GaAs Epiwafer
PAM-XIAMEN stellt verschiedene Arten von Epi-Wafer III-V-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien basierend auf Ga, Al, In, As und P her, die durch MBE oder MOCVD gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische GaAs-Epiwafer-Strukturen, um Kundenspezifikationen zu erfüllen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
- Description
Produktbeschreibung
GaAs Epi-Wafer
Als führende GaAs-Epi-Wafer-Foundry stellt PAM-XIAMEN verschiedene Arten von Epiwafer III-V-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien auf der Basis von Ga, Al, In, As und P her, die durch MBE oder MOCVD gezüchtet werden, die ein niedriges Galliumarsenid ergeben Epi-Wafer defekt. Wir liefern kundenspezifische GaAs-Epiwafer-Strukturen, um Kundenspezifikationen zu erfüllen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
Wir haben Zahlen der US-Veeco GEN2000, GEN200 groß angelegte Produktion von Epitaxie-Geräten Produktionslinie, vollständigen Satz von XRD; PL-Mapping; Surfacescan und andere erstklassige Analyse- und Testgeräte. Das Unternehmen verfügt über mehr als 12.000 Quadratmeter unterstützende Anlagen, darunter supersaubere Halbleiter von Weltklasse und eine damit verbundene Forschung und Entwicklung der jüngeren Generation von sauberen Laboreinrichtungen.
Spezifikation für alle neuen und vorgestellten Produkte von MBE III-V-Verbindungshalbleiter-Epitaxiewafern:
| Substratmaterial | Materialfähigkeit | Anwendung |
| GaAs | Niedertemperatur-GaAs | THz |
| GaAs | GaAs / GaAlAs / GaAs / GaAs | Schottky Diode |
| InP | InGaAs | PIN-Detektor |
| InP | InP / InP / InGaAsP / InP / InGaAs | Laser |
| GaAs | GaAs / AlAs / GaAs | |
| InP | InP / InAsP / InGaAs / InAsP | |
| GaAs | GaAs / InGaAsN / AlGaAs | |
| / GaAs / AlGaAs | ||
| InP | InP / InGaAs / InP | Fotodetektoren |
| InP | InP / InGaAs / InP | |
| InP | InP / InGaAs | |
| GaAs | GaAs / InGaP / GaAs / AlInP | Solarzelle |
| / InGaP / AlInP / InGaP / AlInP | ||
| GaAs | GaAs / GaInP / GaInAs / GaAs / AlGaAs / GalnP / GalnAs | Solarzelle |
| / GalnP / GaAs / AlGaAs / AllnP / GalnP / AllnP / GalnAs | ||
| InP | InP / GaInP | |
| GaAs | GaAs / AlInP | |
| GaAs | GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs | 703nm Laser |
| GaAs | GaAs / AlGaAs / GaAs | |
| GaAs | GaAs / AlGaAs / GaAs / AlGaAs / GaAs | HEMT |
| GaAs | GaAs / AlAs / GaAs / AlAs / GaAs | mHEMT |
| GaAs | GaAs / DBR / AlGaInP / MQW / AlGaInP / GaP | LED-Wafer, Festkörperbeleuchtung |
| GaAs | GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 635 nm, 660 nm, 808 nm, 780 nm, 785 nm, |
| / GaAsP / GaAs / GaAs-Substrat | 950 nm, 1300 nm, 1550 nm Laser | |
| GaSb | AlSb / GaInSb / InAs | IR-Detektor, PIN, Sensorik, IR-Cemera |
| Silizium | InP oder GaAs auf Silizium | Hochgeschwindigkeits-IC / Mikroprozessoren |
| InSb | Beryllium dotiertes InSb | |
| / undotiertes InSb / Te dotiertes InSb / |
Galliumarsenid ist derzeit eines der wichtigsten Verbindungshalbleitermaterialien mit der am höchsten ausgereiften Epi-Wafer-Technologie. GaAs-Material hat die Eigenschaften einer großen verbotenen Bandbreite, einer hohen Elektronenmobilität, einer direkten Bandlücke und einer hohen Lichtausbeute. Aufgrund all dieser Vorteile von Epi-Wafern ist die GaAs-Epitaxie derzeit das wichtigste Material, das in der Optoelektronik verwendet wird. Inzwischen ist es auch ein wichtiges mikroelektronisches Material. Entsprechend dem Unterschied in der elektrischen Leitfähigkeit können GaAs-Epi-Wafermaterialien in halbisolierendes (SI) GaAs und halbleitendes (SC) GaAs unterteilt werden.
Im Bereich der Epitaxie-Wafer ist der Marktanteil der Epi-Wafer bei HF- und Laseranwendungen sehr groß.
Für weitere Detailspezifikationen lesen Sie bitte Folgendes:
LT-GaAs-Epi-Schicht auf GaAs-Substrat
LT GaAs Thin Film for Photodetectors and Photomixers
Bei niedriger Temperatur gewachsenes InGaAs
GaAs-Schottky-Dioden-Epitaxiewafer
InGaAs / InP-Epi-Wafer für PIN
InGaAsP / InGaAs auf InP-Substraten
InGaAs APD-Wafer mit hoher Leistung
InGaAsN epitaktisch auf GaAs oder InP-Wafern
Struktur für InGaAs-Fotodetektoren
AlGaP / GaAs-Epi-Wafer für Solarzellen
Solar Cell Structure Epitaxially Grown on InP Wafer
Wachstum des GaAsSb/InGaAs-Typ-II-Übergitters
Schichtstruktur des 703nm Lasers
AlGaAs / GaAs PIN Epitaxial Wafer
1550nm GaInAsP / InP PIN Photodiode Structure
GaAs / AlGaAs / GaAs-Epi-Wafer
Nun listen wir einige Spezifikationen auf:
| GaAs HEMT-Epiwafer, Größe: 2~6 Zoll | ||
| Artikel | Technische Daten | Anmerkung |
| Parameter | Al Zusammensetzung / In Zusammensetzung / Blattbeständigkeit | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| Hallenmobilität / 2DEG-Konzentration | ||
| Messtechnik | Röntgenbeugung / Wirbelstrom | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| Berührungslose Halle | ||
| Typisches Ventil | Nahtabhängig | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| 5000 ~ 6500 cm² / V · S / 0,5 ~ 1,0 × 1012 cm² | ||
| Standardtoleranz | ± 0,01 / ± 3% / keine | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| GaAs (Galliumarsenid) pHEMT-Epiwafer, Größe: 2 ~ 6 Zoll | ||
| Artikel | Technische Daten | Anmerkung |
| Parameter | Al Zusammensetzung / In Zusammensetzung / Blattbeständigkeit | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| Hallenmobilität / 2DEG-Konzentration | ||
| Messtechnik | Röntgenbeugung / Wirbelstrom | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| Berührungslose Halle | ||
| Typisches Ventil | Nahtabhängig | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| 5000 ~ 6800 cm 2 / V · S / 2,0 ~ 3,4 × 1012 cm 2 | ||
| Standardtoleranz | ± 0,01 / ± 3% / keine | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| Anmerkung: GaAs pHEMT: Im Vergleich zu GaAs HEMT enthält GaAs PHEMT auch InxGa1-xAs, wobei InxAs für GaAs-basierte Geräte auf x < 0,3 beschränkt ist. Strukturen, die mit derselben Gitterkonstante wie HEMT, aber unterschiedlichen Bandlücken gewachsen sind, werden einfach als gitterangepasste HEMTs bezeichnet. | ||
| GaAs mHEMT-Epiwafer, Größe: 2~6 Zoll | ||
| Artikel | Technische Daten | Anmerkung |
| Parameter | In Zusammensetzung / Blattbeständigkeit | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| Hallenmobilität / 2DEG-Konzentration | ||
| Messtechnik | Röntgenbeugung / Wirbelstrom | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| Berührungslose Halle | ||
| Typisches Ventil | Nahtabhängig | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| 8000~10000cm2/V ·S/2,0~3,6x 1012cm-2 | ||
| Standardtoleranz | ± 3% / keine | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
| InP HEMT-Epiwafer, Größe: 2 ~ 4 Zoll | ||
| Artikel | Technische Daten | Anmerkung |
| Parameter | In Zusammensetzung / Blattwiderstand / Hallmobilität | Bitte wenden Sie sich an unsere technische Abteilung |
Anmerkung: GaAs (Galliumarsenid) ist ein Verbindungshalbleitermaterial, eine Mischung aus zwei Elementen, Gallium (Ga) und Arsen (As). Die Anwendungen von Galliumarsenid sind vielfältig und umfassen die Verwendung in LED/LD, Feldeffekttransistoren (FETs) und integrierten Schaltungen (ICs).
Geräteanwendungen
HF-Schalter,Leistungs- und rauscharme Verstärker,Hallsensor,Optischer Modulator
Drahtlos: Handy oder Basisstationen
Kfz-Radar,MMIC, RFIC,Glasfaserkommunikation
GaAs Epi Wafer für LED / IR-Serie:
1. Allgemeine Beschreibung:
1.1 Wachstumsmethode: MOCVD
1.2 GaAs-Epi-Wafer für drahtlose Netzwerke
1.3GaAs-Epi-Wafer für LED/ IR und LD / PD
2.Epi Wafer Spezifikationen:
2.1 Wafergröße: 2 Zoll Durchmesser
2.2 GaAs Epi-Wafer-Struktur (von oben nach unten):
P + GaAs
p-GaP
p-AlGaInP
MQW-AlGaInP
n-AlGaInP
DBR n-ALGaAs / AlAs
Puffer
GaAs-Substrat
3.Chip-Trennung (Basis auf 9mil * 9mil-Chips)
3.1 Parameter
Chipgröße 9mil * 9mil
Dicke 190 ± 10 um
Elektrodendurchmesser 90um ± 5um
3.2 Optisch-elektrische Zeichen (Ir = 20mA, 22 ℃)
Wellenlänge 620 ~ 625 nm
Durchlassspannung 1,9 ～ 2,2 V.
Sperrspannung ≥10V
Rückstrom 0-1uA
3.3 Lichtintensitätszeichen (Ir = 20mA, 22 ℃)
IV (MCD) 80-140
3.4 Epiwafer-Durchschnittslänge
|
Artikel |
Einheit |
Rot |
Gelb |
Gelbgrün |
Beschreibung |
|
Wellenlänge (λD) |
nm |
585,615,620 ~ 630 |
587 ~ 592 |
568 ~ 573 |
IF = 20 mA |
Wachstumsmethoden: MOCVD, MBE
Epitaxie = Filmwachstum mit kristallographischer Beziehung zwischen Film und Substrat Homoepitaxie (Autoepitaxie, Isoepitaxie) = Film und Substrat sind das gleiche Material Heteroepitaxie = Film und Substrat sind unterschiedliche Materialien. ZumWeitere Informationen zu Wachstumsmethoden, klicken Sie bitte auf folgendes:https://www.powerwaywafer.com/technology.html
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
InGaAs Epitaxy Sensor / Detector:
Kurzwellen-Infrarot-InGaAs-Sensor
InGaAs/InAlAs Epistucture for Single Photon Detector
Epiwafer for Photonic Integrated Chip:
Sie können auch mögen ...
-
SiC-Wafer-Substrat
The company has a complete SiC(silicon carbide) wafer substrate production line integrating crystal growth, crystal processing, wafer processing, polishing, cleaning and testing. Nowadays we supply commercial 4H and 6H SiC wafers with semi insulation and conductivity in on-axis or off-axis, available size:5x5mm2,10x10mm2, 2”,3”,4”, 6” and 8″, breaking through key technologies such as defect suppression, seed crystal processing and rapid growth, promoting basic research and development related to silicon carbide epitaxy, devices, etc.
-
Freistehenden GaN-Substrat
PAM-XIAMEN hat die Fertigungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid)GaN-Substratwafer etabliert, die für UHB-LED und LD vorgesehen ist. Gezüchtet durch Hydrid-Dampfphasen-Epitaxie (HVPE)-Technologie, hat unser GaN-Substrat eine geringe Defektdichte.
-
Float-Zone monokristallinem Silizium
PAM-XIAMEN kann Float-Zone-Siliziumwafer anbieten, die durch das Float-Zone-Verfahren gewonnen werden. Monokristalline Siliziumstäbe werden durch Float-Zone-Wachstum gewonnen und dann die monokristallinen Siliziumstäbe zu Siliziumwafern verarbeitet, die als Float-Zone-Siliziumwafer bezeichnet werden. Da der zonengeschmolzene Siliziumwafer den Quarztiegel während des Schwebezonen-Siliziumprozesses nicht berührt, befindet sich das Siliziummaterial in einem suspendierten Zustand. Dadurch wird es während des Schwebezonenschmelzens von Silizium weniger verschmutzt. Der Kohlenstoffgehalt und der Sauerstoffgehalt sind niedriger, die Verunreinigungen sind geringer und der spezifische Widerstand ist höher. Es eignet sich für die Herstellung von Leistungsgeräten und bestimmten elektronischen Hochspannungsgeräten.
-
InP-Wafer
PAM-XIAMEN offers VGF InP(Indium Phosphide) wafer with prime or test grade including low dope, N type or semi-insulating. The mobility of InP wafer is different in different type, low doped one>=3000cm2/V.s, N type>1000 or 2000cm2V.s(depends on different doping concentration), P type: 60+/-10 or 80+/-10cm2/V.s(depends on different Zn doping concentration), and semi-insulting one>2000cm2/V.s, the EPD of Indium Phosphide is below 500/cm2 normally.
-
Ge (Germanium) Einkristallen und Oblaten
PAM-XIAMEN bietet 2”, 3”, 4” und 6” Germanium-Wafer an, die Abkürzung für Ge-Wafer, gezüchtet von VGF / LEC. Leicht dotierte Germaniumwafer vom P- und N-Typ können auch für Hall-Effekt-Experimente verwendet werden. Bei Raumtemperatur ist kristallines Germanium spröde und weist eine geringe Plastizität auf. Germanium hat Halbleitereigenschaften. Hochreines Germanium wird mit dreiwertigen Elementen (wie Indium, Gallium, Bor) dotiert, um P-Typ-Germanium-Halbleiter zu erhalten; und fünfwertige Elemente (wie Antimon, Arsen und Phosphor) werden dotiert, um N-Typ-Germanium-Halbleiter zu erhalten. Germanium hat gute Halbleitereigenschaften, wie eine hohe Elektronenbeweglichkeit und eine hohe Lochbeweglichkeit. -
CdZnTe (CZT) -Wafer
Cadmiumzink-Tellurid (CdZnTe oder CZT) ist ein neuer Halbleiter, der die effektive Umwandlung von Strahlung in Elektronen ermöglicht. Er wird hauptsächlich in Infrarot-Dünnschicht-Epitaxiesubstraten, Röntgendetektoren und Gammastrahlen-CdZnTe-Detektoren verwendet. -
Nanofabrikations-Photoresist
PAM-XIAMEN Bietet Fotolackplatte mit Fotolack
-
GaAs (Gallium-Arsenid) -Wafer
As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor C doped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, C doped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.
Ähnliche Produkte
-
GaN-basierte LED-Epitaxialwafer
Der auf GaN (Galliumnitrid) basierende LED-Epitaxiewafer von PAM-XIAMEN ist für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und Laserdioden (LD) mit ultrahoher Helligkeit geeignet.
