PAM-XIAMEN bietet GaAs-LED-Wafer an

PAM-XIAMEN bietet GaAs-LED-Wafer an

PAM-XIAMEN bietet GaAs-LED-Epitaxiewafer an, bei dem es sich um einen AlGaInP-LED-Stapel (rote LED) auf einem GaAs-Substrat handelt. Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., ein führender Anbieter vonGaAsepi-waferund andere verwandte Produkte und Dienstleistungen gaben bekannt, dass die neue Verfügbarkeit der Größen 2" und 4" im Jahr 2010 in Massenproduktion geht. Dieses neue Produkt ist eine natürliche Ergänzung der Produktlinie von PAM-XIAMEN.

LED-Epitaxie

Dr. Shaka sagte: „Wir freuen uns, unseren Kunden GaAs LED Epi Wafer anbieten zu können, darunter viele, die bessere und zuverlässigere Lösungen für Red Led entwickeln. Es enthält eine AlGaInP-LED-Struktur mit Multiquantentopf, einschließlich DBR-Schicht für die LED-Chip-Industrie, Wellenlängenbereich von 620 nm bis 780 nm nach MOCVD. Darin wird AlGaInP bei der Herstellung von lichtemittierenden Dioden mit hoher Helligkeit in Rot, Orange, Grün und Gelb verwendet, um die Licht emittierende Heterostruktur zu bilden. Es wird auch zur Herstellung von Diodenlasern verwendet. Die Verfügbarkeit verbessert das Boule-Wachstum und die Wafering-Prozesse.“ und „Unsere Kunden können jetzt von der höheren Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. Unsere LED-Epitaxie auf GaAs-Substrat ist ein natürliches Ergebnis unserer ständigen Bemühungen. Derzeit sind wir bestrebt, kontinuierlich zuverlässigere Produkte zu entwickeln.“

PAM-XIAMEN ist verbessertAlGaInP-LED-StrukturProduktlinie hat von der starken technischen Unterstützung der Native University und des Laborzentrums profitiert.

1. 610~630nm Red LED Reverse Polarity Structure

No.1 GaAs LED Wafer for Red Light

Layer Material Thickness (nm)
p-contact GaP: C 104
p-window GaP: Mg
p-spreading AlGaInP: Mg
p-cladding AlInP: Mg 297
Spacer AlInP
Active region AlGaInP
n-cladding AlInP: Si
n-spreading Al0.6GaInP: Si
? InGaP: Si
n-contact GaAs: Si 80
Etch stop layer InGaP: Si
Buffer GaAs: Si
Substrat GaAs: Si 350000

 

No.2  GaAs Red LED Epitaxy Wafer

Struktur Dicke (nm)
C-GaP 104
Mg-GaP
Mg-AlGaInP-Schicht 42
Mg-AlInP
AlInP 63
MQW,AlGaInP
Si-Al0.6GaInP 296
Si-GaInP
Si-GaAs 8.8
Si-GaInP
Si-GaAs-Puffer
GaAs-Substrat 230

 

Elektrooptische Eigenschaften (Lf–=20 mA, 22℃)

Modellname WD-Code WLD(λd, nm) VF(Vf, V) Rückstrom (Ir, μA) Vr=-10V
PL065RL 630D 630-635 1.90-2.20 0-1
635D 635-640
640D 640-645

 

Elektrooptische Eigenschaften (@20deg. 20m)
Art.-Nr. WLD(nm) VF(V) IR(uA)@Vr=-10 IV
PAM630U 630-640 1,8<Vf<2,2 0<IR<1 25-38

 

Strahlungsfluss (Lf–=20 mA, 22℃)

Strahlungsfluss (LOP, mcd)
Code LU LV LW LX LY LZ LO L1 L2 L3 L4
LOP(mcd) 20-25 21-26 22-27 23-28 24-29 25-30 26-31 27-32 28-33 29-34 30-35

  

Above are reverse polarity structures, and we also can supply positive structure of GaAs LED wafer, detailed structure please consult us at victorchan@powerwaywafer.com.

The difference between the reverse polarity red light and the positive red light of LED is that the positive pole of the red chip is below and the negative electrode is on above. Therefore, the structure of positive LED wafer and reverse polarity LED wafer is different.

Nach dem LED-Epitaxie-Wafer-Herstellungsprozess wird der Epitaxie-Wafer der GaAs-basierten LED in Chips hergestellt, die traditionellen roten und gelben LED-Chips werden mit der positiven Elektrode nach oben und der negativen Elektrode nach unten auf die Halterung gelötet. Später entwickelte rote und gelbe LED-Chips haben die negative Elektrode nach oben und die positive Elektrode wird in umgekehrter traditioneller Richtung auf der Halterung installiert, die als Chip mit umgekehrter Polarität bezeichnet wird. Das Material und der Prozess von roten und gelben LED-Chips mit umgekehrter Polarität unterscheiden sich von denen herkömmlicher roter und gelber LED-Chips. Die Lichtausbeute von LED-Chips mit umgekehrter Polarität ist höher als die von LED-Chips mit herkömmlicher Polarität. Jetzt ist der Chip mit umgekehrter Polarität zum Mainstream der roten und gelben LED-Chips geworden.

Abgesehen von der unterschiedlichen Lichtausbeute sind die Verwendungsmethode und die Spezifikation der installierten Lampenperlen gleich.

2. Über GaAs-Material

Galliumarsenid wird bei der Herstellung von Geräten wie integrierten Mikrowellenfrequenzschaltkreisen, monolithischen integrierten Mikrowellenschaltkreisen, Infrarotlicht emittierenden Dioden, Laserdioden, Solarzellen und optischen Fenstern verwendet.

GaAs wird oft als Substratmaterial für das epitaktische Wachstum anderer III-V-Halbleiter verwendet, einschließlich Indium-Gallium-Arsenid, Aluminium-Gallium-Arsenid und andere.

Einige elektronische Eigenschaften von Galliumarsenid sind denen von Silizium überlegen. Es hat eine höhere Sättigungselektronengeschwindigkeit und eine höhere Elektronenmobilität, wodurch Galliumarsenid-Transistoren bei Frequenzen über 250 GHz arbeiten können. GaAs-Bauelemente sind aufgrund ihrer größeren Energiebandlücke relativ unempfindlich gegenüber Überhitzung und neigen auch dazu, weniger Rauschen (Störungen in einem elektrischen Signal) in elektronischen Schaltungen zu erzeugen als Siliziumbauelemente, insbesondere bei hohen Frequenzen. Dies ist das Ergebnis höherer Ladungsträgermobilitäten und parasitärer Bauelemente mit niedrigerem Widerstand. Diese überlegenen Eigenschaften sind zwingende Gründe, GaAs-Schaltungen in Mobiltelefonen, Satellitenkommunikationen, Mikrowellen-Punkt-zu-Punkt-Verbindungen und Hochfrequenz-Radarsystemen zu verwenden. Es wird auch bei der Herstellung von Gunn-Dioden zur Erzeugung von Mikrowellen verwendet.

Ein weiterer Vorteil von GaAs besteht darin, dass es eine direkte Bandlücke hat, was bedeutet, dass es verwendet werden kann, um Licht effizient zu absorbieren und zu emittieren. Silizium hat eine indirekte Bandlücke und ist daher relativ schlecht beim Emittieren von Licht.

Als Material mit großer direkter Bandlücke und resultierender Beständigkeit gegen Strahlungsschäden ist GaAs ein ausgezeichnetes Material für Weltraumelektronik und optische Fenster in Hochleistungsanwendungen.

Wegen seiner großen Bandlücke ist reines GaAs hochohmig. In Kombination mit einer hohen Dielektrizitätskonstanten macht diese Eigenschaft GaAs zu einem sehr guten Substrat für integrierte Schaltungen und bietet im Gegensatz zu Si eine natürliche Isolierung zwischen Geräten und Schaltungen. Dies hat es zu einem idealen Material für monolithische integrierte Mikrowellenschaltungen, MMICs, gemacht, bei denen aktive und wesentliche passive Komponenten leicht auf einem einzigen Stück GaAs hergestellt werden können.

3. Standards für Galliumarsenid-LED-Epi-Wafer

Die folgenden Standards gelten für epitaktische Wafer aus Galliumarsenid-Phosphor, Gallium-Aluminium-Arsenid, Aluminium-Gallium-Indium-Phosphor und Aluminium-Gallium-Indium-Stickstoff.

3.1 GaAs LED Epitaxie-Wafer-Oberflächenqualität

Der Haupteinflussfaktor der Oberflächenqualität der AlGaInP / GaAs-LED-Epitaxie sind Oberflächendefekte, und der maximal zulässige Wert der Defekte sollte folgende Anforderungen erfüllen:

Maximal zulässiger Wert von Oberflächenfehlern

Artikel Maximal zulässiger Wert
Scratches Die Länge ist kleiner als der Radius und 3 Streifen/cm²2.
Punktdefekte mit einem Durchmesser von ≤1mm 25/cm²2
Punktdefekte mit einem Durchmesser von ≥1mm 5/cm²2
Hinweis: Die Werte in dieser Tabelle gelten für epitaktische Wafer ohne aufgeraute Oberfläche, die durch metallorganische chemische Gasphasenabscheidung gezüchtet wurden.

 

3.2 Physikalische Strukturparameter von AlGaInP Epi Wafer auf GaAs Substrat

Die physikalischen Parameter von Mikro-LED-Epitaxiewafern mit AlGaInP / GaAs-Quantentopf sollten den Anforderungen in der Tabelle entsprechen:

Artikel Einheit Wert
Minimum Maximal
Wellenlänge Optische Fluoreszenz-Peak-Emissionswellenlänge nm x x
Die Wellenlänge, wenn der Fluoreszenzpeak emittiert wird, die Standardabweichung auf dem Wafer x x
P-Typ-Schicht Dicke Äh x x
P-Typ Elektrodenkontaktschicht Dotierungskonzentration cm-3 x x
Aktive Ebene Dicke Äh x x
N-Typ-Schicht N-Typ-Elektrodenkontaktschicht-Dotierungskonzentration cm-3 x x
Dicke Äh x x
Hinweis: „X“ steht für einen bestimmten Wert.

 

3.3 Hauptparameter des LED-Epitaxie-Wafers mit AlGaInP-Epi-Schicht

Die Hauptparameter des Galliumarsenid-LED-Epitaxiewafers sollten die Parameter in der folgenden Tabelle erfüllen:

Parameter Einheit Wert
Minimum Maximal
Optische Parameter Durchlassspannung V x x
Sperrspannung V x
Rückstrom uA x
Spitzenemissionswellenlänge nm x x
Spektrale Verteilungsbandbreite nm x
Dominante Wellenlänge nm x x
Strahlungsleistung mW x
Retentionsrate der Strahlungsleistung % x x
Wafer-Standardabweichung Durchlassspannung x
Spitzenemissionswellenlänge x
Dominante Wellenlänge x
Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung x

 

4. Fragen und Antworten zum roten LED-Epi-Wafer

F1:Ich suche einen roten LED-Epiwafer. Liefern Sie solche Produkte?

Wenn ja, welche Wellenlänge, Wafergröße?

A: Gerne, Ihr Center schon mal bei uns bestellt, und wir haben auch bekommen

Hunderte von Bestellungen von Universitäten in der ganzen Welt jedes Jahr,

und jetzt siehe unten: 4/2” Rote LED Epi-Wafer 620+/-5nm

F2:Welcher Bereich steht in Bezug auf die Wellenlänge zur Verfügung?

Was ist schließlich das Substratmaterial? Hast du ein Datenblatt?

A: Es ist 2" groß, Wellenlänge: 620+/-5nm. Das Substratmaterial ist GaAs.

F3:Ich habe eine Frage, ich verstehe, dass 620 nm die einzige verfügbare Wellenlänge ist?

A:620nm ist verfügbar, 445-475nm und 510-530nm sind ebenfalls erhältlich.

F4:Ich bitte Sie um ein Angebot für einen Epitaxiewafer. Wir möchten W/L: 631 nm – 636 nm haben, λP ist normalerweise 634 nm – 635 nm. Würden Sie mir raten, wie Sie λP W/L messen und garantieren und keinen 2. Peak von IR W/L? Und wie stellen wir eine Korrelation zwischen Ihrer und unserer Seite her?

A:Bitte haben Sie Verständnis für rote LED-Wafer, sein STV selbst ist sehr klein, normalerweise liegt es innerhalb von +/- 2 nm, selbst wir können es von 633 bis 635 nm steuern.

Q5: I have one question for you. What is the turn-on voltage of this device when it is contacted properly in GaInAlP LED wafer? Here we are contacting it using the GaAs substrate as Ground and the turn on voltage is about 9V.

A: Normally the turn-on voltage of the LED device based on InAlGaP LED epi wafer is 1.9-2.3v.

Q6: I am in the process of preparing a lab for the students. Our plan is etch a mesa down to the GaAs substrate and then place one contact on the top and ground contact on a chuck that is in intimate contact with the GaAs substrate. Do you think we can light emission with this configuration or do we have to contact the n layer directly?

A: Yes, GaAs LED epitaxy wafer can be lighting with your configurarion.

Q7: I was asking about the composition of the stack. In the diagram you sent me the top layer of the stack is GaP. My quiestion is: Is there a passivation oxide or nitride layer coated on top of the this top layer of GaP? Some times manufacturers put on this coating to protect the device wafer.

A: There is no any layer coated on the top the GaP layer of GaAs LED wafer.

Q8: Can I ask one last question about p type contact for the reverse polarity wafer? Can Mg-doped GaP (1570 nm thick region) be used as p-type contact region? I am not sure if it is possible to use 100 nm thick C-GaP region as contact region (it will be really hard to control the etch depth).

A: If you want ITO process for reverse polarity wafer, it is not workable, if it is gold process, it is ok.

Q9: Can I ask a question about the etching stop layer of the reverse polarity wafer? After wet etching of GaAs substrate, how should I remove the etching stop layer to expose the n GaAs contact layer?

A: 1/It is difficult to etch GaInP without damage to GaAs by wet etching.

2/ before usage, the red LED wafer with reverse polarity can be cleaned with acetone for xx minutes, or with a certain mixture (210120). Details please contact at victorchan@powerwaywafer.com.

Q10: I was trying to see if I can have a RED light out from the wafer using just putting a Indium chunk to the top of the wafer (GaP) and the side of the wafer, but I wasn’t able to see the red light coming out. Could you suggest a way to check Red light coming out?

A: It’s better to cut the red LED wafer into small pieces to measure, and the current can be increased a little bit. The whole piece is more difficult to measure

Q11: Yes, I cut the LED reverse polarity wafer into small piece and applied voltage range from 1 V to 10 V, I saw the current flowing but I could not see any light coming out. Is this normal?

A: It is suggested that at a current of 20 to 50 ma, the reverse polarity epitaxial wafer itself will light up and look a little weak, but it is impossible not to emit light

Mehr über den LED-Epitaxie-Wafer auf GaAs-Substrat finden Sie unter:

AlGaInP Epi Wafer

AlGaInP LED Chip Sepcification

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.comundpowerwaymaterial@gmail.com

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