GaN-Dünnfilm auf Saphir (Al2O3)-Template

GaN-Dünnfilm auf Saphir (Al2O3)-Template

Epitaxie GaN-Vorlage auf Al2O3 (Saphir)-Substrat gewachsen und anpassbare Stapel sind mit hoher Qualität und geringer Defektdichte erhältlich. Im Anhang finden Sie eine Liste verschiedener Arten von GaN-Dünnfilmen auf Saphirsubstratwafern mit unterschiedlichen Dicken, Trägertypen und Deckschichten, die wir hergestellt haben:

GaN-Dünnfilm

1. Spezifikationen der GaN-Dünnschichtepitaxie PAM160107-GAN

Nr. 1 Epitaxie-GaN auf Saphir-Substrat

Schicht Material Dicke Doping
2 GaN 5 µm n- < 1016cm-3
1 C-dotierter GaN-Puffer 1-2 um 5E18-1E19
  Saphirsubstrat

Anmerkung: Die Dickentoleranz beträgt 4 µm +/- 1 µm, und die Ladungsträgerkonzentration sollte <3E17 sein (nicht die Dotierungskonzentration, da sie undotiert ist). Wenn Sie Trägerkonzentration <10 wünschen16, wir können es tun, aber wir müssen die Produktion anpassen, was zu höheren Kosten führt.

Nr. 2 Epitaxie-GaN auf Al2O3-Substrat

Schicht Material Dicke Doping
2 GaN 10 µm n- < 1017cm-3
1 U-GaN-Puffer 1-2 um
  Saphirsubstrat

Anmerkung: Die reguläre Trägerkonzentration sollte (5-8) E16 sein (nicht Dotierkonzentration). Und wir können die Trägerkonzentration nicht ändern.

Nr. 3 GaN-Epischichten auf Saphir

Schicht Material Dicke Doping
4 GaN 0,25 um p+ 1019cm-3mg
3 GaN 5 µm n- < 1016cm-3
2 GaN 1 µm N+ 1019cm-3
1 U-GaN-Puffer 1-2 um
  Saphirsubstrat

 

Nr. 4 Einkristall-GaN auf Saphir

Schicht Material Dicke Doping
3 GaN 5,25 um n- < 1016cm-3
2 GaN 1 µm N+ 1019cm-3
1 U-GaN-Puffer 1-2 um
  Saphirsubstrat

 

Nr. 5 GaN-Dünnfilm auf Saphir

Schicht Material Dicke Doping
4 AlN 100 Å UID
3 GaN 5,25 um n- < 1016cm-3
2 GaN 1 µm N+ 1019cm-3
1 U-GaN-Puffer 1-2 um
  Saphirsubstrat    

 

Nr. 6 Saphir-basiertes GaN-Template

Schicht Material Dicke Doping
3 AlN 100 Å UID
2 GaN 0,250 um n- < 1016cm-3
1 C-dotierter GaN-Puffer 1-2 um 5E18-1E19
  Saphirsubstrat

Anmerkung: Für die GaN-Template-Wafer von No.3 bis No.6 können wir Ladungsträgerdichten <10E16 cm erreichen-3 in bestimmten verschiedenen Schichten.

Nr. 7 Galliumnitrid-Dünnfilme, die auf einem Saphirsubstrat gewachsen sind

Schicht Material Dicke Doping
4 GaN 0,25 um p+ 1019cm-3mg
3 GaN 10 µm n- < 1016cm-3
2 GaN 1 µm N+ 1019cm-3
1 U-GaN-Puffer 1-2 um
  Saphirsubstrat

 

2. Pufferschicht für das Wachstum eines GaN-Films auf Al2O3

Benötigen alle GaN-Epitaxie-Wafer eine Pufferschicht von 1-2 um? Zum Beispiel Wafer Nr. 6: 100-A-AlN-Kappe und 0,25-um-GaN, dies wird direkt auf eine 1-2-um-Pufferschicht gesetzt? Die GaN/Saphir-Wafer benötigen alle 1 1-2 um Pufferschicht, die genaue sollte Nr. 6 sein: 100 A AlN-Kappe/0,25 um GaN/Pufferschicht-GaN/Saphir. Pufferschichten sind für alle diese GaN-Dünnschichtsubstratwafer aufgrund der Gitterfehlanpassungsprobleme zwischen GaN und dem Saphirsubstrat erforderlich.

3. Verfahren zum Aktivierungsglühen für das GaN-Filmwachstum

Nehmen Sie zum Beispiel das Aktivierungsglühen für GaN-Dünnschichten vom p-Typ: Ein Aktivierungsglühen nach dem Wachstum wird für das p-Typ-GaN nicht durchgeführt, Sie können 10 Minuten bei 830 Grad durch RTA auf aktiv glühen. Und die Mg-Dotierungskonzentration beträgt 2E19cm3. Die Trägerkonzentration wäre nach der Aktivierung 4,4E17. Speziell:

Für die Umgebung von RTA für die Mg-Aktivierung wird der gewachsene GaN-Dünnfilm in einer hochreinen N2/O2-Gasmischung geglüht und die Aktivierung des N2:O2-Flussverhältnisses beträgt 4:1, das Gesamtvolumen von 5 slm (Standardliter pro Minute). Die Glühtemperatur beträgt 830 Grad, und die Zeit beträgt 10 Minuten. Dieser Prozess wird in einem Schnellheiz-Glühofen durchgeführt, nicht in einem Röhren-Glühofen.

Die freie Ladungsträgerkonzentration des einkristallinen GaN-Films nach der Aktivierung kann durch Hall-Effekt gemessen werden, indem 5 x 5 mm mit Metallkontakten geschnitten werden.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter [email protected] und [email protected].

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