Auswertungsverfahren der Schwellenspannungsverschiebung der SiC-MOSFETs unter negativer Gate-Vorspannung unter Verwendung von n-Typ-SiC-MOS-Kondensatoren

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Auswertungsverfahren der Schwellenspannungsverschiebung der SiC-MOSFETs unter negativer Gate-Vorspannung unter Verwendung von n-Typ-SiC-MOS-Kondensatoren

Ein neuartiges Verfahren zum Abschätzen Schwellenspannungsverschiebungen von n-Kanal-MOSFETs SiC unter negativen Gate-Vorspannung Spannungen vorgeschlagen. Bei dem vorgeschlagenen Verfahren, n-Typ-SiC MOS-Kondensatoren anstelle von n-Kanal-SiC-MOSFETs verwendet. Die n-Typ-SiC-MOS-Kondensatoren wurden mit ultraviolettem Licht bestrahlt Löcher an den SiC-Oberflächen um den Gate-Bereich zu erzeugen. Durch Anlegen von negativer Gate-Spannung unter dieser Bedingung Inversionsschichten der Löcher wurden gebildet, und die negative Gate-Vorspannung Spannung wurde an die Gate-Oxide der n-Typ-SiC-MOS-Kondensatoren angelegt. Durch dieses Verfahren haben wir untersuchten die Neigung der Flachbandspannung verschiebt mich in SiC-MOS-Kondensatoren, die auf dem Gate-Oxid in Abhängigkeit Erzeugungsbedingung, und es wurde bestätigt, daß die Tendenz in Übereinstimmung ist mit den Schwellenspannungsverschiebungen in SiC-MOSFETs nach dem herkömmlichen Verfahren erhalten.

Quelle: IOPscience

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2019-10-21

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