Ge (Germanium) Einkristallen und Oblaten
- Beschreibung
Produktbeschreibung
Einkristall (Ge) Germanium-Wafer
PAM-XIAMENoffers semiconductor materials,Ge(Germanium) Single Crystals and Wafers grown by VGF / LEC
1. Properties of Germanium Wafer
1.1 General Properties of Germanium Wafer
| Allgemeine Eigenschaften Aufbau | Cubic, a = 5.6754 Å | ||
| Dichte: 5,765 g / cm3 | |||
| Melting Point: 937.4 oC | |||
| Wärmeleitfähigkeit: 640 | |||
| Crystal Growth Technologie | Czochralski | ||
| Doping verfügbar | undotierte | Sb Doping | Doping In oder Ga |
| leitfähige Typ | / | N | P |
| Resistivität, ohm.cm | >35 | <0,05 | 0,05 bis 0,1 |
| EPD | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 |
| < 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 | |
1.2.Grades and Application of Germanium wafer
| elektronische Grade | Verwendet für Dioden und Transistoren, |
| Infrarot oder opitical Grad | Wird für die IR optische Fenster oder Scheiben, opitical Komponenten |
| Zelle Grade | Used for substrates of solar cell |
1.3.Standard Specs of Germanium Crystal and wafer
| Kristallorientierung | <111>,<100> and <110> ± 0.5o or custom orientation | |||
| Kristall boule als erwachsene | 1 "~ 6" Durchmesser x 200 mm Länge | |||
| Standard leer als Schnitt | 1 "x 0,5 mm | 2 "x0.6mm | 4 "x0.7mm | 5 "und 6" x0.8mm |
| Standard Polierte Wafer (Ein / zwei Seiten poliert) | 1 "x 0,30 mm | 2 "x0.5mm | 4 "x0.5mm | 5″&6″x0.6mm |
Special size and orientation are available upon requested Wafers
2. Specification of Germanium Wafer
2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size
| Artikel | Technische Daten | Bemerkungen |
| Growth-Methode | VGF | — |
| Conduction Typ | n-Typ, p-Typ, undotierten | |
| Dotierstoff | Gallium- oder Antimony | — |
| Wafer Diamter | 2, 3,4 & 6 | Zoll |
| Kristallorientierung | (100), (111), (110) | — |
| Dicke | 200 ~ 550 | Äh |
| VON | EJ oder US | — |
| Ladungsträgerkonzentration | Anfrage bei Kunden | |
| Der spezifische Widerstand bei RT | (0,001 ~ 80) | Ohm.cm |
| Ätzgrübchendichte | <5000 | / cm2 |
| Laserbeschriftung | auf Anfrage | — |
| Oberflächenfinish | P / E oder P / P | — |
| Epi bereit | Ja | — |
| Paket | Single-Wafer-Behälter oder Kassette | — |
2.2 Germanium Wafer for Solar Cell
| 4-Zoll-Wafer-Ge-Spezifikation | für Solarzellen | — |
| Doping | P | — |
| Doping-Substanzen | Ge-Ga | — |
| Durchmesser | 100 ± 0,25 mm | — |
| Orientierung | (100) 9 ° von der Richtung <111> +/- 0,5 | |
| Off-Orientierung Tiltwinkel | N / A | — |
| Primäre Flach Orientierung | N / A | — |
| Primäre Wohnung Länge | 32 ± 1 | Millimeter |
| Secondary Flach Orientierung | N / A | — |
| Secondary Wohnung Länge | N / A | Millimeter |
| cc | (0,26-2,24) E18 | / cc |
| Der spezifische Widerstand | (0,74 bis 2,81) E-2 | ohm.cm |
| Electron Mobility | 382-865 | cm2 / vs |
| EPD | <300 | / cm2 |
| Laser-Markierung | N / A | — |
| Dicke | 175 ± 10 | um |
| TTV | ＜15 | um |
| TIR | N / A | um |
| BOGEN | <10 | um |
| Kette | ＜10 | um |
| Vorderseite | Poliert | — |
| Rückfläche | Boden | — |
3. Germanium Wafer Process
In dem Germaniumwafer Herstellungsverfahren, Germaniumdioxid aus dem Rückstand Verarbeitung gereinigt wird weiter in Chlorierung und Hydrolyseschritten.
1) Hohe Reinheit Germanium wird während Zonenreinigung erhalten.
2) ein Germaniumkristall wird über das Czochralski-Verfahren hergestellt.
3) Der Germaniumwafer wird über mehrere Schneid hergestellt, Schleifen und Ätzschritte.
4) Die Wafer werden gereinigt und Inspektion. Während dieses Prozesses werden die Wafer einseitig poliert oder doppelseitig poliert nach kundenspezifischen Anforderung, Epi-Wafer bereit sind kommt.
5) Die Wafer werden in Einzelwafer-Behälter verpackt, unter einer Stickstoffatmosphäre.
4.Application of Germanium:
Germanium leer oder Fenster werden in der Nachtsicht und Thermografie-Imaging-Lösungen für kommerzielle Sicherheit, Brandbekämpfung und industrielle Überwachungsgeräte eingesetzt. Außerdem werden sie als Filter für die Analyse- und Messmittel, Fenster für die Ferntemperaturmessung und Spiegel für Laser verwendet.
Thin Germanium Substrate werden in III-V-Triple-Junction-Solarzellen und für den Strom Concentrated PV (CPV) -Systemen verwendet.
5.Test of Germanium Wafer:
The resistivity of the Germanium crystal was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.comundpowerwaymaterial@gmail.com
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