Epi-Wafer für Laserdiode

Epi Wafer für Laserdiode

Auf GaAs basierende LD-Epitaxiewafer, die stimulierende Emission erzeugen können, werden häufig für die Herstellung von Laserdioden verwendet, da die überlegenen GaAs-Epitaxiewafereigenschaften dem Gerät einen niedrigen Energieverbrauch, einen hohen Wirkungsgrad, eine lange Lebensdauer usw. verleihen. Zusätzlich zu Galliumarsenid-LD-Epitaxiewafern Üblicherweise verwendete Halbleitermaterialien sind Cadmiumsulfid (CdS), Indiumphosphid (InP) und Zinksulfid (ZnS).

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), ein Lieferant von LD-Epitaxiewafern, konzentriert sich auf GaAs- und InP-basierte Laserdioden-Epiwafer, die in MOCVD-Reaktoren für die Glasfaserkommunikation, industrielle Anwendungen und Spezialzwecke gezüchtet werden. PAM-XIAMEN kann LD-Epitaxiewafer auf Basis von GaAs-Substrat für verschiedene Bereiche wie VCSEL, Infrarot, Fotodetektor usw. anbieten. Weitere Einzelheiten zum LD-Epitaxiewafermaterial finden Sie in der folgenden Tabelle:

Substratmaterial Materialfähigkeit Wellenlänge Anwendung
GaAs GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 635nm  
GaAs-basierter Epi-Wafer 650 nm Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Hohlraum (VCSEL)
RCLED
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 660 nm  
GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs 703 nm  
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 780 nm  
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 785 nm  
GaAs-basierter Epi-Wafer 800-1064 nm Infrarot-LD
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 808 nm Infrarot-LD
GaAs-basierter Epi-Wafer 850nm Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Hohlraum (VCSEL)
RCLED
GaAs-basierter Epi-Wafer <870 nm Fotodetektor
GaAs-basierter Epi-Wafer 850-1100 nm Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Hohlraum (VCSEL)
RCLED
GaAs / AlGaAs / GaInAs / AlGaAs / GaAs 905nm  
GaAs / AlGaAs / InGaAs / AlGaAs / GaAs 950 nm  
GaAs-basierter Epi-Wafer 980nm Infrarot-LD
InP-basierter Epi-Wafer 1250-1600 nm Lawinen-Fotodetektor
GaAs-basierter Epi-Wafer 1250-1600 nm /> 2,0 um
(InGaAs Absorptionsschicht)
Fotodetektor
GaAs-basierter Epi-Wafer 1250-1600 nm / <1,4 um
(InGaAsP-Absorptionsschicht)
Fotodetektor
InP-basierter Epi-Wafer 1270-1630nm DFB-Laser
GaAsP / GaAs / GaAs-Substrat 1300nm  
InP-basierter Epi-Wafer 1310nm FP-Laser
GaAsP / GaAs / GaAs-Substrat 1550 nm FP-Laser
  1654nm  
InP-basierter Epi-Wafer 1900nm FP-Laser
  2004nm  

 

Über LD-Epitaxie-Wafer-Anwendungen und -Markt

Die Anwendungen von GaAs-basierten LD-Epitaxiewafern im Laserbereich können in VCSELs und Nicht-VCSELs unterteilt werden. Die aktuellen GaAs-basierten LD-Epitaxieanwendungen liegen hauptsächlich bei VCSELs. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), basierend auf GaAs-Materialien, wird hauptsächlich zur Gesichtserkennung verwendet. Für die Zukunft wird mit einer hohen Wachstumsrate gerechnet. EEL (Edge Emitting Laser) ist ein Nicht-VCSEL-Gerät, das hauptsächlich im Bereich Automotive-Lidar eingesetzt wird, und die Nachfrage wird voraussichtlich mit der Expansion des Marktes für selbstfahrende Autos steigen.

Das im Laserbereich verwendete GaAs-Substrat erfordert hohe technische Indikatoren und der Stückpreis für epitaktische Wafer ist deutlich höher als in anderen Bereichen. Der zukünftige Markt für LD-Epitaxie ist zu erwarten. Laseranwendungen reagieren am empfindlichsten auf die Versetzungsdichte. Für Laseranwendungen besteht ein hoher Bedarf an GaAs-Substratmaterialien. Daher werden höhere Anforderungen an die Hersteller von LD-Epitaxie-Wafern und den LD-Epitaxie-Wafer-Prozess gestellt. Derzeit ist der auf GaAs-Substrat basierende Halbleiterlaser im nahen Infrarotbereich (760–1060 nm) am weitesten entwickelt und am weitesten verbreitet und wurde bereits kommerzialisiert.

 

Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Wir hoffen auf Ihr Verständnis und Ihre Mitarbeit!

Nachfolgend finden Sie die detaillierten Spezifikationen des LD-Epitaxie-Wafers:

VCSEL Laser Wafer Chip

VCSEL-Laser-Epi-Wafer

703nm Laserdioden-Epi-Wafer

808nm Laserdiode epi Wafer-1

780 nm Laserdioden-Epi-Wafer

650-nm-Laserdioden-Epi-Wafer

785 nm Laserdioden-Epi-Wafer

808nm Laserdioden-Epi-Wafer-2

850 nm Laserdioden-Epi-Wafer

905nm Laserdioden-Epi-Wafer

940-nm-Laserdioden-Epi-Wafer

950 nm Laserdioden-Epi-Wafer

1060-nm-Hochleistungs-Laserwafer

1300-nm-Laserdiodenwafer

1460 nm Pumplaserdiodenwafer

1550 nm Laserdioden-Epi-Wafer

1654nm Laserdioden-Epi-Wafer

2004nm Laserdioden-Epi-Wafer

GaAs-Epitaxie mit dickem Wachstum

GaAs-basierte Epi-Struktur MOCVD für Lichtemitter gezüchtet

Schmales InGaAsP-Quantum-Well-Wachstum auf InP-Wafer

InAs-Quantenpunktschichten auf InP-Substrat

FP (Fabry-Perot) Laserwafer

PCSEL-Wafer

Quantenkaskadenlaser-Wafer

 

Einzelemitter-Chips

Einzelemitter-LD-Chip 755 nm bei 8 W.

Single-Emitter-LD Chip 808nm @ 8W

Einzelemitter-LD-Chip 808 nm bei 10 W.

Einzelemitter-LD-Chip 830 nm bei 2 W.

Einzelemitter-LD-Chip 880 nm bei 8 W.

Einzelemitter-LD-Chip 900 + nm bei 10 W.

Einzelemitter-LD-Chip 900 + nm bei 15 W.

Einzelemitter-LD-Chip 905 nm bei 25 W.

Einzelemitter-LD-Chip 1470 nm bei 3 W.

PAM XIAMEN bietet 1470 / 1550nm Hochleistungslaser-Einzelchip wie folgt an:

LD Bare Bar

LD Bare Bar für 780nm @ Hohlraum 2.5mm

LD Bare Bar für 808nm @ Hohlraum 2mm

LD Bare Bar für 808nm @ Hohlraum 1,5mm

LD Bare Bar für 880 nm @ Hohlraum 2 mm

LD Bare Bar für 940nm @ Hohlraum 2mm

LD Bare Bar für 940nm @ Hohlraum 3mm

LD Bare Bar für 940nm @ Hohlraum 4mm

LD Bare Bar für 940nm @ Hohlraum 2mm

LD Bare Bar für 976nm @ Hohlraum 4mm

LD Bare Bar für 1470nm @ Hohlraum 2mm

LD Bare Bar für 1550nm @ Hohlraum 2mm