GaAs (Galliumarsenid)-Wafer

2. GaAs-Wafer-Markt und Anwendung

Galliumarsenid ist ein wichtiges Halbleitermaterial. Es gehört zu den Verbindungshalbleitern der Gruppe III-V und der Zinkblende-Kristallgitterstruktur mit einer Gitterkonstante von 5,65×10-10m, einem Schmelzpunkt von 1237°C und einer Bandlücke von 1,4 Elektronenvolt. Galliumarsenid kann zu halbisolierenden hochohmigen Materialien verarbeitet werden, die zur Herstellung von Substraten für integrierte Schaltkreise, Infrarotdetektoren, Gammaphotonendetektoren usw. verwendet werden können. Da seine Elektronenmobilität fünf- bis sechsmal größer ist als die von Silizium, verfügt das SI-GaAs-Substrat über eine 5- bis 6-mal größere Elektronenmobilität wurden vor allem bei der Herstellung von Mikrowellengeräten und digitalen Hochgeschwindigkeitsschaltungen eingesetzt. Auf Galliumarsenid hergestellte Halbleiterbauelemente bieten die Vorteile hoher Frequenz, hoher Temperatur, Leistung bei niedrigen Temperaturen, geringem Rauschen und hoher Strahlungsbeständigkeit, wodurch der Markt für GaAs-Substrate wächst.

3. Das Testzertifikat des GaAs-Wafers kann bei Bedarf die folgende Analyse enthalten:

1/Oberflächenrauheit von Galliumarsenid einschließlich Vorder- und Rückseite (Nanometer).

2/Dotierungskonzentration von Galliumarsenid (cm-3)

3/EPD von Galliumarsenid (cm-2)

4/Mobilität von Gallium Arsendie (V.sec)

5/Röntgenbeugungsanalyse (Rocking-Kurven) von Galliumarsenid: Halbwertsbreite der Beugungsreflexionskurve

6/Niedertemperatur-Photolumineszenz (Emissionsspektren im Bereich 0,7–1,0 μm) von Galliumarsenid: Der Anteil der Exzitonen-Photolumineszenz im Emissionsspektrum des nahen IR-Bereichs bei einer Temperatur von 4 K oder 5 K und einer optischen Anregungsdichte von 1 W/cm2

7/Transmissionsrate oder Absorptionskoeffizient: Im Moment können wir den Absorptionskoeffizienten von einkristallinem undotiertem GaAs bei 1064 nm messen: <0,6423 cm-1, und dies entspricht einem Transmissionsminimum von 33,2 % für einen genau 6,5 mm dicken Rohling bei 1064 nm.

Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Wir hoffen auf Ihr Verständnis und Ihre Mitarbeit!

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