Mit der Entwicklung von Cloud Computing, Mobilität, Internet der Dinge, maschinellem Lernen usw. ist auch die Nachfrage nach Big Data-Speicherung und Computing-Verarbeitung erheblich gestiegen. Mehr Datenverarbeitung bedeutet mehr Energieverbrauch, was zum Bau zusätzlicher Rechenzentren und unterstützender Infrastruktur führt. Mit der Expansion von Rechenzentren auf der ganzen Welt besteht die Notwendigkeit, Rechenzentren zuverlässiger und effizienter zu verwalten. Galliumnitrid (GaN), insbesondere GaN-HEMT-Epi-Wafer, ist eines der Halbleitermaterialien, das sich ideal für Rechenzentren eignet und von PAM-XIAMEN angeboten werden kann. Weitere GaN-HEMT-Wafer finden Sie unterhttps://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/gan-hemt-epitaxial-wafer.html.
Als Halbleiter mit großer Bandlücke ist das größte Merkmal von Galliumnitrid (GaN) die hohe Leistungsumwandlungseffizienz. Insbesondere in Szenarien mit hohem Energieverbrauch wie Rechenzentren wird GaN aufgrund seiner hohen Effizienz erhebliche Energieeinspareffekte bringen. Wählen Sie deshalb GaN-Material für Rechenzentren. Genauer gesagt wie folgt:
Derzeit sind weltweit mehr als 7 Millionen Rechenzentren in Betrieb, die im Jahr 2019 umgerechnet 2 % des weltweiten Stromverbrauchs verbrauchen. Davon werden etwa 30 % des Stroms für die Kühlung der Anlage verwendet. Daher können durch die Steigerung der Servereffizienz und die Reduzierung von Strom- und Wärmeverlusten erhebliche Energieeinsparungen erzielt werden; Stromkosten und CO2Emissionen reduziert werden können.
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1. Energie sparen mit GaN
Die größten Betriebskosten eines Rechenzentrums sind die Stromkosten der Server, die bis zu 40 % der Gesamtbetriebskosten ausmachen können. Normalerweise werden etwa 5%-10% der elektrischen Energie verschwendet. Darüber hinaus wird erwartet, dass der Energieverbrauch von Rechenzentren bis 2020 auf etwa 140 Milliarden Kilowattstunden pro Jahr steigen wird, was jährlichen Stromrechnungen in Höhe von 13 Milliarden US-Dollar und fast 150 Millionen Tonnen CO2-Emissionen entspricht.
Fortschritte im Leistungsdesign mit GaN- anstelle von Siliziumtransistoren sollen den Energieverbrauch um mehrere Prozent senken. Zusätzlich zu den energiesparenden Vorteilen können diese Technologien die Einführung von weniger oder kleineren Netzteilen im Rechenzentrum erleichtern und dadurch den Bedarf an Platz und Strom im Rechenzentrum reduzieren.
2. Verbesserung der Effizienz mit GaN
Der Energieverbrauch in einem Rechenzentrum ist eine komplexe Kombination aus Verlustleistung und Kühlung. In einem Rechenzentrum erfordert die Stromversorgung von Servern mehrere Umwandlungen, und etwa 30 % der Energie gehen aufgrund von Ineffizienz verloren.
Die GaN-Technologie kann die Gesamteffizienz des Rechenzentrums auf 84 % steigern. GaN-Geräte, die für die Leistungsumwandlung von Wechselstrom (AC) in Gleichstrom (DC) und dann für die Gleichstrom-(DC)-Leistungsumwandlung von Lasten verwendet werden, können den Gesamtwirkungsgrad von den ursprünglichen 77 % auf 84 % erhöhen, wobei das Rechenzentrum erhalten bleibt funktioniert richtig.
3. Kostenersparnis durch GaN
Es wird berichtet, dass GaN-Geräte die Stromkosten um mehr als 2.300 US-Dollar pro Rack senken und mehr als 240 Millionen US-Dollar an Gesamtbetriebskosten einsparen können. Die Leistungsdichten von Rechenzentren werden um mehr als 25 Prozent steigen, was den Betreibern von Rechenzentren weltweit zusätzliche Einnahmemöglichkeiten in Höhe von 1,4 Mrd.
Die bevorstehenden riesigen Datenmengen erhöhen den Bedarf an zunehmend skalierbarer, effizienter und flexibler Rechenzentrumsinfrastruktur. Stromversorgungssysteme mit Galliumnitrid (GaN)-Geräten bieten eine höhere Leistungsumwandlungseffizienz. Investitionen in diese Hochleistungstechnologie bedeuten eine größere Energie- und Platzeffizienz durch die Schaffung kleinerer, leichterer, kostengünstigerer und effizienterer Energiesysteme. Die Galliumnitrid (GaN)-Technologie wird es Rechenzentrumsbetreibern nicht nur ermöglichen, ihre Geschäfte besser zu führen, sondern letztendlich eine wichtige Rolle bei der Veränderung der Energie- und Datenwelt spielen.
Daher kann die Verwendung von GaN-Halbleitermaterial zur Schaffung eines kleineren, leichteren, kostengünstigeren und effizienteren Energiesystems eine höhere Leistungsumwandlungseffizienz bieten und die Anforderungen der Entwicklung von Rechenzentren erfüllen.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.