GaN-HEMT-Epitaxie-Wafer

GaN-HEMT-Epitaxie-Wafer

Galliumnitrid (GaN) HEMT (high electron mobility transistor) ist die nächste Generation von HF-Leistungstransistor technology.Thanks auf GaN-Technologie, PAM-XIAMEN bieten jetzt AlGaN / GaN HEMT Epi-Wafer auf Saphir oder Silizium und AlGaN / GaN auf Saphir-Vorlage .

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

4.1 GaN HEMT Material: Vorhandene Größe: 2” , 4” , 6” , 8” :

GaN auf Si für Energie, D-Modus

GaN auf Si für Energie, E-Modus

GaN auf Si für RF

GaN auf Saphir für Power

GaN auf Saphir für RF

GaN auf SiC für RF

GaN auf GaN

4.2 Nun zeigen wir Ihnen ein Beispiel wie folgt:

2 "(50,8 mm) GaN HEMT Epitaxiewafern

Wir bieten 2 "(50,8 mm) GaN HEMT-Wafer ist die Struktur wie folgt:

Struktur (von oben nach unten):

* Undotierte GaN Kappe (2 ~ 3 nm)

AlxGa1-xN (18 ~ 40 nm)

AlN (Pufferschicht)

undotiertes GaN (2 ~ 3um)

Saphirsubstrat

* Wir können Si3n verwenden GaN auf der Oberseite zu ersetzen, ist die Haftung stark, es durch Sputter oder PECVD beschichtet ist.

AlGaN / GaN HEMT Epi-Wafer auf Saphir / GaN

Schicht # Zusammensetzung Dicke X Dotierstoff Ladungsträgerkonzentration
5 GaN 2 nm
4 AlxGa1–xN 8 nm 0.26
3 AlN 1nm Undotierte
2 GaN ≥1000 nm Undotierte
1 Buffer / Übergangsschicht
Substrat Silizium 350 um / 625μm

2 "(50,8 mm), 4" (100 mm) AlGaN / GaN HEMT-Epi-Wafer auf Si

1.1Specifications für Aluminium Galliumnitrid (AlGaN) / Galliumnitrid (GaN) HEMT (HEMT) auf einem Siliziumsubstrat.

Bedarf Spezifikation
AlGaN / GaN HEMT Epi-Wafer auf Si
AlGaN / GaN HEMT-Struktur siehe 1.2
Substratmaterial Silizium
Orientierung <111>
Wachstumsverfahren float Zone
Conduction Typ P oder N
Größe (Zoll) 2” , 4”
Dicke (um) 625
Hintern rau
Der spezifische Widerstand (Ω-cm) >6000
Bogen (um) ≤ ± 35

1.2.Epistructure: rißfreien Epitaxieschichten

Schicht # Zusammensetzung Dicke X Dotierstoff Ladungsträgerkonzentration
5 GaN 2 nm
4 AlxGa1–xN 8 nm 0.26
3 AlN 1nm Undotierte
2 GaN ≥1000 nm Undotierte
1 Buffer / Übergangsschicht
Substrat Silizium 350 um / 625μm

1.3.Electrical Eigenschaften der AlGaN / GaN HEMT-Struktur

2DEG Mobility (bei 300 K): ≥1,800 cm2 / Vs

2DEG Blatt Trägerdichte (bei 300 K): ≥0.9 × 1013 cm-2

RMS-Rauhigkeit (AFM): ≤ 0,5 nm (5,0 & mgr; m × 5,0 & mgr; m-Scan-Bereich)

2 "(50,8 mm) AlGaN / GaN auf Saphir

Zur Spezifikation von AlGaN / GaN auf Saphir-Vorlage, bitte an unsere Verkaufsabteilung: sales@powerwaywafer.com.

Anwendung: verwendet in blauen Laserdioden, UV-LEDs (bis 250 nm) und AlGaN / GaN HEMTs Gerät.

Erklärung der AlGaN / Al / GaN HEMT:

Nitride HEMTs werden für Hochleistungselektronik in Hochfrequenz-Verstärkung und Leistungsschaltanwendungen intensiv entwickelt. Oft hohe Leistung in DC-Betrieb verloren, wenn der HEMT schaltet ist - zum Beispiel des auf Strom kollabiert, wenn das Gate-Signal gepulst wird. Es wird vermutet, dass solche Effekte zu Charge-Trapping in Zusammenhang stehen, dass Masken die Wirkung des Tores auf dem Stromfluss. Feldplatten auf den Source- und Gate-Elektroden sind verwendet worden, um das elektrische Feld in der Vorrichtung zu manipulieren, wie Strom-collapse Erscheinungen abzuschwächen.

GaN EpitaxialTechnology - Customized GaN-Epitaxie auf SiC, Si und Saphir-Substrat für HEMTs, LEDs:

Verwandte Klassifizierung:

AlGaN / GaN HEMT, AlGaN / GaN HEMT-Banddiagramm, AlGaN / GaN HEMT-basierten Biosensor, AlGaN gan HEMT Dissertation, AlGaN / GaN HEMT-basierte Flüssigkeitssensoren, AlGaN / GaN HEMT-Zuverlässigkeit, AlGaN / GaN-HEMT mit 300 GHz, AlGaN gan HEMTs eine Übersicht der Vorrichtung, AlGaN gan HEMT-Charakterisierung, AlGaN / GaN-HEMTs mit einer InGaN-basierten Rück Barriere, AlN / GaN HEMT, AlGaN / AlN / GaN HEMT, InAlN / AlN / GaN HEMT, AIN Passivierung gan HEMT.

GAN HEMT Epitaxiewafern (GAN EPI-WAFER)

4.3 GaN-Vorrichtung:

GaN SBD

GaN HEMT

4.4 Test Charakterisierung Ausstattung:

Berührungslose Flächenwiderstand

Laser Thin Film Dicke Mapping

High Temp / Hochfeuchte- Rückwärts-Bias

Thermoschock

DIC Nomarski-Mikroskop

Atomkraftmikroskop (AFM)

Oberflächen Fehlerhaftigkeit Scan

High Temp Rückwärts-Bias

4PP Flächenwiderstand

Contactless Halle Mobility

Temperaturzyklus

X-ray Diffraction (XRD) / Reflektanz (XRR)

Ellipsometer Dicke

Profilometer

CV Tester

4.5 Foundry Fabrication: wir auch Gießerei Fertigung in dem folgenden Verfahren bieten wie folgt:

MOCVD-Epitaxie

Metall-Sputter / E-Beam-

Dry / Wet Metal / Dielektrikumätzen

Thin Film PECVD / LPCVD / Sputtering

RTA / Ofentemperung

Fotolithografie (0,35 um min. CD)

Ionenimplantation

GaN/SiC HEMT epi-wafers

Aluminiumgalliumarsenid-Epi-Wafer

650V GaN FETs Chip für Schnellladung

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