GaAs (Gallium-Arsenid) -Wafer

GaAs (Gallium-Arsenid) -Wafer

Als führender GaAs-Substratlieferant stellt PAM-XIAMEN Epi-ready GaAs (Galliumarsenid)-Wafersubstrate her, einschließlich halbleitendem n-Typ, halbleitendem undotiertem und p-Typ mit erstklassiger Qualität und Dummy-Qualität. Der spezifische Widerstand des GaAs-Substrats hängt von Dotierstoffen ab, Si-dotiert oder Zn-dotiert ist (0,001~0,009) Ohm.cm, undotiert ist >=1E7 Ohm.cm. Die Kristallorientierung des GaAs-Wafers sollte (100) und (111) sein. Für die (100)-Ausrichtung kann es um 2°/6°/15° abweichen. Die EPD von GaAs-Wafern beträgt normalerweise <5000/cm2 für LED oder <500/cm2 für LD oder Mikroelektronik.

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

(Galliumarsenidinfrared) GaAs Wafer

PAM-XIAMEN develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer. We has used advanced crystal growth technology, vertical gradient freeze(VGF) and GaAs wafer manufacturing process, established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for GaAs wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafers include 2~6 inch ingot/wafers for LED, LD and Microelectronics applications. We are always dedicated to improve the quality of currently GaAs wafer substrates and develop large size substrates. The GaAs wafer size offered is in 2”, 3”, 4” and 6”, and the thickness should be 220-700um. Moreover, the GaAs wafer price from us is competitive.

1. GaAs Wafer Specifications

1.1 (GaAs)GalliumarsenidinfraredWafer für LED-Anwendungen

Artikel Technische Daten Bemerkungen
Conduction Typ SC / n-Typ SC / p-Typ mit Zn dope verfügbar
Growth-Methode VGF  
Dotierstoff Silizium Zn verfügbar
Wafer Diamter 2, 3 & 4 Zoll Ingot oder als geschnittenes availalbe
Kristallorientierung (100) 2 & deg;/ 6 ° / 15 ° von der (110) Andere Fehlorientierung verfügbar
VON EJ oder US  
Ladungsträgerkonzentration (0,4 ~ 2,5) E18 / cm3  
Der spezifische Widerstand bei RT (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
Mobilität 1500 ~ 3000cm2 / Vsek  
Ätzgrübchendichte <5000 / cm2  
Laserbeschriftung auf Anfrage  
Oberflächenfinish P / E oder P / P  
Dicke 220 ~ 450um  
Epitaxy Bereit Ja  
Paket Single-Wafer-Behälter oder Kassette

 

1.2 (GaAs)GalliumarsenidinfraredWafer für LD-Anwendungen

Artikel Technische Daten Bemerkungen
Conduction Typ SC / n-Typ  
Growth-Methode VGF  
Dotierstoff Silizium  
Wafer Diamter 2, 3 & 4 Zoll Ingot oder als geschnittene verfügbar
Kristallorientierung (100) 2 & deg;/ 6 ° / 15 ° von der (110) Andere Fehlorientierung verfügbar
VON EJ oder US  
Ladungsträgerkonzentration (0,4 ~ 2,5) E18 / cm3  
Der spezifische Widerstand bei RT (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
Mobilität 1500 ~ 3000 cm 2 / Vsec  
Ätzgrübchendichte <500 / cm2  
Laserbeschriftung auf Anfrage  
Oberflächenfinish P / E oder P / P  
Dicke 220 ~ 350um  
Epitaxy Bereit Ja  
Paket Single-Wafer-Behälter oder Kassette

 

1.3 (GaAs)GalliumarsenidinfraredWaffeln, halbisolierendem für Mikroelektronik-Anwendungen

Artikel Technische Daten Bemerkungen
Conduction Typ isolierend  
Growth-Methode VGF  
Dotierstoff undotierte  
Wafer Diamter 2, 3 & 4 Zoll  Ingot available
Kristallorientierung (100)+/- 0.5°  
VON EJ, USA oder Kerbe  
Ladungsträgerkonzentration n / A  
Der spezifische Widerstand bei RT > 1E7 Ohm.cm  
Mobilität > 5000 cm 2 / Vsec  
Ätzgrübchendichte <8000 / cm2  
Laserbeschriftung auf Anfrage  
Oberflächenfinish P / P  
Dicke 350 ~ 675um  
Epitaxy Bereit Ja  
Paket Single-Wafer-Behälter oder Kassette

 

1.4 6″ (150mm)(GaAs)GalliumarsenidinfraredWaffeln, halbisolierendem für Mikroelektronik-Anwendungen

Artikel Technische Daten Bemerkungen
Conduction Typ Halbisolierendem  –
wachsen Methode VGF  –
Dotierstoff undotierte  –
Typ N  –
Diamater (mm) 150 ± 0,25  –
Orientierung (100)0°±3.0°  –
NOTCH Orientierung 〔010〕±2°  –
KERBE Deepth (mm) (1-1.25)mm   89°-95°  –
Ladungsträgerkonzentration please consult our sales team  –
Spezifischer Widerstand (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3  –
Mobilität (cm2 / vs) please consult our sales team  –
Luxation please consult our sales team  –
Dicke (um) 675 ± 25  –
Randausschluss für Bogen und Warp (mm) please consult our sales team  –
Bogen (um) please consult our sales team  –
Warp (um) ≤20.0  –
TTV (um) ≤10.0  –
TIR (um) ≤10.0  –
LFPD (um) please consult our sales team  –
Polieren P / P Epi-Ready  –

 

1.5 2″(50.8mm) LT-GaAs (Low Temperature-Gewachsen Galliumarsenid) Wafer-Spezifikationen

Artikel Technische Daten
Conduction Typ Halbisolierendem
wachsen Methode VGF
Dotierstoff undotierte
Typ N
Diamater (mm) 150 ± 0,25
Orientierung (100)0°±3.0°
NOTCH Orientierung 〔010〕±2°
KERBE Deepth (mm) (1-1.25)mm   89°-95°
Ladungsträgerkonzentration please consult our sales team
Spezifischer Widerstand (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3
Mobilität (cm2 / vs) please consult our sales team
Luxation please consult our sales team
Dicke (um) 675 ± 25
Randausschluss für Bogen und Warp (mm) please consult our sales team
Bogen (um) please consult our sales team
Warp (um) ≤20.0
TTV (um) ≤10.0
TIR (um) ≤10.0
LFPD (um) please consult our sales team
Polieren P / P Epi-Ready
 
* Wir können auch polykristallinem GaAs bar, 99,9999% (6N) zur Verfügung stellen.

 

2. GaAs Wafer Market & Application

Gallium arsenide is an important semiconductor material. It belongs to group III-V compound semiconductors and the zinc blende crystal lattice structure, with a lattice constant of 5.65×10-10m, a melting point of 1237°C, and a band gap of 1.4 electron volts. Gallium arsenide can be made into semi-insulating high-resistance materials, which can be used to make integrated circuit substrates, infrared detectors, gamma photon detectors, etc. Because its electron mobility is 5 to 6 times greater than silicon, SI GaAs substrate has been importantly used in the fabrication of microwave devices and high-speed digital circuits. Semiconductor devices fabricated on gallium arsenide have the advantages of high frequency, high temperature, low temperature performance, low noise, and strong radiation resistance, which make the GaAs substrate market enlarge.

 

3. Test certificate of GaAs wafer can include below analysis if necessary:

1/Surface roughness of Gallium Arsenide including front side and backside(nanometers).

2/Doping concentration of Gallium Arsenide(cm-3)

3/EPD of Gallium Arsenide(cm-2)

4/Mobility of Gallium Arsendie(V.sec)

5/X-ray diffraction analysis (rocking curves) of Gallium Arsenide: Diffraction reflection curve half-width

6/Low-temperature photoluminescence (emission spectra in the range 0.7-1.0 μm) of Gallium Arsenide: The fraction of exciton photoluminescence in the emission spectrum of the near-IR range at a temperature of 4K or 5 K and an optical excitation density of 1 W / cm2

7/Transmission rate or Absorption coefficient: for instant, we can measure absorption coefficient of single crystal undoped GaAs at 1064nm: <0.6423 cm-1, and this corresponds to a transmission minimum of 33.2% for an exactly 6.5mm thick blank at 1064nm.

 

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