GaN-Vorlagen

PAM-Xiamens Template-Produkte bestehen aus kristallinen Schichten (Galliumnitrid) GaN-Vorlagen (Aluminiumnitrid) AlN schablonen (Aluminium-Gallium-Nitrid) AlGaN Vorlagen und (Indium-Gallium-Nitrid) InGaN-Vorlagen, die auf Saphir abgeschieden werden,
  • Beschreibung

Produktbeschreibung

GaN (Galliumnitrid ) Vorlagen

PAM-Xiamens Template-Produkte bestehen aus kristallinen Schichten aus Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN), Aluminium-Galliumnitrid (AlGaN) und Indium-Gallium-Nitrid (InGaN), die auf Saphirsubstraten abgeschieden sind. PAM-Xiamens Vorlagenprodukte ermöglichen 20-50% kürzer Epitaxie Zykluszeiten und höhere Qualität Epitaxievorrichtung Schichten, mit einer besseren strukturellen Qualität und eine höhere thermische Leitfähigkeit, die Geräte in den Kosten, die Ausbeute und Leistung verbessern können.

2 "(50,8 mm)GaN-VorlagenEpitaxie auf Saphir-Substraten

Artikel

PAM-2-Zoll-gant-N

PAM-2-Zoll-gant-SI

Conduction Typ

N-Typ

Halbisolierendem

Dotierstoff

Si dotierte oder undotiertem

Fe dotierte

Größe

2 "(50 mm) Durchmesser.

Dicke

4um, 20um, 30um, 50um, 100um

30um, 90um

Orientierung

C-Achse (0001) +/- 1 °

Spezifischer Widerstand (300K)

<0.05Ω · cm

> 1 × 106Ω · cm

Versetzungsdichte

<1x108cm-2

Substratstruktur

GaN auf Saphir (0001)

Oberflächenfinish

Single oder Double Side Poliert, Epi-Ready

Nutzfläche

≥ 90%

2 "(50,8 mm) GaN Vorlagen Epitaxie auf Saphirsubstraten

Artikel

PAM-gant-P

Conduction Typ

P-Typ

Dotierstoff

mg dotiert

Größe

2 "(50 mm) Durchmesser.

Dicke

5 um, 20 um, 30 um, 50 um, 100 um

Orientierung

C-Achse (0001) +/- 1 °

Spezifischer Widerstand (300K)

<1Ω · cm oder benutzerdefinierte

Dotierstoffkonzentration

1E17 (cm-3) oder individuelle

Substratstruktur

GaN auf Saphir (0001)

Oberflächenfinish

Single oder Double Side Poliert, Epi-Ready

Nutzfläche

≥ 90%

 3 "(76,2 mm) GaN Vorlagen Epitaxie auf Saphirsubstraten

Artikel

PAM-3 Zoll-gant-N

Conduction Typ

N-Typ

Dotierstoff

Si dotierte oder undotiertem

Exclusion Zone:

5 mm von Außendurchmesser

Dicke:

20um, 30um

Versetzungsdichte

<1x108cm-2

Der Flächenwiderstand (300K):

<0.05Ω · cm

Substrat:

Saphir

Orientierung :

C-plane

Sapphire Dicke:

430um

Polieren:

Einseitiger Poliert, Epi-Ready, mit atomaren Stufen.

Rückseitenbeschichtung:

(Custom) Qualitätstitanbeschichtung, Dicke> 0,4 ​​um

Verpackung:

Einzeln unter Argon verpackt

Atmosphäre Vakuum in der Klasse 100-Reinraum versiegelt.

3 "(76,2 mm) GaN Vorlagen Epitaxie auf Saphirsubstraten

Artikel

PAM-3inch-gant-SI

Conduction Typ

Halbisolierendem

Dotierstoff

Fe dotierte

Exclusion Zone:

5 mm von Außendurchmesser

Dicke:

20um, 30um, 90um (20um ist die beste)

Versetzungsdichte

<1x108cm-2

Der Flächenwiderstand (300K):

> 106 ohm.cm

Substrat:

Saphir

Orientierung :

C-plane

Sapphire Dicke:

430um

Polieren:

Einseitiger Poliert, Epi-Ready, mit atomaren Stufen.

Rückseitenbeschichtung:

(Custom) Qualitätstitanbeschichtung, Dicke> 0,4 ​​um

Verpackung:

Einzeln unter Argon-Atmosphäre Vakuum in der Klasse 100-Reinraum versiegelt verpackt.

4 "(100 mm) GaN Templates Epitaxial auf Saphirsubstraten

Artikel

PAM-4inch-gant-N

Conduction Typ

N-Typ

Dotierstoff

undotierte

Dicke:

4um

Versetzungsdichte

<1x108cm-2

Der Flächenwiderstand (300K):

<0.05Ω · cm

Substrat:

Saphir

Orientierung :

C-plane

Sapphire Dicke:

Polieren:

Einseitiger Poliert, Epi-Ready, mit atomaren Stufen.

Verpackung:

Individuell unter Argonatmosphäre verpackt

Vakuum in der Klasse 100-Reinraum versiegelt.

2 "(50,8 mm) AlGaN, InGaN, AlN-Epitaxie auf Saphir-Vorlagen: benutzerdefinierte

2” (50,8 mm)AlN-Epitaxie auf Saphir-Vorlagen

Artikel

PAM-ALNT-SI

Conduction Typ

halbisolierende

Durchmesser

Ф 50,8 mm ± 1 mm

Dicke:

1000 nm +/- 10%

Substrat:

Saphir

Orientierung :

C-Achse (0001) +/- 1 °

Orientierung Wohnung

Ein Flugzeug

XRD FWHM (0002)

<200 Bogensekunden.

Nutzbare Fläche

≥90%

Polieren:

Keiner

2” (50,8 mm)InGaN-Epitaxie auf Saphir-Vorlagen

Artikel PAM-INGAN
Conduction Typ
Durchmesser Ф 50,8 mm ± 1 mm
Dicke: 100-200nm, kundenspezifische
Substrat: Saphir
Orientierung : C-Achse (0001) +/- 1O
Dotierstoff In
Versetzungsdichte ~ 108 cm-2
Nutzbare Fläche ≥90%
Oberflächenfinish Single oder Double Side Poliert, Epi-Ready

2” (50,8 mm) AlGaN Epitaxie auf Saphir-Vorlagen

Artikel

PAM-ALNT-SI

Conduction Typ

halbisolierende

Durchmesser

Ф 50,8 mm ± 1 mm

Dicke:

1000 nm +/- 10%

Substrat:

Saphir

Orientierung :

C-plane

Orientierung Wohnung

Ein Flugzeug

XRD FWHM (0002)

<200 Bogensekunden.

Nutzbare Fläche

≥90%

Polieren:

Keiner

2 "(50,8 mm) auf GaN 4H- oder 6H-SiC-Substrat

1) undotierte GaN-Puffer oder AlN-Puffer zur Verfügung steht;

2) vom n-Typ (Si dotiert oder undotiert), p-Typ oder halbisolierend GaN-Epitaxieschichten vorhanden;

3) vertikale leitende Strukturen auf n-Typ-SiC;

4) AlGaN - 20-60nm dick, (20% bis 30% Al), Si dotierter Puffer;

5) GaN vom n-Typ Schicht auf 330μm +/- 25um dicken 2” -Wafer.

6) einseitig oder beidseitig poliert, Epi-Ready, Ra <0.5um

7) Typischer Wert auf XRD:

Wafer-ID

Substrat ID

XRD (102)

XRD (002)

Dicke

# 2153

X-70105033 (mit AlN)

298

167

679um

 

 

 

 

 

2 "(50,8 mm) GaN auf dem Siliziumsubstrat

1) GaN Schichtdicke: 50 nm-4um;

2) N-Typ oder halbisolierend GaN verfügbar sind;

3) einseitig oder beidseitig poliert, Epi-Ready, Ra <0.5um

6 "(150 mm) n-GaN-on doppelseitig poliert flache Saphir

Ziel Anmerkung
Substrat Durchmesser 150 mm +/- 0,15 mm
Substratdicke 1300 um oder 1000um +/- 25 & mgr; m
c-Ebene (0001), Verschnitt Winkel in Richtung m-plane 0,2 deg +/- 0,1 °
Single primary flat length 47.5 mm +/- 1 mm
Wohnung Ausrichtung a-plane +/- 0.2 deg
Si-doped n-GaN thickness 4 um +/- 5%
Si concentration in n-GaN 5e18 cm-3 ja
u-GaN thickness 1 um no this layer
XRD rocking curve (002) < 250 arcsec <300 arcsec
XRD rocking curve (102) < 250 arcsec <350 arcsec
Versetzungsdichte < 5e8 cm-2 ja
Front side surface, AFM (5×5 um2) Ra < 0.5 nm, Epi-ready ja
Back side surfac\e 0.6 – 1.2 um, fine ground ja
Wafer bowing < 100 um no this data
n-GaN resistivity (300K) < 0.01 ohm-cm2 ja
Total thickness variation < 25 um <10um
Defect density Macro defects (>100 um):< 1/wafer  Micro defects (1-100 um):< 1/cm2 Macro defects (>100 um):< 10/wafer Micro defects (1-100 um):< 10/cm2
Laserbeschriftung on the backside of the wafer flat ja
Paket packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25 pcs or single wafer containers, under nitrogen atmosphere, double sealed ja
Randausschluss < 3 mm ja
Useable surface area > 90% ja

Hydride Vapour Phase Epitaxy (HVPE) process

Grown by HVPE process and technology for the production of compound semiconductors such as GaN, AlN, and AlGaN. They are used in a wide applications:solid state lighting, short wavelength optoelectronics and RF power device.

In the HVPE process, Group III nitrides (such as GaN, AlN) are formed by reacting hot gaseous metal chlorides (such as GaCl or AlCl) with ammonia gas (NH3). The metal chlorides are generated by passing hot HCl gas over the hot Group III metals. All reactions are done in a temperature controlled quartz furnace.

Wir bieten Berichte, siehe unten Beispiel:

AlGaN Templatstruktur Bericht

FWHM und XRD-Bericht

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