GaN-basierte LED-Epitaxialwafer
PAM-Xiamens GaN (Galliumnitrid) -basierte LED-Epitaxialwafer ist für ultra hohe Helligkeit blaue und grüne lichtemittierenden Dioden (LED) und Laserdioden (LD) Anwendung.
- Beschreibung
Produktbeschreibung
InGaN/GaNLED-Epitaxiewafer auf Basis von (Galliumnitrid)
As LED wafer manufacturer,we offer GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers.it is by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile,electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission,including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.
GaN auf Al2O3-2” Epi-Wafer Specification (LED-Epitaxialwafer)
| White： 445～460 nm |
| Blue： 465～475 nm |
| Green： 510～530 nm |
1. Wachstum Technique - MOCVD
2.Wafer Durchmesser: 50,8 mm
3.Wafer substrate material: Patterned Sapphire Substrate(Al2O3) or Flat Sapphire
4.Wafer Mustergröße: 3X2X1.5μm
5.Wafer Struktur:
| Strukturschichten | Thickness(μm) |
| p-GaN | 0.2 |
| p-AlGaN | 0.03 |
| InGaN / GaN (aktiver Bereich) | 0.2 |
| n-GaN | 2.5 |
| u- GaN | 3.5 |
| Al2O3 (Substrat) | 430 |
6.Wafer Parameter Chips zu machen:
| Artikel | Farbe | Chip Size | Charakteristik | Aussehen | |
| PAM1023A01 | Blau | 10 Millionen x 23mil |  |
Beleuchtung | |
| Vf = 2,8 ~ 3,4 V | LCD-Rücklicht | ||||
| Po = 18 ~ 25mW | Mobile Geräte | ||||
| Wd = 450 ~ 460 nm | Unterhaltungselektronik | ||||
| PAM454501 | Blau | 45mil x 45mil | Vf = 2,8 ~ 3,4 V |  |
Allgemeinbeleuchtung |
| Po = 250 ~ 300 mW | LCD-Rücklicht | ||||
| Wd = 450 ~ 460 nm | Outdoor-Display |
7.Application of LED epitaixal wafer:*If you need to know more detail information of Blue LED Chip, please contact with our sales departments
Beleuchtung
LCD-Rücklicht
Mobile Geräte
Unterhaltungselektronik
8. Spezifikation des LED-Wafers als Beispiel:
Spezifikation PAM190730-LED
- Größe: 4 Zoll
- WD: 455 ± 10 nm
- Helligkeit:> 90mcd
- VF: <3,3 V.
- n-GaN-Dicke: <4,1㎛
- u-GaN-Dicke: <2,2㎛
- Substrat: gemustertes Saphirsubstrat (PSS)
9.GaAs (Galliumarsenid) -basierter LED-Wafer:
In Bezug auf GaAs-LED-Wafer, sie durch MOCVD gezüchtet werden, siehe unten Wellenlänge von GaAs-LED-Wafer:
Rot: 585nm, 615nm, 630nm 620 ~
Gelb: 587 ~ 592 nm
Gelb / Grün: 568 ~ 573 nm
10. Definition des LED-Wafers:
Was wir anbieten, ist nackter LED-Epi-Wafer oder nicht verarbeiteter Wafer ohne Lithographieprozesse, n- und Metallkontakte usw. Und Sie können den LED-Chip mit Ihrer Fertigungsausrüstung für verschiedene Anwendungen wie die Nanooptoelektronik-Forschung herstellen.
Für dieses Detail GaAs-Wafer-Spezifikationen LED, besuchen Sie bitte:GaAs Epi-Wafer für LED
Für die UV-Wafer-Spezifikationen LED, besuchen Sie bitte:UV-LED-Epi-Wafer
Für LED-Wafer auf Silizium-Spezifikationen, besuchen Sie bitte:LED-Wafer auf Silizium
Für Blau GaN LD Wafer-Spezifikationen, besuchen Sie bitte: Blau GaN LD Wafer
Sie können auch mögen ...
-
Lesen Sie weiterSchnellansicht:Freistehenden GaN-Substrat
PAM-XIAMEN haben die Fertigungstechnik für freistehende (Galliumnitrid) GaN-Substrat-Wafer festgelegt, die für UHB-LED und LD ist. Grown durch Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) Technologie hat sich unser GaN-Substrat mit niedriger Fehlerdichte.
-
Lesen Sie weiterSchnellansicht:Ge (Germanium) Einkristallen und Oblaten
PAM-XIAMEN bietet Halbleitermaterialien, Einkristall (Ge) Germanium-Wafer durch VGF / LEC gewachsen -
Lesen Sie weiterSchnellansicht:GaN-Vorlagen
PAM-Xiamens Template-Produkte bestehen aus kristallinen Schichten (Galliumnitrid) GaN-Vorlagen (Aluminiumnitrid) AlN schablonen (Aluminium-Gallium-Nitrid) AlGaN Vorlagen und (Indium-Gallium-Nitrid) InGaN-Vorlagen, die auf Saphir abgeschieden werden, -
Lesen Sie weiterSchnellansicht:InSb-Wafer
PAM-XIAMEN Angebote Compound Semiconductor Wafer InSb - Indiumantimonid, die von LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) als epi-ready oder mechanischem Typ mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) angebaut werden.
-
Lesen Sie weiterSchnellansicht:GaN-HEMT-Epitaxie-Wafer
Galliumnitrid (GaN) HEMT (high electron mobility transistor) ist die nächste Generation von HF-Leistungstransistor technology.Thanks auf GaN-Technologie, PAM-XIAMEN bieten jetzt AlGaN / GaN HEMT Epi-Wafer auf Saphir oder Silizium und AlGaN / GaN auf Saphir-Vorlage .
-
Lesen Sie weiterSchnellansicht:GaAs Epiwafer
Wir sind die Herstellung verschiedene Arten von epi-Wafer III-V-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien auf Basis von Ga, Al, In, As und P, die durch MBE oder MOCVD gezüchtet. Wir liefern individuelle Strukturen Kunden gerecht zu werden specifications.please uns für weitere Informationen zu kontaktieren.
-
Lesen Sie weiterSchnellansicht:Cz monokristallinem Silizium
CZ-Silizium
Die stark / schwach dotierten CZ monokristallinem Silizium ist für die verschiedenen integrierten Schaltungen (IC), die Herstellung, Dioden, Trioden, green-Solarpaneel Energie. Die speziellen Elemente (wie Ga, Ge) können die hocheffiziente, strahlungsbeständig und anti-degenerierenden Solarzellenmaterialien für spezielle Komponenten zu erzeugen, hinzugefügt werden.
-
Lesen Sie weiterSchnellansicht:SiC-Wafer-Substrat
Das Unternehmen verfügt über eine komplette Produktionslinie für SiC-Wafersubstrate (Siliziumkarbid), die Kristallwachstum, Kristallverarbeitung, Waferverarbeitung, Polieren, Reinigen und Testen integriert. Heutzutage liefern wir handelsübliche 4H- und 6H-SiC-Wafer mit Halbisolierung und Leitfähigkeit auf der Achse oder außerhalb der Achse, verfügbare Größe: 5 x 5 mm 2, 10 x 10 mm 2, 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll, die Schlüsseltechnologien wie die Fehlerunterdrückung durchbrechen , Impfkristallverarbeitung und schnelles Wachstum, Förderung der Grundlagenforschung und -entwicklung im Zusammenhang mit Siliziumkarbid-Epitaxie, Bauelementen usw.