Germanium-Wafer,Ge-Wafer,Preis für Germanium-Wafer

Ge(Germanium) Single Crystals and Wafers

PAM-XIAMEN bietet 2-Zoll-, 3-Zoll-, 4-Zoll- und 6-Zoll-Germaniumwafer an, die Abkürzung für „Ge-Wafer, gewachsen durch VGF/LEC“. Leicht dotierte Germaniumwafer vom P- und N-Typ können auch für Hall-Effekt-Experimente verwendet werden. Bei Raumtemperatur ist kristallines Germanium spröde und weist eine geringe Plastizität auf. Germanium hat Halbleitereigenschaften. Hochreines Germanium wird mit dreiwertigen Elementen (wie Indium, Gallium, Bor) dotiert, um Germaniumhalbleiter vom P-Typ zu erhalten; und fünfwertige Elemente (wie Antimon, Arsen und Phosphor) werden dotiert, um Germaniumhalbleiter vom N-Typ zu erhalten. Germanium verfügt über gute Halbleitereigenschaften, wie z. B. eine hohe Elektronenmobilität und eine hohe Lochmobilität.

Kategorie: Germanium-Wafer Stichworte: Germanium-Solarzelle, Germanium-Wafer, Preis für Germaniumwafer, Wafer für Solarzellen

Description

Beschreibung

Einkristalliner Germaniumwafer

PAM-XIAMEN bietet 2-Zoll-, 3-Zoll-, 4-Zoll- und 6-Zoll-Germaniumwafer an, die Abkürzung für „Ge-Wafer, gewachsen durch VGF/LEC“. Leicht dotierte Germaniumwafer vom N- und P-Typ können auch für Hall-Effekt-Experimente verwendet werden. Bei Raumtemperatur ist kristallines Germanium spröde und weist eine geringe Plastizität auf. Germanium hat Halbleitereigenschaften.Hochreines Germaniumwird mit dreiwertigen Elementen (wie Indium, Gallium, Bor) dotiert, um Germaniumhalbleiter vom P-Typ zu erhalten; und fünfwertige Elemente (wie Antimon, Arsen und Phosphor) werden dotiert, um Germaniumhalbleiter vom N-Typ zu erhalten. Germanium verfügt über gute Halbleitereigenschaften, wie z. B. eine hohe Elektronenmobilität und eine hohe Lochmobilität.

1. Eigenschaften des Germaniumwafers

1.1 Allgemeine Eigenschaften von Germaniumwafern

Allgemeine Eigenschaftenstruktur	Kubisch, a = 5,6754 Å
	Dichte: 5,765 g/cm3
	Schmelzpunkt: 937,4 °C
	Wärmeleitfähigkeit: 640
Kristallwachstumstechnologie	Czochralski
Doping vorhanden	/.	Sb Doping	Doping In oder Ga
Leitfähiger Typ	N.	N.	P.
Spezifischer Widerstand, Ohm.cm	>35	<0,05	0,05 bis 0,1
EPD	< 5×103/cm2	< 5×103/cm2	< 5×103/cm2
EPD	< 5×102/cm2	< 5×102/cm2	< 5×102/cm2

1.2 Qualitäten und Anwendung von Germaniumwafern

Elektronische Note	Wird für Dioden und Transistoren verwendet.
Infrarot- oder optische Qualität	Wird für optische IR-Fenster oder -Scheiben und optische Komponenten verwendet
Zelle Grade	Wird für Substrate von Solarzellen verwendet

1.3 Standardspezifikationen von Germaniumkristallen und -wafern

Kristallorientierung	<111>,<100> und <110> ± 0,5o oder benutzerdefinierte Ausrichtung
Kristallkugel wie gewachsen	1″ ~ 6″ Durchmesser x 200 mm Länge
Standardrohling im Zuschnitt	1 "x 0,5 mm	2 "x0.6mm	4 "x0.7mm	5″&6″x0,8mm
Standardmäßig polierter Wafer (eine/zwei Seiten poliert)	1″x 0,30 mm	2 "x0.5mm	4 "x0.5mm	5″&6″x0,6mm

Spezielle Größen und Ausrichtungen sind auf Wunsch für Wafer erhältlich

2. Spezifikation des Germaniumwafers

2.1 Spezifikation des Germaniumwafers in den Größen 2“, 3“, 4“ und 6“.

Artikel	Spezifikationen	Bemerkungen
Wachstumsmethode	VGF	- -
Leitungstyp	n-Typ, p-Typ
Dotierstoff	Gallium oder Antimon	- -
Wafer-Durchmesser	2, 3,4 & 6	Zoll
Kristallorientierung	(100),(111),(110)	- -
Dicke	200 ~ 550	Äh
VON	EJ oder US	- -
Trägerkonzentration	Anfrage an Kunden
Widerstand bei RT	(0,001 ~ 80)	Ohm.cm
Ätzgrubendichte	<5000	/ cm2
Laserbeschriftung	auf Anfrage	- -
Oberflächenfinish	P / E oder P / P	- -
Epi bereit	Ja	- -
Paket	Einzelner Waferbehälter oder Kassette	- -

2.2 Germaniumwafer für Solarzellen

4-Zoll-Ge-Wafer-Spezifikation	für Solarzellen	—
Doping	P.	—
Dopingmittel	Ge-Ga	—
Durchmesser	100 ± 0,25 mm	—
Orientierung	(100) 9° abweichend in Richtung <111>+/-0,5
Neigungswinkel außerhalb der Ausrichtung	N / A	—
Primäre flache Ausrichtung	N / A	—
Primäre flache Länge	32 ± 1	Millimeter
Sekundäre flache Ausrichtung	N / A	—
Sekundäre flache Länge	N / A	Millimeter
cc	(0,26-2,24)E18	/ cc
Widerstand	(0,74-2,81)E-2	ohm.cm
Elektronenmobilität	382-865	cm2 / vs
EPD	<300	/ cm2
Laser-Markierung	N / A	—
Dicke	175 ± 10	um
TTV	＜ 15	um
TIR	N / A	um
BOGEN	<10	um
Kette	＜ 10	um
Vorderseite	Poliert	—
Rückfläche	Boden	—

2.3 Ge-Wafer (als optisches Filtersubstrat für einen Langpass-SWIR-Filter)

PAM180212-GE

Artikel	DSP-Ge-Wafer
Dia	4 "
Dicke	1,50 mm +/- 0,10 mm
Orientierung	N / A
Leitfähigkeit	N / A
Widerstand	N / A
Oberflächenprozess	Beidseitig poliert; mindestens 90 mm Durchmesser. zentrale klare Öffnung
Andere Parameter	60-40 Scratch-Dig oder besser
	Weniger als 2 Bogenminuten Parallelität
	Optisch flache Oberflächen bis auf einen unregelmäßigen Rand pro 25-mm-Durchmesser. in der freien Öffnung

2.4 Germanium als dünnes FIR-Fenster (PAM211121-GE)

4″ Germanium-Wafer mit niedriger Plasmafrequenz, 175µm+/-25um. (100), einseitig poliert.

3. Germanium-Wafer-Prozess

Mit dem Fortschritt von Wissenschaft und Technologie wird die Verarbeitungstechnik der Germanium-Wafer-Hersteller immer ausgereifter. Bei der Herstellung von Germaniumwafern wird Germaniumdioxid aus der Reststoffverarbeitung in Chlorierungs- und Hydrolyseschritten weiter gereinigt.
1) Bei der Zonenraffinierung wird hochreines Germanium gewonnen.
2) Ein Germaniumkristall wird über das Czochralski-Verfahren hergestellt.
3) Der Germaniumwafer wird in mehreren Schneid-, Schleif- und Ätzschritten hergestellt.
4) Die Wafer werden gereinigt und überprüft. Während dieses Prozesses werden die Wafer je nach Kundenwunsch einseitig oder doppelseitig poliert, sodass der Epi-Ready-Wafer entsteht.
5) Die dünnen Germaniumwafer werden unter einer Stickstoffatmosphäre in Einzelwaferbehälter verpackt.

4. Anwendung von Germanium:

Germaniumrohlinge oder -fenster werden in Nachtsicht- und Thermografielösungen für kommerzielle Sicherheits-, Brandbekämpfungs- und industrielle Überwachungsgeräte verwendet. Außerdem werden sie als Filter für Analyse- und Messgeräte, als Fenster zur Temperaturfernmessung und als Spiegel für Laser verwendet.

Dünne Germaniumsubstrate werden in III-V-Triple-Junction-Solarzellen und für Power Concentrated PV (CPV)-Systeme sowie als optisches Filtersubstrat für eine Langpass-SWIR-Filteranwendung verwendet.

5. Test des Germaniumwafers:

Der spezifische Widerstand des Kristall-Germanium-Wafers wurde mit einem Vier-Proben-Widerstandstester gemessen, und die Oberflächenrauheit von Germanium wurde mit einem Profilometer gemessen.

Bemerkung:
Die chinesische Regierung hat ab dem 3. Juli 2023 neue Beschränkungen für den Export von Gallium-Materialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germanium-Materialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Der Export dieser Materialien ist nur erlaubt, wenn wir eine Lizenz vom chinesischen Handelsministerium erhalten. Wir hoffen auf Ihr Verständnis und Ihre Mitarbeit!