Goldbeschichtete Siliziumwafer

Goldbeschichtete Siliziumwafer

Elektronenstrahl- und thermisches Aufdampfen von Metallbeschichtungen (Ti, Cr, Au, Pt, Pd, Al, Cu, Ag usw.) auf Siliziumwafern sind von PAM-XIAMEN erhältlich.

Pt, Ru, Pd, Au, Ag, Co, Ti, Cu, Al, Ta und Ni mit einer Dicke von 10 nm bis 2,2 um

Metallsputtern umfasst Einzelschichten und/oder die Kombination der folgenden Elemente: Ta, TaN, Cu, Ti, TiN, Al, Al-Si-Cu, Al-Cu, Al-Si, TiW, W, WN, WSi und Kr.

Die Kupferbeschichtung ist für Siliziumwafer mit einer Dicke zwischen 0,2 um und 30 um verfügbar.

Goldbeschichteter Siliziumwafer ist auf Lager, aber nicht beschränkt auf:

Wafer-Nr. Größe Material Typ Dicke (um) Beschichtungsdicke Widerstand (Ohm.cm) Menge (Stück)
PAM-XIAMEN-WAFER-#M2 4″Sputtern von Au Au beschichtet N100 435-465 20nmTi+100nmAu 0.012-0.018 12
PAM-XIAMEN-WAFER-#M3 2″Sputtern von Au P100 430±10 20nmTi+100nmAu <0.005 2
PAM-XIAMEN-WAFER-#M4 2″Sputtern von Au N100 430±10 20nmTi+1200nmAu <0.05 20
PAM-XIAMEN-WAFER-#M5 2″Sputtern von Au GaAs Halbisolierung 100 200 um 20nmTi+50-100nmAu 4
PAM-XIAMEN-WAFER-#M6 6″Sputtern von Cu P100 675um 200nmCu 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#M7 6″Sputtern von Cu N100 675um 2 um (2000 nm) Cu 13
PAM-XIAMEN-WAFER-#M8 8″Sputtern von Al 700um SSP 500nmAl 138
PAM-XIAMEN-WAFER-#M9 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#M10 12Sputtern von Cu P100 700um DSP, Sputtern auf einer Seite 1umCu 10
PAM-XIAMEN-WAFER-#M11 12Sputtern von Cu P100 700um DSP, Sputtern auf einer Seite 0,5 µm Cu = 500 nm Cu 2
PAM-XIAMEN-WAFER-#M12 6″Sputtern von Cu N100 625 ± 25 125nmCu 0.01-0.02 17
PAM-XIAMEN-WAFER-#M13 2″Sputtern von Au P100 400±15 10nmCr+100nmAu <0.0015 75
PAM-XIAMEN-WAFER-#M14 2″Sputtern von Au N100 280±15 10nmCr+100nmAu <0.05 47
PAM-XIAMEN-WAFER-#M15 4″Sputtern Pt N100 450 um 500nmSiO2+30nmTi+150nmPt 0.02-0.025 6
PAM-XIAMEN-WAFER-#M16 2″Sputtern von Au GaAs N100 110um DSP 100nmAu 4
PAM-XIAMEN-WAFER-#M17 4″Sputtern Pt P100 500±20 500nmSiO2+30nmTi+150nmPt 1-10 3
PAM-XIAMEN-WAFER-#M18 4″Sputtern Pt P100 500±10 500nmSiO2+30nmTi+150nmPt <0.0015 15
PAM-XIAMEN-WAFER-#M19 2″Sputtern Pt P100 430±15 Keine Oxidschicht+30nmTi+150nmPt 4
PAM-XIAMEN-WAFER-#C20 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt 150nmPt   40
PAM-XIAMEN-WAFER-#C21 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Au SSP N100 450±15 100nmAu 0.015-0.018 10
PAM-XIAMEN-WAFER-#C22 6″Siliziumwafer mit Sputtern von Ni SSP 650 200nmNi 9
PAM-XIAMEN-WAFER-#C23 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt SSP P100 500±20 150nmPt 1-10 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#C24 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt SSP N100 500±10 300nmPt <0.05 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#C25 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt P111 500nmSiO2+10nmTi+300nmPt 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#C26 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt P100 500nmSiO2+40nmTi+300nmPt 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#C27 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt P100 500nmSiO2+40nmTi+300nmPt 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#C28 4″Quarzglas mit Sputtern Au 20nmTi+50nmAu 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#C29 6″Siliziumwafer mit Sputtern von Ni P100 200nmNi 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#C30 6″Siliziumwafer mit Sputtern von Cu N100 625 ± 25 125nmCu 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#C31 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Au SSP N100 475-575 um 20nmTi+100nmAu 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#C32 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Au SSP N100 435-465 20nmTi+100nmAu 0.012-0.018 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#C33 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt SSP P100 500±50 150nm <0.05 100

 

Die mit Gold, Kupfer, Silber, Platin und anderen Metallen beschichteten Siliziumwafer können in den Nano-Bereichen verwendet werden, einschließlich Ohmscher Kontakt, leitfähige Substrate, Sol-Gel-Substrate, wachsende Nanomaterialien usw. Außerdem kann der metallisierte Siliziumwafer darauf aufgebracht werden Rasterelektronenmikroskop (SEM), Rasterkraftmikroskop (AFM) und andere Rastersondenmikroskope, sowie Zellkultur, Protein-DNA-Mikroarray und Reflektometer.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

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