Freistehenden GaN-Substrat

Freistehendes GaN-Substrat

PAM-XIAMEN hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) GaN-Substratwafer für UHB-LED und LD etabliert. Unser GaN-Substrat wurde mit der HVPE-Technologie (Hydrid Steam Phase Epitaxy) gezüchtet und weist eine geringe Defektdichte auf.

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

Freistehenden GaN-Substrat

PAM-XIAMEN hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) etabliert.GaN-SubstratwaferDas ist für UHB-LED und LD. Gewachsen durch Hydrid-Dampfphasen-Epitaxie (HVPE) -Technologie, OurGaN-Substrathat eine niedrige Defektdichte und eine geringere oder freie Makrodefektdichte.

Spezifikation des freistehenden GaN-Substrats

 Hier zeigt Detailspezifikation:

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Artikel PAM-FS-GaN100-N+
Conduction Typ N type/Si doped
Größe 4″(100)+/-1mm
Dicke 480+/-50
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort (10-10)+/-0.5o
Primäre Wohnung Länge 32+/-1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210)+/-3o
Secondary Wohnung Länge 16 +/- 1mm
Spezifischer Widerstand (300K) <0.05Ω·cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOGEN <=+/-30um
Oberflächenfinish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Rückseite: 1. Feiner Boden
2.Polished.
Nutzfläche ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Artikel PAM-FS-GaN100-N-
Conduction Typ N type/undoped
Größe 4″(100)+/-1mm
Dicke 480+/-50
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort (10-10)+/-0.5o
Primäre Wohnung Länge 32+/-1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210)+/-3o
Secondary Wohnung Länge 16 +/- 1mm
Spezifischer Widerstand (300K) <0.5Ω · cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOGEN <=+/-30um
Oberflächenfinish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Rückseite: 1. Feiner Boden
2.Polished.
Nutzfläche ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Artikel PAM-FS-GaN100-SI
Conduction Typ Semi-Insulating
Größe 4″(100)+/-1mm
Dicke 480+/-50
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort (10-10)+/-0.5o
Primäre Wohnung Länge 32+/-1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210)+/-3o
Secondary Wohnung Länge 16 +/- 1mm
Spezifischer Widerstand (300K) >10^6Ω·cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOGEN <=+/-30um
Oberflächenfinish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Rückseite: 1. Feiner Boden
2.Polished.
Nutzfläche ≥ 90 %

 

50,8 mmFreistehend(Galliumnitrid)GaNSubstrat

Artikel PAM-FS-GaN50-N PAM-FS-GaN50-SI
Conduction Typ N-Typ Halbisolierendem
Größe 2 "(50,8) +/- 1mm
Dicke 330-450um
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5 °
Primäre Wohnung Standort (1-100) +/- 0,5 °
Primäre Wohnung Länge 16 +/- 1mm
Secondary Wohnung Standort (11-20) +/- 3 °
Secondary Wohnung Länge 8 +/- 1mm
Spezifischer Widerstand (300K) <0.5Ω · cm > 106 Ω · cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
Marco Defektdichte Eine Note <= 2 cm-2 B-Note> 2 cm-2
TTV <= 15um
BOGEN <= 20 um
Oberflächenfinish Vorderseite: Ra <0,2 nm. EPI-fähig poliert
  Rückseite: 1. Feiner Boden
2. Grob gemahlen
Nutzfläche ≥ 90%


 

 38,1 mm (1,5 Zoll)FreistehendGaN-Substrat

Artikel PAM-FS-GaN38-N PAM-FS-GaN38-SI
Conduction Typ N-Typ Halbisolierendem
Größe 38,1 (1,5 Zoll) +/- 0,5 mm
Dicke 330-450um
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort (1-100) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Länge 12 +/- 1 mm
Secondary Wohnung Standort (11-20) +/- 30
Secondary Wohnung Länge 6 +/- 1 mm
Spezifischer Widerstand (300K) <0.5Ω · cm > 106 Ω · cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
Marco Defektdichte Eine Note <= 2 cm-2 B-Note> 2 cm-2
TTV <= 15um
BOGEN <= 20 um
Oberflächenfinish Vorderseite: Ra <0,2 nm. EPI-fähig poliert
  Rückseite: 1. Feiner Boden
  2. Grob gemahlen
Nutzfläche ≥ 90%


 

15 mm, 10 mm, 5 mmFreistehendGaN-Substrat

Artikel PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
Conduction Typ N-Typ Halbisolierendem
Größe 14,0 mm * 15 mm 10,0 mm * 10,5 mm 5,0 * 5,5 mm
Dicke 330-450um
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort  
Primäre Wohnung Länge  
Secondary Wohnung Standort  
Secondary Wohnung Länge  
Spezifischer Widerstand (300K) <0.5Ω · cm > 106 Ω · cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
Marco Defektdichte 0 cm & supmin; ²
TTV <= 15um
BOGEN <= 20 um
Oberflächenfinish Vorderseite: Ra <0,2 nm. EPI-fähig poliert
  Rückseite: 1. Feiner Boden
    2. Grob gemahlen
Nutzfläche ≥ 90%


            

Hinweis:

Validation Wafer:Aus Gründen der Benutzerfreundlichkeit bietet PAM-XIAMEN einen 2-Zoll-Saphir-Validierungswafer für freistehendes GaN-Substrat mit einer Größe unter 2 Zoll an

Anwendung von GaN-Substrat

Festkörperbeleuchtung: GaN-Geräte werden als Leuchtdioden (LEDs) mit ultrahoher Helligkeit, Fernseher, Automobile und Allgemeinbeleuchtung verwendet

DVD-Speicher: Blaue Laserdioden

Leistungsgerät: GaN-Geräte werden als verschiedene Komponenten in Hochleistungs- und Hochfrequenz-Leistungselektronik wie zellularen Basisstationen, Satelliten, Leistungsverstärkern und Wechselrichtern / Wandlern für Elektrofahrzeuge (EV) und Hybrid-Elektrofahrzeuge (HEV) verwendet. Die geringe Empfindlichkeit von GaN gegenüber ionisierender Strahlung (wie andere Nitride der Gruppe III) macht es zu einem geeigneten Material für weltraumgestützte Anwendungen wie Solarzellen-Arrays für Satelliten und Hochleistungs-Hochfrequenzgeräte für Kommunikations-, Wetter- und Überwachungssatelliten

Ideal für das Nachwachsen von III-Nitriden

Drahtlose Basisstationen: HF-Leistungstransistoren

Drahtloser Breitbandzugang: Hochfrequenz-MMICs, RF-Schaltungs-MMICs

Drucksensoren: MEMS

Wärmesensoren: Pyroelektrische Detektoren

PLeistungskonditionierung: Mixed-Signal-GaN / Si-Integration

Automobilelektronik: Hochtemperaturelektronik

Stromübertragungsleitungen: Hochspannungselektronik

Rahmensensoren: UV-Detektoren

Solarzellen: Die breite Bandlücke von GaN deckt das Sonnenspektrum von 0,65 eV bis 3,4 eV ab (was praktisch das gesamte Sonnenspektrum darstellt), wodurch Indiumgalliumnitrid entsteht

(InGaN) -Legierungen, die sich perfekt zur Herstellung von Solarzellenmaterial eignen. Aufgrund dieses Vorteils werden InGaN-Solarzellen, die auf GaN-Substraten gezüchtet werden, zu einer der wichtigsten neuen Anwendungen und Wachstumsmärkte für GaN-Substratwafer.

Ideal für HEMTs, FETs

GaN-Schottky-Diodenprojekt: Wir akzeptieren kundenspezifische Spezifikationen von Schottky-Dioden, die auf HVPE-gewachsenen, freistehenden Galliumnitrid (GaN) -Schichten vom n- und p-Typ hergestellt wurden.
Beide Kontakte (ohmsch und Schottky) wurden mit Al / Ti und Pd / Ti / Au auf der Oberseite abgeschieden.
Wir bieten Testberichte an, siehe unten ein Beispiel:

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