Diamant auf Siliziumwafer

PAM-XIAMEN bietet Diamant auf Siliziumwafer an. Da Diamant eine große Bandlücke aufweist, werden dünne Diamantfilme auf Siliziumwafern, bei denen es sich um epitaktisches Diamantwachstum auf Silizium durch MPCVD handelt, auf Halbleiter mit großer Bandlücke wie Gassensorgeräten, Temperatursensorgeräten, Strahlungs-/Infrarotdetektorgeräten usw. angewendet. Weitere Informationen zu den Diamantwafern finden Sie in den unten aufgeführten Spezifikationen:

1. Si-basierter Diamantwafer PAM210428-DOS

2. Diamant-Wafer-Liste

Diamant-auf-Oxid-Wafer (DOI), 4 Zoll, 2 µm dick, 10 nm Ra

Diamantabscheidung auf Siliziumwafer, 4″, 2 µm dick, 10 nm Ra

Elektrisch leitfähiger Diamant auf Isolatorwafer, 4″, 2 µm dick, 10 nm Ra

Leitfähiger Diamantfilm auf Isolator, 5×5 mm, 2 µm dick,

Diamant auf Oxidwafer, 10 x 10 mm, 2 µm dick, 10 nm Ra

Diamant auf Siliziumwafer, 10 x 10 mm, 2 µm dick, 10 nm Ra

Nanokristalliner Diamant auf Siliziumwafer, 5 x 5 mm, 2 µm dick, 10 nm Ra

Elektrisch leitfähiger Diamant auf Isolatorwafer, 10×10, 2 µm dick, 10 nm Ra

Diamant auf Siliziumwafer, 10 x 10 x 0,5 mm, Film: 1 µm dick, 1 nm Ra

Diamant auf Siliziumwafer, 4″, 1 um dick, 1 nm Ra

Diamantbeschichtung auf Siliziumwafer, 5 x 5 x 0,5 mm, Film: 1 µm dick, 1 nm Ra

3. Methode zur Herstellung von Diamanten auf Siliziumwafern

Wie stellt man einen polykristallinen Diamanten auf einem Siliziumwafer her? Hier kommen zwei Methoden zum Einsatz: Hochtemperatur- und Hochdruckverfahren (HPHT) und Mikrowellenplasma-chemische Gasphasenabscheidung (MPCVD).

3.1 HPHT

Bei der HPHT-Methode ist für die Synthese von Diamant ein Metallkatalysator erforderlich. Seine Atome dringen unweigerlich in den Diamantkristall ein und liegen in Form von Verunreinigungen vor, die dessen Reinheit beeinträchtigen. Gegenwärtig hat die maximale Größe großkörniger Diamant-Einkristallwafer, die durch das Hochtemperatur- und Hochdruckverfahren gezüchtet wurden, mehr als 10 mm erreicht, und es besteht noch ein gewisser Abstand zur Nachfrage nach Halbleiterepitaxie in der Größe.

3.2 MPCVD

Der durch das MPCVD-Verfahren gezüchtete hochwertige Diamant-Einkristall kann jedoch völlig farblos und transparent sein und nahezu keine Verunreinigungen aufweisen. Derzeit beträgt die maximale Größe von CVD-Diamanten 12,5 mm und die von mosaikgenähten Diamanten mehr als 25 mm. Bei der CVD gibt es Probleme wie schlechte Kristallqualität, polykristalline Bereiche der Spleißverbindungen usw.

Die Größe des MPCVD-Diamant-Einkristalls wird nur durch die Größe des Einkristallsubstrats (Impfkristall) begrenzt. Es ist immer noch recht schwierig, die Größe von CVD-Diamanten durch die Technologie des lateralen Wachstums zu vergrößern. Daher ist das Zusammenfügen und Züchten mehrerer Einkristallkeime zu großen „Mosaik“-Einkristallen zu einer wichtigen Richtung für großformatige Diamanten auf Siliziumwafern für Halbleiter geworden. Allerdings nutzt die „Mosaik“-Diamant-Spleißtechnologie in der Branche die CVD-Methode zum Züchten von Diamanten auf HPHT-Einkristallen, bei der CVD-Diamantscheiben zum Spleißen verwendet werden.

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