GaN-basierte LED-Epitaxialwafer
PAM-Xiamens GaN (Galliumnitrid) -basierte LED-Epitaxialwafer ist für ultra hohe Helligkeit blaue und grüne lichtemittierenden Dioden (LED) und Laserdioden (LD) Anwendung.
- Beschreibung
Produktbeschreibung
Der LED-Epitaxiewafer ist ein auf eine geeignete Temperatur erhitztes Substrat. Das LED-Wafermaterial ist der Eckpfeiler der Technologieentwicklung für die Halbleiterbeleuchtungsindustrie. Unterschiedliche Substratmaterialien erfordern unterschiedliche LED-Epitaxie-Wafer-Wachstumstechnologien, Chip-Verarbeitungstechnologien und Geräteverpackungstechnologien. Das Substrat für LED-Epi-Wafer bestimmt den Entwicklungsweg der Halbleiterbeleuchtungstechnologie. Um die Lichtausbeute zu erreichen, legen Epitaxie-Wafer-Anbieter mehr Wert auf GaN-basierte LED-Epitaxie-Wafer, da der Preis für Epitaxie-Wafer niedrig ist und die Epitaxie-Wafer-Defektdichte gering ist. Der Vorteil von LED-Epi-Wafern auf GaN-Substrat ist die Realisierung eines hohen Wirkungsgrads, einer großen Fläche, einer einzelnen Lampe und einer hohen Leistung, wodurch die Prozesstechnologie vereinfacht und die hohe Ausbeute verbessert wird. Die Entwicklungsaussichten des LED-Epi-Wafer-Marktes sind optimistisch.
1. LED-Wafer-Liste
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LED-Epitaxie-Wafer |
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| Artikel | Größe | Orientierung | Emission | Wellenlänge | Dicke | Substrat | Oberfläche | Nutzfläche |
| PAM-50-LED-BLAU-F | 50mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | 425 um +/- 25 um | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-50-LED-BLAU-PSS | 50mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | 425 um +/- 25 um | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-BLAU-F | 100mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-BLAU-PSS | 100mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-150-LED-BLAU | 150mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-BLAU-SIL | 50mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-BLAU-SIL | 100mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
| PAM-150-LED-BLAU-SIL | 150mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
| PAM-200-LED-BLAU-SIL | 200mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 445-475nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
| PAM-50-LED-GRÜN-F | 50mm | 0°±0.5° | grünes Licht | 510-530nm | 425 um +/- 25 um | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-50-LED-GRÜN-PSS | 50mm | 0°±0.5° | grünes Licht | 510-530nm | 425 um +/- 25 um | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-GRÜN-F | 100mm | 0°±0.5° | grünes Licht | 510-530nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-GRÜN-PSS | 100mm | 0°±0.5° | grünes Licht | 510-530nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-150-LED-GRÜN | 150mm | 0°±0.5° | grünes Licht | 510-530nm | / | Saphir | P/L | > 90% |
| PAM-100-LED-ROT-GAAS-620 | 100mm | 15°±0.5° | Rotlicht | 610-630nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
| PAM210527-LED-660 | 100mm | 15°±0.5° | Rotlicht | 660 nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
| PAM-210414-850nm-LED | 100mm | 15°±0.5° | IR | 850nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
| PAMP21138-940LED | 100mm | 15°±0.5° | IR | 940nm | / | GaAs | P/L | > 90% |
| PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVA | 365 nm | 425 um +/- 25 um | Saphir | ||
| PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVA | 405 nm | 425 um +/- 25 um | Saphir | ||
| PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVC | 275 nm | 425 um +/- 25 um | Saphir | ||
| PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50mm | 0°±0.5° | UV | 405nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
| PAM-50-LD-BLAU-450-SIL | 50mm | 0°±0.5° | blaues Licht | 450nm | / | Silizium | P/L | > 90% |
As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.
2. InGaN/GaN(Galliumnitrid)-basierter LED-Epitaxialwafer
GaN auf Al2O3-2” Epi-Wafer Specification (LED-Epitaxialwafer)
| Weiß: 445–460 nm |
| Blau: 465–475 nm |
| Grün: 510–530 nm |
1. Wachstum Technique - MOCVD
2.Wafer Durchmesser: 50,8 mm
3.Wafer-Substratmaterial: Gemustertes Saphirsubstrat (Al2O3) oder flacher Saphir
4.Wafer Mustergröße: 3X2X1.5μm
3. Waferstruktur:
| Strukturschichten | Dicke (μm) |
| p-GaN | 0.2 |
| p-AlGaN | 0.03 |
| InGaN / GaN (aktiver Bereich) | 0.2 |
| n-GaN | 2.5 |
| u- GaN | 3.5 |
| Al2O3 (Substrat) | 430 |
4. Wafer-Parameter zur Herstellung von Chips:
| em | Farbe | Chip Size | Charakteristik | Aussehen | |
| PAM1023A01 | Blau | 10 Millionen x 23mil |  |
Beleuchtung | |
| Vf = 2,8 ~ 3,4 V | LCD-Rücklicht | ||||
| Po = 18 ~ 25mW | Mobile Geräte | ||||
| Wd = 450 ~ 460 nm | Unterhaltungselektronik | ||||
| PAM454501 | Blau | 45mil x 45mil | Vf = 2,8 ~ 3,4 V |  |
Allgemeinbeleuchtung |
| Po = 250 ~ 300 mW | LCD-Rücklicht | ||||
| Wd = 450 ~ 460 nm | Outdoor-Display |
5. Anwendung von LED-Epitaixal-Wafern:
*Wenn Sie detailliertere Informationen zum Blue LED Epitaxial Wafer benötigen, wenden Sie sich bitte an unsere Vertriebsabteilungen
Beleuchtung
LCD-Rücklicht
Mobile Geräte
Unterhaltungselektronik
6. Spezifikation eines LED-Epi-Wafers als Beispiel:
Spezifikation PAM190730-LED
– Größe: 4 Zoll
– WD: 455 ± 10 nm
– Helligkeit: > 90 mcd
– VF: < 3,3 V
– n-GaN-Dicke: <4,1㎛
– u-GaN-Dicke: <2,2㎛
– Substrat: gemustertes Saphirsubstrat (PSS)
7.GaAs(Galliumarsenid)basiertes LED-Wafermaterial:
In Bezug auf GaAs-LED-Wafer, sie durch MOCVD gezüchtet werden, siehe unten Wellenlänge von GaAs-LED-Wafer:
Rot: 585nm, 615nm, 630nm 620 ~
Gelb: 587 ~ 592 nm
Gelb/Grün: 568 ~ 573 nm
8. Definition des LED-Epitaxiewafers:
Was wir anbieten, sind nackte LED-Epi-Wafer oder nicht verarbeitete Wafer ohne Lithographieprozesse, N- und Metallkontakte usw. Und Sie können den LED-Chip mit Ihrer Fertigungsausrüstung für verschiedene Anwendungen wie die Nano-Optoelektronik-Forschung herstellen.
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Wir hoffen auf Ihr Verständnis und Ihre Mitarbeit!
Für dieses Detail GaAs-Wafer-Spezifikationen LED, besuchen Sie bitte:GaAs Epi-Wafer für LED
Für die UV-Wafer-Spezifikationen LED, besuchen Sie bitte:UV-LED-Epi-Wafer
Für LED-Wafer auf Silizium-Spezifikationen, besuchen Sie bitte:LED-Wafer auf Silizium
Für Blau GaN LD Wafer-Spezifikationen, besuchen Sie bitte: Blau GaN LD Wafer
Für violette GaN-LD-Wafer besuchen Sie bitte:405-nm-GaN-Laserdiodenwafer
850 nm und 940 nm Infrarot-LED-Wafer
850–880 nm und 890–910 nm roter Infrarot-AlGaAs/GaAs-LED-Epi-Wafer
GaN-Wafer zur Herstellung von LED-Geräten
GaN-LED-Strukturepitaxie auf flachem oder PSS-Saphirsubstrat
GaN-Epitaxiewachstum auf Saphir für LED
Si-basierte GaN-PIN-Fotodetektorstruktur
Weitere Gießereidienstleistungen finden Sie unter:GaN-Gießereidienstleistungen für die LED-Herstellung
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