Cu beschichteten Silizium

PAM XIAMEN bietet Cu beschichteten Silizium.

Cu-Film auf Silizium-Wafer, 4 ", 400 nm dick, - auf Cu-Ti-Si 4-400nm
Cu-Film auf Ta / Silicon Wafer, 4 ", 100 nm dick, - Cu-Ta-Si-4-100nm
Cu-Film auf Ta / thermisches Oxid / Silizium-Wafer, 4 ", 400 nm dick, - Cu-Ta-SiO 2 / Si-4-400nm
Cu-Film auf Ti / Silicon Wafer, 4 ", Cu = 100 nm = 20 nm Ti ,, Si (100) B-dotierte, 4" x0.525mm, R: 1-20 ohm.cm, 1sp
Cu-Film beschichtet auf Ta / SiO 2 / Si-Wafer 4 ", 100 nm dick, - Cu-Si-SiO2-4-100n
Cu-Film auf Ta / Silicon Wafer, 10 mm x 5 mm, 100 nm dick ist,
Cu-Film auf Ta / Silicon Wafer, 10x10mm, 100 nm dick, - Cu-Ta-Si-1010
Cu-Film auf Ta / Silicon Wafer, 5 mm x 5 mm, 100 nm dick ist,
Cu-Film beschichtet auf Ta / SiO 2 / Si-Wafer 10x10x0.5mm, 100 nm dick, - Cu-Si-SiO2-1010
Cu-Film beschichtet auf Ta / SiO 2 / Si-Wafer 10x10x0.5mm, 400 nm dick, - Cu-Ta-Si-SiO2-1010-400 nm
Cu-Film beschichtet auf Ta / SiO 2 / Si-Wafer 5x5x0.5mm, 400 nm dick, - Cu-Ta-Si-SiO2-1010-400 nm

Für weitere Informationen, besuchen Sie bitte unsere Website: https://www.powerwaywafer.com,
Bitte senden Sie uns E-Mail an sales@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com

Gefunden 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) ist ein führender Hersteller von Halbleitermaterial in China. PAM-XIAMEN entwickeln fortschrittliches Kristallwachstum und die Epitaxie-Technologien, Herstellungsverfahren, engineered Substrate und Halbleitervorrichtungen. PAM-Xiamens Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und geringeren Kosten der Herstellung von Halbleiter-Wafers.

Unser Ziel ist es, alle Ihre Anforderungen zu erfüllen, egal wie kleine Aufträge und wie schwierige Fragen sie auch sein mögen,
nachhaltiges und profitables Wachstum für jeden Kunden durch unsere qualifizierten Produkte und befriedigenden Service aufrecht zu erhalten.

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