Epi Wafer für Laserdiode
Auf GaAs basierende LD-Epitaxiewafer, die stimulierende Emission erzeugen können, werden häufig für die Herstellung von Laserdioden verwendet, da die überlegenen GaAs-Epitaxiewafereigenschaften dem Gerät einen niedrigen Energieverbrauch, einen hohen Wirkungsgrad, eine lange Lebensdauer usw. verleihen. Zusätzlich zu Galliumarsenid-LD-Epitaxiewafern Üblicherweise verwendete Halbleitermaterialien sind Cadmiumsulfid (CdS), Indiumphosphid (InP) und Zinksulfid (ZnS).
- Beschreibung
Produktbeschreibung
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), ein Lieferant von LD-Epitaxiewafern, konzentriert sich auf GaAs- und InP-basierte Laserdioden-Epiwafer, die in MOCVD-Reaktoren für die Glasfaserkommunikation, industrielle Anwendungen und Spezialzwecke gezüchtet werden. PAM-XIAMEN kann LD-Epitaxiewafer auf Basis von GaAs-Substrat für verschiedene Bereiche wie VCSEL, Infrarot, Fotodetektor usw. anbieten. Weitere Einzelheiten zum LD-Epitaxiewafermaterial finden Sie in der folgenden Tabelle:
Substratmaterial | Materialfähigkeit | Wellenlänge | Anwendung |
GaAs | GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 635nm | |
GaAs-basierter Epi-Wafer | 650 nm | Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Hohlraum (VCSEL) RCLED |
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GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 660 nm | ||
GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs | 703 nm | ||
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 780 nm | ||
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 785 nm | ||
GaAs-basierter Epi-Wafer | 800-1064 nm | Infrarot-LD | |
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 808 nm | Infrarot-LD | |
GaAs-basierter Epi-Wafer | 850nm | Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Hohlraum (VCSEL) RCLED |
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GaAs-basierter Epi-Wafer | <870 nm | Fotodetektor | |
GaAs-basierter Epi-Wafer | 850-1100 nm | Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Hohlraum (VCSEL) RCLED |
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GaAs / AlGaAs / GaInAs / AlGaAs / GaAs | 905nm | ||
GaAs / AlGaAs / InGaAs / AlGaAs / GaAs | 950 nm | ||
GaAs-basierter Epi-Wafer | 980nm | Infrarot-LD | |
InP-basierter Epi-Wafer | 1250-1600 nm | Lawinen-Fotodetektor | |
GaAs-basierter Epi-Wafer | 1250-1600 nm /> 2,0 um (InGaAs Absorptionsschicht) |
Fotodetektor | |
GaAs-basierter Epi-Wafer | 1250-1600 nm / <1,4 um (InGaAsP-Absorptionsschicht) |
Fotodetektor | |
InP-basierter Epi-Wafer | 1270-1630nm | DFB-Laser | |
GaAsP / GaAs / GaAs-Substrat | 1300nm | ||
InP-basierter Epi-Wafer | 1310nm | FP-Laser | |
GaAsP / GaAs / GaAs-Substrat | 1550 nm | FP-Laser | |
1654nm | |||
InP-basierter Epi-Wafer | 1900nm | FP-Laser | |
2004nm |
Über LD-Epitaxie-Wafer-Anwendungen und -Markt
Die Anwendungen von GaAs-basierten LD-Epitaxiewafern im Laserbereich können in VCSELs und Nicht-VCSELs unterteilt werden. Die aktuellen GaAs-basierten LD-Epitaxieanwendungen liegen hauptsächlich bei VCSELs. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), basierend auf GaAs-Materialien, wird hauptsächlich zur Gesichtserkennung verwendet. Für die Zukunft wird mit einer hohen Wachstumsrate gerechnet. EEL (Edge Emitting Laser) ist ein Nicht-VCSEL-Gerät, das hauptsächlich im Bereich Automotive-Lidar eingesetzt wird, und die Nachfrage wird voraussichtlich mit der Expansion des Marktes für selbstfahrende Autos steigen.
Das im Laserbereich verwendete GaAs-Substrat erfordert hohe technische Indikatoren und der Stückpreis für epitaktische Wafer ist deutlich höher als in anderen Bereichen. Der zukünftige Markt für LD-Epitaxie ist zu erwarten. Laseranwendungen reagieren am empfindlichsten auf die Versetzungsdichte. Für Laseranwendungen besteht ein hoher Bedarf an GaAs-Substratmaterialien. Daher werden höhere Anforderungen an die Hersteller von LD-Epitaxie-Wafern und den LD-Epitaxie-Wafer-Prozess gestellt. Derzeit ist der auf GaAs-Substrat basierende Halbleiterlaser im nahen Infrarotbereich (760–1060 nm) am weitesten entwickelt und am weitesten verbreitet und wurde bereits kommerzialisiert.
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Wir hoffen auf Ihr Verständnis und Ihre Mitarbeit!
Nachfolgend finden Sie die detaillierten Spezifikationen des LD-Epitaxie-Wafers:
1060-nm-Hochleistungs-Laserwafer
GaAs-Epitaxie mit dickem Wachstum
GaAs-basierte Epi-Struktur MOCVD für Lichtemitter gezüchtet
Schmales InGaAsP-Quantum-Well-Wachstum auf InP-Wafer
InAs-Quantenpunktschichten auf InP-Substrat
Einzelemitter-Chips
Einzelemitter-LD-Chip 755 nm bei 8 W.
Single-Emitter-LD Chip 808nm @ 8W
Einzelemitter-LD-Chip 808 nm bei 10 W.
Einzelemitter-LD-Chip 830 nm bei 2 W.
Einzelemitter-LD-Chip 880 nm bei 8 W.
Einzelemitter-LD-Chip 900 + nm bei 10 W.
Einzelemitter-LD-Chip 900 + nm bei 15 W.
Einzelemitter-LD-Chip 905 nm bei 25 W.
Einzelemitter-LD-Chip 1470 nm bei 3 W.
PAM XIAMEN bietet 1470 / 1550nm Hochleistungslaser-Einzelchip wie folgt an:
LD Bare Bar
LD Bare Bar für 780nm @ Hohlraum 2.5mm
LD Bare Bar für 808nm @ Hohlraum 2mm
LD Bare Bar für 808nm @ Hohlraum 1,5mm
LD Bare Bar für 880 nm @ Hohlraum 2 mm
LD Bare Bar für 940nm @ Hohlraum 2mm
LD Bare Bar für 940nm @ Hohlraum 3mm
LD Bare Bar für 940nm @ Hohlraum 4mm
LD Bare Bar für 940nm @ Hohlraum 2mm
LD Bare Bar für 976nm @ Hohlraum 4mm