GaN-Vorlagen

PAM-Xiamens Template-Produkte bestehen aus kristallinen Schichten (Galliumnitrid) GaN-Vorlagen (Aluminiumnitrid) AlN schablonen (Aluminium-Gallium-Nitrid) AlGaN Vorlagen und (Indium-Gallium-Nitrid) InGaN-Vorlagen, die auf Saphir abgeschieden werden,
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Produktbeschreibung

GaN (Galliumnitrid ) Vorlagen

PAM-Xiamens Template-Produkte bestehen aus kristallinen Schichten aus Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN), Aluminium-Galliumnitrid (AlGaN) und Indium-Gallium-Nitrid (InGaN), die auf Saphirsubstraten abgeschieden sind. PAM-Xiamens Vorlagenprodukte ermöglichen 20-50% kürzer Epitaxie Zykluszeiten und höhere Qualität Epitaxievorrichtung Schichten, mit einer besseren strukturellen Qualität und eine höhere thermische Leitfähigkeit, die Geräte in den Kosten, die Ausbeute und Leistung verbessern können.

2 "(50,8 mm)GaN-VorlagenEpitaxie auf Saphir-Substraten

Artikel PAM-2-Zoll-gant-N PAM-2-Zoll-gant-SI
Conduction Typ N-Typ Halbisolierendem
Dotierstoff Si dotierte oder undotiertem Fe dotierte
Größe 2 "(50 mm) Durchmesser.
Dicke 4um, 20um, 30um, 50um, 100um 30um, 90um
Orientierung C-Achse (0001) +/- 1 °
Spezifischer Widerstand (300K) <0.05Ω · cm > 1 × 106Ω · cm
Versetzungsdichte <1x108cm-2
Substratstruktur GaN auf Saphir (0001)
Oberflächenfinish Single oder Double Side Poliert, Epi-Ready
Nutzfläche ≥ 90%

2 "(50,8 mm) GaN Vorlagen Epitaxie auf Saphirsubstraten

Artikel PAM-gant-P
Conduction Typ P-Typ
Dotierstoff Mg doped
Größe 2 "(50 mm) Durchmesser.
Dicke 5 um, 20 um, 30 um, 50 um, 100 um
Orientierung C-Achse (0001) +/- 1 °
Spezifischer Widerstand (300K) <1Ω · cm oder benutzerdefinierte
Dotierstoffkonzentration 1E17 (cm-3) oder individuelle
Substratstruktur GaN auf Saphir (0001)
Oberflächenfinish Single oder Double Side Poliert, Epi-Ready
Nutzfläche ≥ 90%

 3 "(76,2 mm) GaN Vorlagen Epitaxie auf Saphirsubstraten

Artikel PAM-3 Zoll-gant-N
Conduction Typ N-Typ
Dotierstoff Si dotierte oder undotiertem
Exclusion Zone: 5 mm von Außendurchmesser
Dicke: 20um, 30um
Versetzungsdichte <1x108cm-2
Der Flächenwiderstand (300K): <0.05Ω · cm
Substrat: Saphir
Orientierung : C-plane
Sapphire Dicke: 430um
Polieren: Einseitiger Poliert, Epi-Ready, mit atomaren Stufen.
Rückseitenbeschichtung: (Custom) Qualitätstitanbeschichtung, Dicke> 0,4 ​​um
Verpackung: Einzeln unter Argon verpackt
Atmosphere vacuum sealed in class 100 clean room.

3 "(76,2 mm) GaN Vorlagen Epitaxie auf Saphirsubstraten

Artikel PAM-3inch-gant-SI
Conduction Typ Halbisolierendem
Dotierstoff Fe dotierte
Exclusion Zone: 5 mm von Außendurchmesser
Dicke: 20um, 30um, 90um (20um ist die beste)
Versetzungsdichte <1x108cm-2
Der Flächenwiderstand (300K): > 106 ohm.cm
Substrat: Saphir
Orientierung : C-plane
Sapphire Dicke: 430um
Polieren: Einseitiger Poliert, Epi-Ready, mit atomaren Stufen.
Rückseitenbeschichtung: (Custom) Qualitätstitanbeschichtung, Dicke> 0,4 ​​um
Verpackung: Einzeln unter Argon-Atmosphäre Vakuum in der Klasse 100-Reinraum versiegelt verpackt.

4″(100mm)GaN Templates Epitaxial on Sapphire Substrates

Artikel PAM-4inch-gant-N
Conduction Typ N-Typ
Dotierstoff undotierte
Dicke: 4um
Versetzungsdichte <1x108cm-2
Der Flächenwiderstand (300K): <0.05Ω · cm
Substrat: Saphir
Orientierung : C-plane
Sapphire Dicke:
Polieren: Einseitiger Poliert, Epi-Ready, mit atomaren Stufen.
Verpackung: Individuell unter Argonatmosphäre verpackt
Vakuum in der Klasse 100-Reinraum versiegelt.

2 "(50,8 mm) AlGaN, InGaN, AlN-Epitaxie auf Saphir-Vorlagen: benutzerdefinierte
2”(50.8mm)AlN Epitaxy on Sapphire Templates

Artikel PAM-ALNT-SI
Conduction Typ halbisolierende
Durchmesser Ф 50,8 mm ± 1 mm
Dicke: 1000 nm +/- 10%
Substrat: Saphir
Orientierung : C-Achse (0001) +/- 1 °
Orientierung Wohnung Ein Flugzeug
XRD FWHM (0002) <200 Bogensekunden.
Nutzbare Fläche ≥90%
Polieren: Keiner

2” (50,8 mm)InGaN-Epitaxie auf Saphir-Vorlagen

Artikel PAM-INGAN
Conduction Typ
Durchmesser Ф 50,8 mm ± 1 mm
Dicke: 100-200nm, kundenspezifische
Substrat: Saphir
Orientierung : C-Achse (0001) +/- 1O
Dotierstoff In
Versetzungsdichte ~ 108 cm-2
Nutzbare Fläche ≥90%
Oberflächenfinish Single oder Double Side Poliert, Epi-Ready

2” (50,8 mm) AlGaN Epitaxie auf Saphir-Vorlagen

Artikel PAM-ALNT-SI
Conduction Typ halbisolierende
Durchmesser Ф 50,8 mm ± 1 mm
Dicke: 1000 nm +/- 10%
Substrat: Saphir
Orientierung : C-plane
Orientierung Wohnung Ein Flugzeug
XRD FWHM (0002) <200 Bogensekunden.
Nutzbare Fläche ≥90%
Polieren: Keiner

GaN Template on Sapphire& Silicon

2 "(50,8 mm) auf GaN 4H- oder 6H-SiC-Substrat

1) undotierte GaN-Puffer oder AlN-Puffer zur Verfügung steht;
2) vom n-Typ (Si dotiert oder undotiert), p-Typ oder halbisolierend GaN-Epitaxieschichten vorhanden;
3) vertikale leitende Strukturen auf n-Typ-SiC;
4) AlGaN - 20-60nm dick, (20% bis 30% Al), Si dotierter Puffer;
5) GaN vom n-Typ Schicht auf 330μm +/- 25um dicken 2” -Wafer.
6) einseitig oder beidseitig poliert, Epi-Ready, Ra <0.5um
7) Typischer Wert auf XRD:
Wafer-ID Substrat ID XRD (102) XRD (002) Dicke
#2153 X-70105033 (mit AlN) 298 167 679um
         
 Single or double side polished, epi-ready, Ra<0.5um

6 "(150 mm) n-GaN-on doppelseitig poliert flache Saphir

Ziel Anmerkung  
Substrat Durchmesser 150 mm +/- 0,15 mm
Substratdicke 1300 um oder 1000um +/- 25 & mgr; m
c-Ebene (0001), Verschnitt Winkel in Richtung m-plane 0,2 deg +/- 0,1 °
Single primary flat length 47.5 mm +/- 1 mm
Flat orientation a-plane +/- 0.2 deg
Si-doped n-GaN thickness 4 um +/- 5%
Si concentration in n-GaN 5e18 cm-3 ja
u-GaN thickness 1 um no this layer
XRD rocking curve (002) < 250 arcsec <300 arcsec
XRD rocking curve (102) < 250 arcsec <350 arcsec
Versetzungsdichte < 5e8 cm-2 ja
Front side surface, AFM (5×5 um2) Ra < 0.5 nm, Epi-ready ja
Back side surfac\e 0.6 – 1.2 um, fine ground ja
Wafer bowing < 100 um no this data
n-GaN resistivity (300K) < 0.01 ohm-cm2 ja
Total thickness variation < 25 um <10um
Defect density Macro defects (>100 um):< 1/wafer  Micro defects (1-100 um):< 1/cm2 Macro defects (>100 um):< 10/wafer Micro defects (1-100 um):< 10/cm2
Laser marking on the backside of the wafer flat ja
Paket packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25 pcs or single wafer containers, under nitrogen atmosphere, double sealed ja
Randausschluss < 3 mm ja
Useable surface area > 90% ja

Hydride Vapour Phase Epitaxy (HVPE) process

Grown by HVPE process and technology for the production of compound semiconductors such as GaN, AlN, and AlGaN. They are used in a wide applications:solid state lighting, short wavelength optoelectronics and RF power device.

In the HVPE process, Group III nitrides (such as GaN, AlN) are formed by reacting hot gaseous metal chlorides (such as GaCl or AlCl) with ammonia gas (NH3). The metal chlorides are generated by passing hot HCl gas over the hot Group III metals. All reactions are done in a temperature controlled quartz furnace.

Wir bieten Berichte, siehe unten Beispiel:

AlGaN Templatstruktur Bericht

FWHM und XRD-Bericht

AlN Single Crystal Substrate& Template on Sapphire/Silicon

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