GaSb-Dünnfilm auf GaAs

GaSb-Dünnfilm auf GaAs

Gegenwärtig werden die meisten InAs/GaSb 11 -Übergitter auf gitterangepassten GaSb-Substraten gezüchtet. Aufgrund des hohen Preises des GaSb-Substrats, des Fehlens eines halbisolierenden Substrats und der Komplexität des Prozesses ist das Bestreben, GaSb-Massenmaterialien auf neuen Substraten wie GaAs-Substraten zu züchten, für viele international zu einem neuen technischen Weg geworden Forschungs- und Entwicklungseinheiten, um das Wachstum von InAs/GaSb-Übergittern zu realisieren. Darüber hinaus kann eine GaAs-basierte p-GaSb/n-GaAs-Struktur hocheffiziente thermische Photovoltaikzellen realisieren, was ein Forschungsschwerpunkt ist. Bisher ist GaAs das ausgereifteste Material mit der besten Kristallqualität in Verbindungshalbleitern. Daher ist die Verwendung von GaAs als Substratmaterial für heteroepitaxiales Wachstum durch verschiedene Technologien ein sehr interessantes Forschungsthema und hat einen großen praktischen Wert.PAM-XIAMEN bietet Dienstleistungen für das Wachstum von heteroepitaxialen Filmen an, wie z. B. den unten aufgeführten heteroepitaxialen GaSb-Dünnfilm auf einem GaAs-Substrat. Weitere Informationen zu unseren Produkten finden Sie unterhttps://www.powerwaywafer.com/products.html.

1. Spezifikation des heteroepitaxialen GaSb-Wachstums auf einem GaAs-Substrat

Wir können GaAs-Wafer mit einer Epitaxieschicht aus GaSb wie folgt anbieten:

GaSb-Epi-Schicht auf GaAs(PAM190403 – GASB):

Epi-Schicht: Dicke 0,5 um. Undotiert, GaSb

Substrat: 2 Zoll halbisolierendes GaAs-Substrat, spezifischer Widerstand >1E8ohm.cm

GaSb heteroepitaxiales Wachstumsmaterial

2. Verbesserung des heteroepitaxialen GaSb-Dünnschichtwachstums auf GaAs durch Hinzufügen einer Pufferschicht

Obwohl das Züchten von heteroepitaxialen GaSb-Materialien einen großen praktischen Wert hat, ist die Gitterfehlanpassung zwischen GaAs und GaSb groß (~7 %). Wenn GaSb direkt auf ein GaAs-Substrat aufgewachsen wird, wird aufgrund von Spannungen eine große Anzahl von Defekten und Versetzungen an der Grenzfläche erzeugt, was schwierig ist, qualitativ hochwertige epitaxiale Materialien aufzuwachsen. Um dieses Problem zu lösen, wurden viele Wachstumsverfahren eingeführt, um die Gitterfehlanpassung zu verringern und eine hochqualitative Heteroepitaxie zu erreichen.

Darin ist die Wachstumspufferschicht eines der wichtigen Mittel, um die Gitterfehlanpassung zu mildern. Im Allgemeinen ist die Pufferschicht eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur mit einer bestimmten Dicke. Seine Funktion besteht darin, die Spannung zu unterdrücken, die durch die Fehlanpassung zwischen dem Substrat und der Epitaxieschicht in der Pufferschicht erzeugt wird, und die Versetzung und Defekte zu reduzieren, die durch die Heteroepitaxie mit großer Fehlanpassung erzeugt werden.

InAs-, AlSb- und GaSb-Materialien werden üblicherweise als Pufferschichten für heteroepitaxiales GaSb-Wachstum ausgewählt. Es wurden die strukturellen Eigenschaften von GaSb-Filmen auf einem GaAs (001)-Substrat bei niedriger Temperatur mit unterschiedlichen Pufferschichten untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass eine AlSb- oder GaSb-Pufferschicht sehr nützlich ist, um die Qualität von auf GaAs-Substraten gewachsenen GaSb-Filmen zu verbessern.

 

Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Wir hoffen auf Ihr Verständnis und Ihre Mitarbeit!

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

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