GaN based LED Epitaxial Wafer
Der auf GaN (Galliumnitrid) basierende LED-Epitaxiewafer von PAM-XIAMEN ist für Anwendungen mit blauen und grünen Leuchtdioden (LED) und Laserdioden (LD) mit ultrahoher Helligkeit vorgesehen.
- Description
Produktbeschreibung
Der LED-Epitaxialwafer ist ein Substrat, das auf eine geeignete Temperatur erhitzt wird. Das LED-Wafermaterial ist der Eckpfeiler der Technologieentwicklung für die Halbleiterbeleuchtungsindustrie. Unterschiedliche Substratmaterialien erfordern unterschiedliche LED-Epitaxiewafer-Wachstumstechnologie, Chipverarbeitungstechnologie und Vorrichtungsverpackungstechnologie. Das Substrat für LED-Epi-Wafer bestimmt den Entwicklungsweg der Halbleiterbeleuchtungstechnologie. Um eine Lichtausbeute zu erreichen, schenken Epitaxie-Wafer-Lieferanten GaN-basierten LED-Epitaxie-Wafern mehr Aufmerksamkeit, da der Preis für Epitaxie-Wafer niedrig ist und die Defektdichte des Epi-Wafers gering ist. Der Vorteil von LED-Epi-Wafern auf einem GaN-Substrat ist die Realisierung von hoher Effizienz, großer Fläche, Einzellampe und hoher Leistung, wodurch die Prozesstechnologie vereinfacht und die große Ausbeute verbessert wird. Die Entwicklungsaussichten des Marktes für LED-Epi-Wafer sind optimistisch.
1. LED-Wafer-Liste
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LED Epitaxie-Wafer |
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| Artikel | Größe | Orientierung | Emission | Wellenlänge | Dicke | Substrat | Oberfläche | Nutzfläche |
| PAM-50-LED-BLAU-F | 50mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | 425um+/-25um | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-50-LED-BLAU-PSS | 50mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | 425um+/-25um | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-BLAU-F | 100mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-BLAU-PSS | 100mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-150-LED-BLAU | 150mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-BLAU-SIL | 50mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-BLAU-SIL | 100mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
| PAM-150-LED-BLAU-SIL | 150mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
| PAM-200-LED-BLAU-SIL | 200mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
| PAM-50-LED-GRÜN-F | 50mm | 0°±0.5° | grünes Licht | 510-530nm | 425um+/-25um | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-50-LED-GRÜN-PSS | 50mm | 0°±0.5° | grünes Licht | 510-530nm | 425um+/-25um | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-GRÜN-F | 100mm | 0°±0.5° | grünes Licht | 510-530nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-GRÜN-PSS | 100mm | 0°±0.5° | grünes Licht | 510-530nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-150-LED-GRÜN | 150mm | 0°±0.5° | grünes Licht | 510-530nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-ROT-GAAS-620 | 100mm | 15°±0.5° | Rotlicht | 610-630nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
| PAM210527-LED-660 | 100mm | 15°±0.5° | Rotlicht | 660 nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
| PAM-210414-850nm-LED | 100mm | 15°±0.5° | IR | 850nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
| PAMP21138-940LED | 100mm | 15°±0.5° | IR | 940nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
| PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVA | 365 nm | 425um+/-25um | Saphir | ||
| PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVA | 405 nm | 425um+/-25um | Saphir | ||
| PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVC | 275 nm | 425um+/-25um | Saphir | ||
| PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50mm | 0°±0.5° | UV | 405nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
| PAM-50-LD-BLUE-450-SIL | 50mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 450nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
Als Hersteller von LED-Epitaxialwafern kann PAM-XIAMEN aktivierte und nicht aktivierte GaN-Epi-LED-Wafer für LED- und Laserdioden (LD)-Anwendungen anbieten, z. B. für Mikro-LED- oder Ultradünnwafer- oder UV-LED-Forschung oder LED-Hersteller. LED-Epitaxie-Wafer auf GaN werden durch MOCVD mit PSS oder flachem Saphir für LCD-Hintergrundbeleuchtung, mobil, elektronisch oder UV (Ultraviolett) mit blauer oder grüner oder roter Emission gezüchtet, einschließlich aktiver InGaN/GaN-Fläche und AlGaN-Schichten mit GaN-Well/AlGaN Barriere für unterschiedliche Chipgrößen.
2. InGaN/GaN(Galliumnitrid) basierender LED-Epitaxie-Wafer
GaN auf Al2O3-2 "Epi-Wafer-Spezifikation (LED-Epitaxie-Wafer)
| Weiß: 445 × 460 nm |
| Blau: 465 × 475 nm |
| Grün: 510 × 530 nm |
1. Wachstum Technique - MOCVD
2.Wafer Durchmesser: 50,8 mm
3. Wafer-Substratmaterial: Gemustertes Saphir-Substrat (Al2O3) oder flacher Saphir
4.Wafer-Mustergröße: 3X2X1.5μm
3. Waferstruktur:
| Strukturschichten | Dicke (um) |
| p-GaN | 0.2 |
| p-AlGaN | 0.03 |
| InGaN / GaN (aktiver Bereich) | 0.2 |
| n-GaN | 2.5 |
| u- GaN | 3.5 |
| Al2O3 (Substrat) | 430 |
4. Waferparameter zur Herstellung von Chips:
| em | Farbe | Chip Size | Charakteristik | Aussehen | |
| PAM1023A01 | Blau | 10 Millionen x 23mil |  |
Beleuchtung | |
| Vf = 2,8 ~ 3,4 V | LCD-Rücklicht | ||||
| Po = 18 ~ 25mW | Mobile Geräte | ||||
| Wd = 450 ~ 460 nm | Unterhaltungselektronik | ||||
| PAM454501 | Blau | 45mil x 45mil | Vf = 2,8 ~ 3,4 V |  |
Allgemeinbeleuchtung |
| Po = 250 ~ 300 mW | LCD-Rücklicht | ||||
| Wd = 450 ~ 460 nm | Outdoor-Display |
5. Anwendung des LED-Epitaxie-Wafers:
* Wenn Sie weitere Detailinformationen zum blauen LED-Epitaxialwafer benötigen, wenden Sie sich bitte an unsere Vertriebsabteilungen
Beleuchtung
LCD-Rücklicht
Mobile Geräte
Unterhaltungselektronik
6. Spezifikation von LED Epi Wafer als Beispiel:
Spezifikation PAM190730-LED
- Größe: 4 Zoll
- WD: 455 ± 10 nm
- Helligkeit:> 90mcd
- VF: <3,3 V.
- n-GaN-Dicke: <4,1㎛
- u-GaN-Dicke: <2,2㎛
- Substrat: gemustertes Saphirsubstrat (PSS)
7.GaAs (Galliumarsenid) basierendes LED-Wafer-Material:
In Bezug auf GaAs-LED-Wafer werden sie durch MOCVD gezüchtet, siehe unten Wellenlänge des GaAs-LED-Wafers:
Rot: 585nm, 615nm, 630nm 620 ~
Gelb: 587 ~ 592 nm
Gelb / Grün: 568 ~ 573 nm
8. Definition of LED Epitaxial Wafer:
Was wir anbieten, sind nackte LED-Epi-Wafer oder nicht verarbeitete Wafer ohne Lithographieprozesse, n- und Metallkontakte usw. Und Sie können den LED-Chip mit Ihrer Fertigungsausrüstung für verschiedene Anwendungen wie die Nano-Optoelektronik-Forschung herstellen.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Für diese detaillierten GaAs-LED-Wafer-Spezifikationen besuchen Sie bitte:GaAs Epi-Wafer für LED
Für UV-LED-Wafer-Spezifikationen besuchen Sie bitte:UV-LED-Epi-Wafer
Für LED-Wafer auf Silizium-Spezifikationen besuchen Sie bitte:LED-Wafer auf Silizium
Die Spezifikationen für blaue GaN-LD-Wafer finden Sie unter: Blau GaN LD Wafer
For Violet GaN LD Wafer, please visit: 405nm GaN Laser Diode Wafer
850 nm und 940 nm Infrarot-LED-Wafer
850–880 nm und 890–910 nm roter Infrarot-AlGaAs/GaAs-LED-Epi-Wafer
GaN-Wafer zur Herstellung von LED-Geräten
GaN-LED-Strukturepitaxie auf flachem oder PSS-Saphirsubstrat
GaN-Epitaxialwachstum auf Saphir für LED
Si-basierte GaN-PIN-Fotodetektorstruktur
For more foundry services, please visit: GaN Foundry Services for LED Fabrication
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