PAM-XIAMEN kann EFG-gewachsene Galliumoxid-Wafer (chemische Formel: Ga2O3) anbieten. Derzeit erfreuen sich die Halbleiter der dritten Generation, bestehend aus Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), großer Beliebtheit. Große Hoffnungen werden auf die Anwendung von SiC und GaN im Bereich hoher Leistung, hoher Temperatur und hohem Druck (z. B. Fahrzeuge mit neuer Energie, Elektroenergie) und im Ladebereich gesetzt. Wissenschaft, Investitionen und Industrie haben erkannt, dass sie eine Rolle spielen werden, die herkömmliche Siliziumgeräte nicht leisten können. Japanische Wissenschaftler haben in den letzten Jahren große Fortschritte bei der Erforschung von Galliumoxid (Ga2O3, später im Gegensatz zu GaN als GaO bezeichnet) gemacht und damit dieses Halbleitermaterial der vierten Generation in das Blickfeld der Menschen gerückt. Im Vergleich zu SiC und GaN weist das Ga2O3-Substrat bessere Eigenschaften auf, wie z. B. eine größere Bandlücke, hohe Spannungsfestigkeit, hohe Leistung und extrem niedrige Herstellungskosten, was einen einzigartigen Vorteil bei Leistungsanwendungen darstellt. Daher gibt es in den letzten Jahren immer mehr Forschungen zum Halbleiter der vierten Generation – Galliumoxid-Wafer. Die Spezifikationen der Galliumoxid-DünnschichtPAM-XIAMENanbieten können, sind wie folgt:

1. Spezifikationen des Galliumoxid-Wafers

Gegenstand 1: PAM-210416-GAO

Prime Grade Galliumoxid (Ga2O3) Wafer

Punkt 2: PAM-210416-GAO

Galliumoxid (Ga2O3) -Wafer in Dummy-Qualität

2. Eigenschaften von Galliumoxid in der Physik

Der Schmelzpunkt von Galliumoxid liegt bei 1740°C;

Leicht löslich in Alkalimetallhydroxiden und verdünnten anorganischen Säuren;

Kristalltyp: α-Ga2O3 ist ein hexagonaler Kristalltyp und β-Ga2O3 ist ein monokliner Kristalltyp;

Löslichkeit: unlöslich in Wasser. In heißer Säure- oder Alkalilösung schwer löslich.

3. Entwicklung von Galliumoxidmaterialien und Galliumoxidgeräten

Derzeit kann die geringe Defektdichte von Galliumoxidsubstraten 4 Zoll erreichen. Das durchschnittliche elektrische Durchbruchfeld des Galliumoxid-Wafers hat 5 MV/cm erreicht, und die horizontalen und vertikalen Galliumoxid-Schottky-Dioden haben Durchbruchspannungen von mehr als 3 kV bzw. 2,2 kV erreicht. Gleichzeitig erreichte der Depletion/Enhanced Back-Gate-MOSFET auch eine Ausgangsstromdichte von über 1,5/1 A/mm, und die horizontalen und vertikalen MOSFETs erreichten im ausgeschalteten Zustand ebenfalls eine Durchbruchspannung von 1,8/1 kV. Mittlerweile erreichten Galliumoxid-Hochfrequenzgeräte ft/fmax = 5,1/17,1 GHz.

Power devices fabricated on Ga2O3 thin film under the same withstand voltage as GaN and SiC, have lower on-resistance, lower power consumption, higher temperature resistance, and can greatly save the power loss during the operation. Therefore, Ga2O3 wafer provides a better A more efficient and energy-saving choice.

4. Gallium Oxide Applications

Gallium oxide single crystal materials have great application potential in power electronic devices. Typical application areas of gallium oxide wafer include: electric vehicles, photovoltaic inverters, high-speed rail power transmission, electromagnetic catapults, all-electric naval propulsion, etc. In addition, gallium oxide itself has a characteristic of good radio frequency. Currently due to low cost and the characteristics of low mismatch with GaN, Ga2O3 single crystal substrate can be used for epitaxial substrates of GaN materials. GaN and HEMT have the advantages of high power density, small size, and can work at 40 GHz. They are the good materials for 5G base station strategy amplifiers. The rapid development of the 5G industry will also drive the rapid development of the gallium oxide monocrystalline substrate industry.

More about Gallium Oxide material, please refer to:

Opportunities and Challenges for the Fourth Generation Semiconductor- Gallium Oxide

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.