InP-Wafer

Beschreibung

InP-Wafer

PAM-XIAMEN, ein führender InP-Wafer-Anbieter, bietet Compound Semiconductor InP-Wafer an –Indium Phosphidedie von LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) oder VGF (Vertical Gradient Freeze) als epi-ready oder mechanische Qualität mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend gezüchtet werden. Die InP-Wafer-Ausrichtung (111) oder (100) ist verfügbar. Und die Dotierstoffe können Schwefel, Sn(Zinn), Zink oder Zoll sein. Die Lasermarkierung wie angegeben auf der Rückseite des InP-Wafers zusammen mit der primären Fläche. Die Ausrichtung mit leichtem Ablenkwinkel ist verfügbar, beispielsweise (100)0,075° in Richtung [110]]±0,025°.

Indiumphosphid (InP) ist ein binärer Halbleiter bestehend aus Indium und Phosphor. Es hat eine flächenzentrierte kubische („Zinkblende“) Kristallstruktur, die mit der von GaAs und den meisten III-V-Halbleitern identisch ist. Indiumphosphid kann aus der Reaktion von weißem Phosphor und Indiumiodid (Klärung erforderlich) bei 400 °C hergestellt werden, auch durch direkte Kombination der gereinigten Elemente bei hoher Temperatur und hohem Druck oder durch thermische Zersetzung einer Mischung aus einer Trialkylindiumverbindung und Phosphid. Indiumphosphid-Wafer werden in der Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik verwendet [Quellenangabe erforderlich], da sie im Vergleich zu den gebräuchlicheren Halbleitern Silizium und Galliumarsenid eine höhere Elektronengeschwindigkeit aufweisen. Die InP-Wafergröße, die wir anbieten können, beträgt 2 Zoll, 3 Zoll und 4 Zoll, und die InP-Waferdicke beträgt 350 bis 625 µm.

Hier ist die Detailspezifikation: 

 

6″ S-dotierte InP-Wafer-Spezifikation

6 Zoll (150 mm) InP-Einkristallwafer(PAM07282026)
Parameter	Wert
Durchmesser	150 ± 0,3 mm
Dicke	675 ± 25 um
Wachstumsmethode	VGF
Klasse	Erstklassige Qualität (Epi-ready)
Dotierstoff	S.
Orientierung	(100)0,075° weg in Richtung <110>±0,05°
Orientierungswinkel	225
Kerbe	[010] ± 2°
Kerbtiefe	1,00–1,25 mm
Kerbwinkel	89°-95°
CC	(2-8)E18/cm³
Widerstand	N / A
Mobilität	≥1000cm²/v·s
EPD-AVE	≤2000/cm²
TTV	≤10um
TIR	≤10um
Bogen	≤15um
Kette	≤15um
Laserbeschriftung	Vorderseite in der Nähe der Kerbe
Vorderseite	Poliert
Rückseite	Poliert
Partikelanzahl	N / A

 

PL(Photolumineszenz)-Test vonIndiumphosphidWafer

Wir messen InP-Wafer anhand von Peak Lambda, Peak Int und FWHM. Die Spektrenkartierung ist wie folgt:

 

Informationen zur InP-Wafer-Anwendung

Als neuer Typ von Verbindungshalbleitermaterial nimmt der Marktanteil von InP-Wafern allmählich zu. Aufgrund der hervorragenden Eigenschaften von Indiumphosphid ist die Leistung von Mikrowellen-Stromquellengeräten, Mikrowellenverstärkern und Gate-FETs, die auf InP-Material hergestellt werden, besser als die Leistung von Geräten, die auf vorhandenen Galliumarsenid-Materialien hergestellt werden. Indiumphosphid-Heterojunction-Laser sind auch äußerst vielversprechende Lichtquellen in der Glasfaserkommunikation.

Die Herstellung von InP-Wafern für Geräte wie wachsende mikroelektronische Millimeterwellengeräte und optoelektronische Gerätematerialien für die Glasfaserkommunikation ist weit verbreitet. Mit der kontinuierlichen Verbesserung der Geräteleistung und der Reduzierung der Gerätegröße werden die Qualitätsanforderungen an Indiumphosphid-Wafer immer höher. Daher wird der InP-Wafer-Prozess schrittweise optimiert.

Die typischen Werte finden Sie in den folgenden Daten:

Spitzen-Lambda (nm)	Peak Int	FWHM(nm)
1279.4	7.799	48.5
1279.8	5.236	44.6

 

Bemerkung:

Ohne Lizenz des chinesischen Handelsministeriums ist der Export von InP-Wafern nicht möglich.