GaN-basierte LED-Epitaxialwafer

GaN-basierte LED-Epitaxialwafer

PAM-Xiamens GaN (Galliumnitrid) -basierte LED-Epitaxialwafer ist für ultra hohe Helligkeit blaue und grüne lichtemittierenden Dioden (LED) und Laserdioden (LD) Anwendung.

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

InGaN/GaNLED-Epitaxiewafer auf Basis von (Galliumnitrid)

As LED wafer manufacturer,we offer GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers.it is by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile,electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission,including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.

GaN auf Al2O3-2” Epi-Wafer Specification (LED-Epitaxialwafer)

White: 445~460 nm
Blue:  465~475 nm
Green: 510~530 nm

 

1. Wachstum Technique - MOCVD
2.Wafer Durchmesser: 50,8 mm
3.Wafer substrate material: Patterned Sapphire Substrate(Al2O3) or Flat Sapphire
4.Wafer Mustergröße: 3X2X1.5μm

5.Wafer Struktur:

Strukturschichten Thickness(μm)
p-GaN 0.2
p-AlGaN 0.03
InGaN / GaN (aktiver Bereich) 0.2
n-GaN 2.5
u- GaN 3.5
Al2O3 (Substrat) 430

 

6.Wafer Parameter Chips zu machen:

Artikel Farbe Chip Size Charakteristik Aussehen  
PAM1023A01 Blau 10 Millionen x 23mil     Beleuchtung
Vf = 2,8 ~ 3,4 V LCD-Rücklicht
Po = 18 ~ 25mW Mobile Geräte
Wd = 450 ~ 460 nm Unterhaltungselektronik
PAM454501 Blau 45mil x 45mil Vf = 2,8 ~ 3,4 V   Allgemeinbeleuchtung
Po = 250 ~ 300 mW LCD-Rücklicht
Wd = 450 ~ 460 nm Outdoor-Display

 

7.Application of LED epitaixal wafer:*If you need to know more detail information of Blue LED Chip, please contact with our sales departments

Beleuchtung
LCD-Rücklicht
Mobile Geräte
Unterhaltungselektronik

8. Spezifikation des LED-Wafers als Beispiel:

Spezifikation PAM190730-LED
- Größe: 4 Zoll
- WD: 455 ± 10 nm
- Helligkeit:> 90mcd
- VF: <3,3 V.
- n-GaN-Dicke: <4,1㎛
- u-GaN-Dicke: <2,2㎛
- Substrat: gemustertes Saphirsubstrat (PSS)

9.GaAs (Galliumarsenid) -basierter LED-Wafer:

In Bezug auf GaAs-LED-Wafer, sie durch MOCVD gezüchtet werden, siehe unten Wellenlänge von GaAs-LED-Wafer:
Rot: 585nm, 615nm, 630nm 620 ~
Gelb: 587 ~ 592 nm
Gelb / Grün: 568 ~ 573 nm

10. Definition des LED-Wafers:

Was wir anbieten, ist nackter LED-Epi-Wafer oder nicht verarbeiteter Wafer ohne Lithographieprozesse, n- und Metallkontakte usw. Und Sie können den LED-Chip mit Ihrer Fertigungsausrüstung für verschiedene Anwendungen wie die Nanooptoelektronik-Forschung herstellen.

 

Für dieses Detail GaAs-Wafer-Spezifikationen LED, besuchen Sie bitte:GaAs Epi-Wafer für LED

Für die UV-Wafer-Spezifikationen LED, besuchen Sie bitte:UV-LED-Epi-Wafer  

Für LED-Wafer auf Silizium-Spezifikationen, besuchen Sie bitte:LED-Wafer auf Silizium

Für Blau GaN LD Wafer-Spezifikationen, besuchen Sie bitte: Blau GaN LD Wafer

GaN LED Epi on Sapphire

850 nm und 940 nm Infrarot-LED-Wafer

Roter Infrarot-AlGaAs / GaAs-LED-Epi-Wafer

Sie können auch mögen ...