GaAs Epiwafer

PAM-XIAMEN stellt verschiedene Arten von Epi-Wafer III-V-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien basierend auf Ga, Al, In, As und P her, die durch MBE oder MOCVD gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische GaAs-Epiwafer-Strukturen, um Kundenspezifikationen zu erfüllen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

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Produktbeschreibung

GaAs Epi-Wafer

Als führende GaAs-Epi-Wafer-Foundry stellt PAM-XIAMEN verschiedene Arten von Epiwafer III-V-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien auf der Basis von Ga, Al, In, As und P her, die durch MBE oder MOCVD gezüchtet werden, die ein niedriges Galliumarsenid ergeben Epi-Wafer defekt. Wir liefern kundenspezifische GaAs-Epiwafer-Strukturen, um Kundenspezifikationen zu erfüllen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

Wir haben Zahlen der US-Veeco GEN2000, GEN200 groß angelegte Produktion von Epitaxie-Geräten Produktionslinie, vollständigen Satz von XRD; PL-Mapping; Surfacescan und andere erstklassige Analyse- und Testgeräte. Das Unternehmen verfügt über mehr als 12.000 Quadratmeter unterstützende Anlagen, darunter supersaubere Halbleiter von Weltklasse und eine damit verbundene Forschung und Entwicklung der jüngeren Generation von sauberen Laboreinrichtungen.

Spezifikation für alle neuen und vorgestellten Produkte von MBE III-V-Verbindungshalbleiter-Epitaxiewafern:

Substratmaterial Materialfähigkeit Anwendung
GaAs Niedertemperatur-GaAs THz
GaAs GaAs / GaAlAs / GaAs / GaAs Schottky Diode
InP InGaAs PIN-Detektor
InP InP / InP / InGaAsP / InP / InGaAs Laser
GaAs GaAs / AlAs / GaAs  
InP InP / InAsP / InGaAs / InAsP  
GaAs GaAs / InGaAsN / AlGaAs  
/ GaAs / AlGaAs
InP InP / InGaAs / InP Fotodetektoren
InP InP / InGaAs / InP  
InP InP / InGaAs  
GaAs GaAs / InGaP / GaAs / AlInP Solarzelle
/ InGaP / AlInP / InGaP / AlInP
GaAs GaAs / GaInP / GaInAs / GaAs / AlGaAs / GalnP / GalnAs Solarzelle
/ GalnP / GaAs / AlGaAs / AllnP / GalnP / AllnP / GalnAs
InP InP / GaInP  
GaAs GaAs / AlInP  
GaAs GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs 703nm Laser
GaAs GaAs / AlGaAs / GaAs  
GaAs GaAs / AlGaAs / GaAs / AlGaAs / GaAs HEMT
GaAs GaAs / AlAs / GaAs / AlAs / GaAs mHEMT
GaAs GaAs / DBR / AlGaInP / MQW / AlGaInP / GaP LED-Wafer, Festkörperbeleuchtung
GaAs GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 635 nm, 660 nm, 808 nm, 780 nm, 785 nm,
/ GaAsP / GaAs / GaAs-Substrat 950 nm, 1300 nm, 1550 nm Laser
GaSb AlSb / GaInSb / InAs IR-Detektor, PIN, Sensorik, IR-Cemera
Silizium InP oder GaAs auf Silizium Hochgeschwindigkeits-IC / Mikroprozessoren
InSb Beryllium dotiertes InSb  
/ undotiertes InSb / Te dotiertes InSb /

 

Galliumarsenid ist derzeit eines der wichtigsten Verbindungshalbleitermaterialien mit der am höchsten ausgereiften Epi-Wafer-Technologie. GaAs-Material hat die Eigenschaften einer großen verbotenen Bandbreite, einer hohen Elektronenmobilität, einer direkten Bandlücke und einer hohen Lichtausbeute. Aufgrund all dieser Vorteile von Epi-Wafern ist die GaAs-Epitaxie derzeit das wichtigste Material, das in der Optoelektronik verwendet wird. Inzwischen ist es auch ein wichtiges mikroelektronisches Material. Entsprechend dem Unterschied in der elektrischen Leitfähigkeit können GaAs-Epi-Wafermaterialien in halbisolierendes (SI) GaAs und halbleitendes (SC) GaAs unterteilt werden.

Im Bereich der Epitaxie-Wafer ist der Marktanteil der Epi-Wafer bei HF- und Laseranwendungen sehr groß.

 

Für weitere Detailspezifikationen lesen Sie bitte Folgendes:

LT-GaAs-Epi-Schicht auf GaAs-Substrat

LT-GaAs-Dünnfilm für Fotodetektoren und Fotomischer

Bei niedriger Temperatur gewachsenes InGaAs

GaAs-Schottky-Dioden-Epitaxiewafer

InGaAs / InP-Epi-Wafer für PIN

InGaAsP / InGaAs auf InP-Substraten

InGaAs APD-Wafer mit hoher Leistung

 

GaAs / AlAs-Wafer

InGaAsN epitaktisch auf GaAs oder InP-Wafern

Struktur für InGaAs-Fotodetektoren

InP / InGaAs / InP-Epi-Wafer

InGaAs-Strukturwafer

AlGaP / GaAs-Epi-Wafer für Solarzellen

Triple-Junction-Solarzellen

Solar Cell Structure Epitaxially Grown on InP Wafer

GaAs-Epitaxie

GaInP / InP-Epi-Wafer

AlInP / GaAs-Epi-Wafer

Growth of GaAsSb / InGaAs Type-II Superlattice

 

Schichtstruktur des 703nm Lasers

808nm Laser-Wafer

780 nm Laser Wafern

 

GaAs PIN epi Wafer

AlGaAs / GaAs PIN Epitaxial Wafer

1550nm GaInAsP / InP PIN Photodiode Structure

GaAs / AlGaAs / GaAs-Epi-Wafer

GaAs-basierter Epitaxie-Wafer für LED und LD, siehe Beschreibung unten.
 
GaAs pHEMT epi wafer (GaAs, AlGaAs, InGaAs), please see below desc.
GaAs mHEMT epi Wafer(mHEMT: metamorpher Transistor mit hoher Elektronenmobilität)
GaAs-HBT-Epi-Wafer (GaAs-HBT sind Bipolartransistoren, die aus mindestens zwei verschiedenen Halbleitern bestehen, die auf GaAs-basierter Technologie basieren.)Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MESFET)
 
Heteroübergangs-Feldeffekttransistor (HFET)
Transistor mit hoher Elektronenmobilität (HEMT)
Pseudomorpher Transistor mit hoher Elektronenmobilität (pHEMT)
Resonanz-Tunneldiode (RTD)
PiN-Diode
Hall-Effekt-Geräte
Diode mit variabler Kapazität (VCD)
GaAs-Substrat, 50 nm InAlP und dann 2,5 Mikrometer GaAs PAM210406-INALP

 

Nun listen wir einige Spezifikationen auf:

GaAs HEMT-Epiwafer, Größe: 2~6 Zoll
 Artikel   Technische Daten  Anmerkung
Parameter Al Zusammensetzung / In Zusammensetzung / Blattbeständigkeit Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
Hallenmobilität / 2DEG-Konzentration
Messtechnik Röntgenbeugung / Wirbelstrom Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
Berührungslose Halle
Typisches Ventil Nahtabhängig Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
5000 ~ 6500 cm² / V · S / 0,5 ~ 1,0 × 1012 cm²
Standardtoleranz ± 0,01 / ± 3% / keine Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
GaAs (Galliumarsenid) pHEMT-Epiwafer, Größe: 2 ~ 6 Zoll
 Artikel   Technische Daten  Anmerkung
Parameter Al Zusammensetzung / In Zusammensetzung / Blattbeständigkeit Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
Hallenmobilität / 2DEG-Konzentration
Messtechnik Röntgenbeugung / Wirbelstrom Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
Berührungslose Halle
Typisches Ventil Nahtabhängig Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
5000 ~ 6800 cm 2 / V · S / 2,0 ~ 3,4 × 1012 cm 2
Standardtoleranz ± 0,01 / ± 3% / keine Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
Anmerkung: GaAs pHEMT: Im Vergleich zu GaAs HEMT enthält GaAs PHEMT auch InxGa1-xAs, wobei InxAs für GaAs-basierte Geräte auf x < 0,3 beschränkt ist. Strukturen, die mit derselben Gitterkonstante wie HEMT, aber unterschiedlichen Bandlücken gewachsen sind, werden einfach als gitterangepasste HEMTs bezeichnet.
GaAs mHEMT-Epiwafer, Größe: 2~6 Zoll
 Artikel   Technische Daten  Anmerkung
Parameter In Zusammensetzung / Blattbeständigkeit Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
Hallenmobilität / 2DEG-Konzentration
Messtechnik Röntgenbeugung / Wirbelstrom Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
Berührungslose Halle
Typisches Ventil Nahtabhängig Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
8000~10000cm2/V ·S/2,0~3,6x 1012cm-2
Standardtoleranz ± 3% / keine Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung
InP HEMT-Epiwafer, Größe: 2 ~ 4 Zoll
 Artikel   Technische Daten  Anmerkung
Parameter In Zusammensetzung / Blattwiderstand / Hallmobilität Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung

  

Anmerkung: GaAs (Galliumarsenid) ist ein Verbindungshalbleitermaterial, eine Mischung aus zwei Elementen, Gallium (Ga) und Arsen (As). Die Anwendungen von Galliumarsenid sind vielfältig und umfassen die Verwendung in LED/LD, Feldeffekttransistoren (FETs) und integrierten Schaltungen (ICs).

Geräteanwendungen

HF-Schalter,Leistungs- und rauscharme Verstärker,Hallsensor,Optischer Modulator

Drahtlos: Handy oder Basisstationen

Kfz-Radar,MMIC, RFIC,Glasfaserkommunikation

GaAs Epi Wafer für LED / IR-Serie:

1. Allgemeine Beschreibung:

1.1 Wachstumsmethode: MOCVD
1.2 GaAs-Epi-Wafer für drahtlose Netzwerke

1.3GaAs-Epi-Wafer für LED/ IR und LD / PD

2.Epi Wafer Spezifikationen:

2.1 Wafergröße: 2 Zoll Durchmesser

2.2 GaAs Epi-Wafer-Struktur (von oben nach unten):

P + GaAs

p-GaP

p-AlGaInP

MQW-AlGaInP

n-AlGaInP

DBR n-ALGaAs / AlAs

Puffer

GaAs-Substrat

3.Chip-Trennung (Basis auf 9mil * 9mil-Chips)

3.1 Parameter

Chipgröße 9mil * 9mil

Dicke 190 ± 10 um

Elektrodendurchmesser 90um ± 5um

3.2 Optisch-elektrische Zeichen (Ir = 20mA, 22 ℃)

Wellenlänge 620 ~ 625 nm

Durchlassspannung 1,9 ~ 2,2 V.

Sperrspannung ≥10V

Rückstrom 0-1uA

3.3 Lichtintensitätszeichen (Ir = 20mA, 22 ℃)

IV (MCD) 80-140

3.4 Epiwafer-Durchschnittslänge

Artikel

Einheit

Rot

Gelb

Gelbgrün

Beschreibung

Wellenlänge (λD)

nm

585,615,620 ~ 630

587 ~ 592

568 ~ 573

IF = 20 mA

Wachstumsmethoden: MOCVD, MBE

Epitaxie = Filmwachstum mit kristallographischer Beziehung zwischen Film und Substrat Homoepitaxie (Autoepitaxie, Isoepitaxie) = Film und Substrat sind das gleiche Material Heteroepitaxie = Film und Substrat sind unterschiedliche Materialien. ZumWeitere Informationen zu Wachstumsmethoden, klicken Sie bitte auf folgendes:https://www.powerwaywafer.com/technology.html

InGaAs Epitaxy Sensor / Detector:

Shortwave Infrared InGaAs Sensor

InGaAs SWIR Detector

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