GaN auf SiC-Substrat

GaN auf SiC-Substrat

GaN-Vorlage mit einseitig polierter und atomarer Stufe erhältlich, die auf 4H- oder 6H-SiC-C-Achsen-(0001)-Substrat aufgewachsen wird. GaN-Wachstum auf einem SiC-Substrat kann eine geringere Wärmeausdehnung, eine geringere Gitterfehlanpassung und eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit erreichen, wodurch die Eigenschaften von GaN voll ausgeschöpft werden. Aufgrund der besseren Wärmeableitung eignet sich GaN auf einem SiC-Substrat sehr gut für die Herstellung von energiearmen Hochleistungsbauelementen. Im Folgenden finden Sie die detaillierte Spezifikation des GaN-auf-SiC-Epitaxiewafers:

GaN auf SiC-Substrat

1. Spezifikation von GaN auf SiC-Substrat

Gegenstand 1:

P-GaN-Wafer auf SiC-Template (PAMP20230-GOS)

GaN auf SiC, p-Typ
2″ Durchmesser, p-Typ,
Dicke: 2um
Ausrichtung: C-Achse(0001)+/-1.0°
XRD(102)<300arc.sec
XRD(002)<400arc.sec
Substrat: SiC-Substrat, halbisolierend, C(0001)
Struktur: GaN auf SiC(0001).
Einseitig poliert, Epi-ready, mit atomaren Stufen

Punkt 2:

GaN auf SiC, (2”) 50,8±1mm (PAM200818-G-SIC)

u-GaN-Wafer auf Siliziumkarbid-Template
GaN-Schichtdicke: 1,8 um
GaN-Schicht: n-Typ, Si-dotiert
XRD(102)<300arc.sec
XRD(002)<400arc.sec
Einseitig poliert,Epi-ready, Ra<0.5nm
Trägerkonzentration: 5E17~5E18.

2. Über GaN auf SiC-Epitaxie

Hochwertiger 6H-SiC-Wafer ist ein ideales Substrat für das Wachstum von GaN-Epitaxie. Der Restspannungseffekt an der Grenzfläche kann aufgrund der nahezu perfekten Gitteranpassung reduziert werden. Auf SiC aufgewachsene GaN-Epi-Schichten können durch MBE-, MOCVD- und Sandwich-Sublimationstechniken aufgewachsen werden. Unter diesen weist die Verwendung der Sandwich-Sublimation zum Aufwachsen eines GaN-Dünnfilms auf einem 6H-SiC-Substrat eine bessere Qualität der kristallinen und optischen Eigenschaften auf als das Aufwachsen durch MBE und MOCVD.

Untersuchungen von GaN auf SiC-Gießereien zeigen, dass die epitaktische Oberflächenmorphologie und Photolumineszenz von GaN auf einem SiC-Substrat stark von der Substratpolarität beeinflusst wird. Die Polarität von (0001) GaN ändert sich mit der Polarität der Basisebene des SiC-Substrats. Wenn das Substrat C als Endebene verwendet, wird eine CN-Bindung zwischen dem C-Atom und dem N-Atom gebildet. Es gibt eine kleine Überlappung zwischen dem unteren Ende des Leitungsbandes und dem oberen Ende des Valenzbandes auf dem Fermi-Niveau, und es entsteht eine Pseudoenergielücke, die den starken Bindungsbildungseffekt zwischen jedem Atom widerspiegelt. Und seine Grenzflächen-Bindungsenergie beträgt –5,5489 eV, was etwas größer ist als die Bindungsenergie der Grenzflächenstruktur des Si-Atom-Top-Bit, das N –5,5786 eV adsorbiert.

Als die Größe von SiC-Substrate weiter expandiert, werden GaN-Epitaxiewafer mit weniger Defekten und besserer Qualität gezüchtet.

3. Anwendungen des epitaktischen GaN-Wachstums auf SiC-Wafersubstraten

GaN und SiC wurden eingehend für hocheffiziente Leistungsschaltsysteme untersucht. Nun hat der GaN-auf-SiC-Transistor eine hervorragende Leistung und das Potenzial des Materials mit breiter Bandlücke für Leistungsbauelemente gezeigt.

Darüber hinaus kann der auf GaN auf SiC-Wafern hergestellte Hochleistungsverstärker im Frequenzbereich von 9 GHz bis 10 GHz arbeiten und ist für gepulste Radaranwendungen geeignet. Der Verstärker verfügt über eine dreistufige Verstärkung, kann eine große Signalverstärkung von mehr als 30 dB und einen Wirkungsgrad von mehr als 50 % bereitstellen, kann niedrigere System-DC-Leistungsanforderungen erfüllen und unterstützt die Vereinfachung von Systemlösungen für das Wärmemanagement. Die GaN-on-SiC-Technologie vereinfacht die Systemintegration und bietet eine hervorragende Leistung. Kurz gesagt, GaN auf SiC-Substrat wird in 5G-Anwendungen eine große Rolle spielen.

Powerwaywafer

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