Ge (Germanium) Einkristallen und Oblaten

Ge (Germanium) Einkristallen und Oblaten

PAM-XIAMEN bietet Halbleitermaterialien, Einkristall (Ge) Germanium-Wafer durch VGF / LEC gewachsen
  • Beschreibung

Produktbeschreibung

Einkristall (Ge) Germanium-Wafer

PAM-XIAMENoffers semiconductor materials,Ge(Germanium) Single Crystals and Wafers grown by VGF / LEC

1. Properties of Germanium Wafer

1.1 General Properties of Germanium Wafer

Allgemeine Eigenschaften Aufbau Cubic, a = 5.6754 Å
Dichte: 5,765 g / cm3
Melting   Point: 937.4 oC
Wärmeleitfähigkeit: 640
Crystal Growth Technologie Czochralski
Doping verfügbar undotierte Sb Doping Doping In oder Ga
leitfähige Typ / N P
Resistivität, ohm.cm >35 <0,05 0,05 bis 0,1
EPD < 5×103/cm2 < 5×103/cm2 < 5×103/cm2
< 5×102/cm2 < 5×102/cm2 < 5×102/cm2

 

1.2.Grades and Application of Germanium wafer

elektronische Grade Verwendet für Dioden und Transistoren,
Infrarot oder opitical Grad Wird für die IR optische Fenster oder Scheiben, opitical Komponenten
Zelle Grade Used for substrates of solar cell

 

1.3.Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

Kristallorientierung <111>,<100> and <110> ± 0.5o or custom orientation
Kristall boule als erwachsene 1 "~ 6" Durchmesser x 200 mm Länge
Standard leer als Schnitt 1 "x 0,5 mm 2 "x0.6mm 4 "x0.7mm 5 "und 6" x0.8mm
Standard Polierte Wafer (Ein / zwei Seiten poliert) 1 "x 0,30 mm 2 "x0.5mm 4 "x0.5mm  5″&6″x0.6mm

Special size and orientation are available upon requested Wafers

2. Specification of Germanium Wafer

2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size

Artikel Technische Daten Bemerkungen
Growth-Methode VGF
Conduction Typ n-Typ, p-Typ, undotierten  
Dotierstoff Gallium- oder Antimony
Wafer Diamter 2, 3,4 & 6 Zoll
Kristallorientierung (100), (111), (110)
Dicke 200 ~ 550 Äh
VON EJ oder US
Ladungsträgerkonzentration Anfrage bei Kunden  
Der spezifische Widerstand bei RT (0,001 ~ 80) Ohm.cm
Ätzgrübchendichte <5000 / cm2
Laserbeschriftung auf Anfrage
Oberflächenfinish P / E oder P / P
Epi bereit Ja
Paket Single-Wafer-Behälter oder Kassette

 

2.2 Germanium Wafer for Solar Cell

4-Zoll-Wafer-Ge-Spezifikation für Solarzellen  —
Doping P  —
Doping-Substanzen Ge-Ga  —
Durchmesser 100 ± 0,25 mm  —
Orientierung (100) 9 ° von der Richtung <111> +/- 0,5
Off-Orientierung Tiltwinkel N / A  —
Primäre Flach Orientierung N / A  —
Primäre Wohnung Länge 32 ± 1 Millimeter
Secondary Flach Orientierung N / A  —
Secondary Wohnung Länge N / A Millimeter
cc (0,26-2,24) E18 / cc
Der spezifische Widerstand (0,74 bis 2,81) E-2 ohm.cm
Electron Mobility 382-865 cm2 / vs
EPD <300 / cm2
Laser-Markierung N / A  —
Dicke 175 ± 10 um
TTV <15 um
TIR N / A um
BOGEN <10 um
Kette <10 um
Vorderseite Poliert  —
Rückfläche Boden  —

 

3. Germanium Wafer Process

In dem Germaniumwafer Herstellungsverfahren, Germaniumdioxid aus dem Rückstand Verarbeitung gereinigt wird weiter in Chlorierung und Hydrolyseschritten.
1) Hohe Reinheit Germanium wird während Zonenreinigung erhalten.
2) ein Germaniumkristall wird über das Czochralski-Verfahren hergestellt.
3) Der Germaniumwafer wird über mehrere Schneid hergestellt, Schleifen und Ätzschritte.
4) Die Wafer werden gereinigt und Inspektion. Während dieses Prozesses werden die Wafer einseitig poliert oder doppelseitig poliert nach kundenspezifischen Anforderung, Epi-Wafer bereit sind kommt.
5) Die Wafer werden in Einzelwafer-Behälter verpackt, unter einer Stickstoffatmosphäre.

4.Application of Germanium:

Germanium leer oder Fenster werden in der Nachtsicht und Thermografie-Imaging-Lösungen für kommerzielle Sicherheit, Brandbekämpfung und industrielle Überwachungsgeräte eingesetzt. Außerdem werden sie als Filter für die Analyse- und Messmittel, Fenster für die Ferntemperaturmessung und Spiegel für Laser verwendet.

Thin Germanium Substrate werden in III-V-Triple-Junction-Solarzellen und für den Strom Concentrated PV (CPV) -Systemen verwendet.

5.Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the Germanium crystal was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

 

 

 

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.comundpowerwaymaterial@gmail.com

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