Epitaxie GaN-Vorlage auf Al2O3 (Saphir)-Substrat gewachsen und anpassbare Stapel sind mit hoher Qualität und geringer Defektdichte erhältlich. Im Anhang finden Sie eine Liste verschiedener Arten von GaN-Dünnfilmen auf Saphirsubstratwafern mit unterschiedlichen Dicken, Trägertypen und Deckschichten, die wir hergestellt haben:
1. Spezifikationen der GaN-Dünnschichtepitaxie PAM160107-GAN
Nr. 1 Epitaxie-GaN auf Saphir-Substrat
Schicht | Material | Dicke | Doping |
2 | GaN | 5 µm | – |
1 | C-dotierter GaN-Puffer | – | 5E18-1E19 |
Saphirsubstrat |
Anmerkung: Die Dickentoleranz beträgt 4 µm +/- 1 µm, und die Ladungsträgerkonzentration sollte <3E17 sein (nicht die Dotierungskonzentration, da sie undotiert ist). Wenn Sie Trägerkonzentration <10 wünschen16, wir können es tun, aber wir müssen die Produktion anpassen, was zu höheren Kosten führt.
Nr. 2 Epitaxie-GaN auf Al2O3-Substrat
Schicht | Material | Dicke | Doping |
2 | GaN | – | n- < 1017cm-3 |
1 | U-GaN-Puffer | 1-2 um | – |
Saphirsubstrat |
Anmerkung: Die reguläre Trägerkonzentration sollte (5-8) E16 sein (nicht Dotierkonzentration). Und wir können die Trägerkonzentration nicht ändern.
Nr. 3 GaN-Epischichten auf Saphir
Schicht | Material | Dicke | Doping |
4 | GaN | – | p+ 1019cm-3mg |
3 | GaN | 5 µm | – |
2 | GaN | – | N+ 1019cm-3 |
1 | U-GaN-Puffer | 1-2 um | – |
Saphirsubstrat |
Nr. 4 Einkristall-GaN auf Saphir
Schicht | Material | Dicke | Doping |
3 | GaN | – | n- < 1016cm-3 |
2 | GaN | 1 µm | – |
1 | U-GaN-Puffer | 1-2 um | – |
Saphirsubstrat |
Nr. 5 GaN-Dünnfilm auf Saphir
Schicht | Material | Dicke | Doping |
4 | AlN | – | UID |
3 | GaN | – | n- < 1016cm-3 |
2 | GaN | 1 µm | – |
1 | U-GaN-Puffer | 1-2 um | – |
Saphirsubstrat |
Nr. 6 Saphir-basiertes GaN-Template
Schicht | Material | Dicke | Doping |
3 | AlN | – | UID |
2 | GaN | 0,250 um | – |
1 | C-dotierter GaN-Puffer | 1-2 um | 5E18-1E19 |
Saphirsubstrat |
Anmerkung: Für die GaN-Template-Wafer von No.3 bis No.6 können wir Ladungsträgerdichten <10E16 cm erreichen-3 in bestimmten verschiedenen Schichten.
Nr. 7 Galliumnitrid-Dünnfilme, die auf einem Saphirsubstrat gewachsen sind
Schicht | Material | Dicke | Doping |
4 | GaN | – | p+ 1019cm-3mg |
3 | GaN | 10 µm | – |
2 | GaN | – | N+ 1019cm-3 |
1 | U-GaN-Puffer | 1-2 um | – |
Saphirsubstrat |
2. Pufferschicht für das Wachstum eines GaN-Films auf Al2O3
Benötigen alle GaN-Epitaxie-Wafer eine Pufferschicht von 1-2 um? Zum Beispiel Wafer Nr. 6: 100-A-AlN-Kappe und 0,25-um-GaN, dies wird direkt auf eine 1-2-um-Pufferschicht gesetzt? Die GaN/Saphir-Wafer benötigen alle 1 1-2 um Pufferschicht, die genaue sollte Nr. 6 sein: 100 A AlN-Kappe/0,25 um GaN/Pufferschicht-GaN/Saphir. Pufferschichten sind für alle diese GaN-Dünnschichtsubstratwafer aufgrund der Gitterfehlanpassungsprobleme zwischen GaN und dem Saphirsubstrat erforderlich.
3. Verfahren zum Aktivierungsglühen für das GaN-Filmwachstum
Nehmen Sie zum Beispiel das Aktivierungsglühen für GaN-Dünnschichten vom p-Typ: Ein Aktivierungsglühen nach dem Wachstum wird für das p-Typ-GaN nicht durchgeführt, Sie können 10 Minuten bei 830 Grad durch RTA auf aktiv glühen. Und die Mg-Dotierungskonzentration beträgt 2E19cm3. Die Trägerkonzentration wäre nach der Aktivierung 4,4E17. Speziell:
Für die Umgebung von RTA für die Mg-Aktivierung wird der gewachsene GaN-Dünnfilm in einer hochreinen N2/O2-Gasmischung geglüht und die Aktivierung des N2:O2-Flussverhältnisses beträgt 4:1, das Gesamtvolumen von 5 slm (Standardliter pro Minute). Die Glühtemperatur beträgt 830 Grad, und die Zeit beträgt 10 Minuten. Dieser Prozess wird in einem Schnellheiz-Glühofen durchgeführt, nicht in einem Röhren-Glühofen.
Die freie Ladungsträgerkonzentration des einkristallinen GaN-Films nach der Aktivierung kann durch Hall-Effekt gemessen werden, indem 5 x 5 mm mit Metallkontakten geschnitten werden.
4. FAQ of GaN Thin Film on Sapphire
Q1: What is the doping (n-type) concentration of GaN on sapphire template and visible light transmittance could you achieve?
Is it possible to >5×1017/cm3 and visible light transmittance over 80%?
A: Doping concentration of n type GaN template on sapphire >1E20, but transmittance is below, single side polished, if double side polished, it would be better.
Transmitance of N-Type GaN on Sapphire
Q2: We bought these Ga-polar GaN templates while ago as below. I was wondering if you can provide me with the GaN crystal direction with respect to the flat on substrate. Is the flat in GaN a-direction or m-direction?
A:In No.1 GaN on Sapphire template, the flat orientation is A-plane, 16mm.
In No.2 GaN template on sapphire, the flat orientatin is M-plane, 16mm, see below:
GaN Crystal Direction with Respect to the Flat on Sapphire Substrate
Q3: Currently 15 um is the max thickness of GaN thin film on sapphire that is achievable?
A: Yes, 15um thick GaN epi layer grown on sapphire is more safety.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.