge | 22 ± 2mm | |||
Secondary Wohnung Länge | 11 ± 1mm | |||
Ladungsträgerkonzentration | 5×1016cm-3 | (5-20)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 |
Mobilität | ≥2×104cm2/V.s | 7000-20000cm2/V.s | 6000-20000cm2/V.s | 100-400cm2/V.s |
EPD | <5×104cm-2 | <5×104cm-2 | <3×104cm-2 | <3×104cm-2 |
TTV | <12um | |||
BOGEN | <12um | |||
KETTE | <15um | |||
Laserbeschriftung | auf Anfrage | |||
suface Finish | P / E, P / P | |||
Epi bereit | ja | |||
Paket | Single-Wafer-Behälter oder Kassette |
4″ InAs Wafer Specification
Artikel | Technische Daten | |||
Dotierstoff | low doped | Stannum | Schwefel | Zink |
Conduction Typ | N-Typ | N-Typ | N-Typ | P-Typ |
Wafer-Durchmesser | 4 " | |||
Wafer Orientation | (111)±0.5° , (110)±0.5° | |||
Waferdicke | 900 ± 25 um | |||
Primäre Wohnung Länge | 16 ± 2mm | |||
Secondary Wohnung Länge | 8 ± 1mm | |||
Ladungsträgerkonzentration | 5×1016cm-3 | (5-20)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 | (1-10)x1017cm-3 |
Mobilität | ≥2×104cm2/V.s | 7000-20000cm2/V.s | 6000-20000cm2/V.s | 100-400cm2/V.s |
EPD | <5×104cm-2 | <5×104cm-2 | <3×104cm-2 | <3×104cm-2 |
TTV | <15um | |||
BOGEN | <15um | |||
KETTE | <20um | |||
Laserbeschriftung | auf Anfrage | |||
suface Finish | P / E, P / P | |||
Epi bereit | ja | |||
Paket | Single-Wafer-Behälter oder Kassette |
Stitched Flatness Map of InAs Wafer
Wafer Spec(example):
1) 2” (50,8 mm) InAs
Type/Dopant:N/S
Orientation:[111B]±0.5°
Thickness:500±25um
Epi-Ready
SSP
2) 2” (50,8 mm) InAs
Type/Dopant:N/low doped
Orientation : (111)B
Thickness:500um±25um
SSP
3) 2” (50,8 mm) InAs
Type/Dopant:N / low doped
Orientation : <111>A ±0.5°
Thickness:500um±25um
epi-ready
Ra<=0.5nm
Carrier Concentration(cm-3):1E16~3E16
Mobility(cm -2 ):>20000
EPD(cm -2 ):<15000
SSP
4) 2” (50,8 mm) InAs
Type/Dopant:N/low doped
Orientation : <100> with [001]O.F.
Thickness:2mm
AS cut
5) 2” (50,8 mm) InAs
Type/Dopant:N/P
Orientation :(100),
Carrier Concentration(cm-3):(5-10)E17,
Thickness:500 um
SSP
6)Indium Arsenide wafers,
2″Ø×500±25µm,
p-type InAs:Zn
(110)±0.5°,
Nc=(1-3)E18/cc ,
Both-sides-polished,
Sealed under nitrogen in single wafer cassette.
Alle Wafer werden mit hochwertigen Epitaxie bereit Veredelung angeboten. Oberflächen werden durch in-house, fortschrittliche optische Metrologie Techniken charakterisiert, die Surfscan Trübung und Partikelüberwachung, spektroskopische Ellipsometrie und streifendem Einfall Interferometrie umfassen
Der Einfluss der Glühtemperatur auf den optischen Eigenschaften der Oberflächenelektronenanreicherungsschichten in n-Typ (1 0 0) InAs-Wafer wurde durch Raman-Spektroskopie untersucht. Es zeigt, dass Raman-Peaks aufgrund von Streuung durch ungeschirmte LO Phononen mit steigender Temperatur verschwinden, die in der InAs Oberfläche die Elektronenakkumulationsschicht zeigt durch Glühen beseitigt wird. Der beteiligte Mechanismus wurde durch Röntgenstrahl-Photoelektronen-Spektroskopie, Röntgenbeugung und hochauflösende Transmissions-Elektronenmikroskopie analysiert. Die Ergebnisse zeigen, daß amorphes In2O3 und As2O3 Phasen bei InAs Oberfläche während des Glühens und unterdessen gebildet werden, eine dünne kristalline As-Schicht an der Grenzfläche zwischen der oxidierten Schicht und der Wafer wird auch was zu einer Abnahme der Dicke der Oberflächenelektronenakkumulations erzeugten da, wie Schicht Adatome einzuführen Oberflächenzustände Akzeptor-Typ.
The emission wavelength of InAs is 3.34μm, and lattice-matched In-GaAsSb, InAsPSb and InAsSb multi-epitaxial materials can be grown on the indium arsenide substrates, which can manufacture lasers and detectors for optical fiber communication in the 2~4μm band.
We also offer InAs wafer epi service, take below as an example:
2”size InAs epi wafer(PAM190730-INAS):
Epi layer: Thikness 0.5 um, InAs epi layer(undoped, n type),
Substrate:2” semi-insulating GaAs
More details about InAs epi wafer, please refer to:
Relative Produkte:
InAs-Wafer
InSb-Wafer
InP-Wafer
GaAs-Wafer
GaSb-Wafer
GaP-Wafer
Indium Arsenide Ingot with Zinc Blende Structure Grown By VGF