Elektronenstrahl- und thermisches Aufdampfen von Metallbeschichtungen (Ti, Cr, Au, Pt, Pd, Al, Cu, Ag usw.) auf Siliziumwafern sind von PAM-XIAMEN erhältlich.
Pt, Ru, Pd, Au, Ag, Co, Ti, Cu, Al, Ta und Ni mit einer Dicke von 10 nm bis 2,2 um
Metallsputtern umfasst Einzelschichten und/oder die Kombination der folgenden Elemente: Ta, TaN, Cu, Ti, TiN, Al, Al-Si-Cu, Al-Cu, Al-Si, TiW, W, WN, WSi und Kr.
Die Kupferbeschichtung ist für Siliziumwafer mit einer Dicke zwischen 0,2 um und 30 um verfügbar.
Goldbeschichteter Siliziumwafer ist auf Lager, aber nicht beschränkt auf:
Wafer-Nr. | Größe | Material | Typ | Dicke (um) | Beschichtungsdicke | Widerstand (Ohm.cm) | Menge (Stück) |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M2 | 4″Sputtern von Au | Au beschichtet | N100 | 435-465 | 20nmTi+100nmAu | 0.012-0.018 | 12 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M3 | 2″Sputtern von Au | — | P100 | 430±10 | 20nmTi+100nmAu | <0.005 | 2 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M4 | 2″Sputtern von Au | — | N100 | 430±10 | 20nmTi+1200nmAu | <0.05 | 20 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M5 | 2″Sputtern von Au GaAs | — | Halbisolierung 100 | 200 um | 20nmTi+50-100nmAu | — | 4 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M6 | 6″Sputtern von Cu | — | P100 | 675um | 200nmCu | — | 1 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M7 | 6″Sputtern von Cu | — | N100 | 675um | 2 um (2000 nm) Cu | — | 13 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M8 | 8″Sputtern von Al | — | — | 700um SSP | 500nmAl | — | 138 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M9 | — | — | — | — | — | — | 25 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M10 | 12Sputtern von Cu | — | P100 | 700um DSP, Sputtern auf einer Seite | 1umCu | — | 10 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M11 | 12Sputtern von Cu | — | P100 | 700um DSP, Sputtern auf einer Seite | 0,5 µm Cu = 500 nm Cu | — | 2 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M12 | 6″Sputtern von Cu | — | N100 | 625 ± 25 | 125nmCu | 0.01-0.02 | 17 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M13 | 2″Sputtern von Au | — | P100 | 400±15 | 10nmCr+100nmAu | <0.0015 | 75 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M14 | 2″Sputtern von Au | — | N100 | 280±15 | 10nmCr+100nmAu | <0.05 | 47 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M15 | 4″Sputtern Pt | — | N100 | 450 um | 500nmSiO2+30nmTi+150nmPt | 0.02-0.025 | 6 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M16 | 2″Sputtern von Au GaAs | — | N100 | 110um DSP | 100nmAu | — | 4 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M17 | 4″Sputtern Pt | — | P100 | 500±20 | 500nmSiO2+30nmTi+150nmPt | 1-10 | 3 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M18 | 4″Sputtern Pt | — | P100 | 500±10 | 500nmSiO2+30nmTi+150nmPt | <0.0015 | 15 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#M19 | 2″Sputtern Pt | — | P100 | 430±15 | Keine Oxidschicht+30nmTi+150nmPt | — | 4 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C20 | 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt | — | — | — | 150nmPt | 40 | |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C21 | 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Au | SSP | N100 | 450±15 | 100nmAu | 0.015-0.018 | 10 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C22 | 6″Siliziumwafer mit Sputtern von Ni | SSP | — | 650 | 200nmNi | — | 9 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C23 | 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt | SSP | P100 | 500±20 | 150nmPt | 1-10 | 100 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C24 | 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt | SSP | N100 | 500±10 | 300nmPt | <0.05 | 100 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C25 | 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt | — | P111 | — | 500nmSiO2+10nmTi+300nmPt | — | 100 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C26 | 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt | — | P100 | — | 500nmSiO2+40nmTi+300nmPt | — | 100 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C27 | 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt | — | P100 | — | 500nmSiO2+40nmTi+300nmPt | — | 100 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C28 | 4″Quarzglas mit Sputtern Au | — | — | — | 20nmTi+50nmAu | — | 100 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C29 | 6″Siliziumwafer mit Sputtern von Ni | — | P100 | — | 200nmNi | — | 100 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C30 | 6″Siliziumwafer mit Sputtern von Cu | — | N100 | 625 ± 25 | 125nmCu | — | 100 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C31 | 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Au | SSP | N100 | 475-575 um | 20nmTi+100nmAu | — | 100 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C32 | 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Au | SSP | N100 | 435-465 | 20nmTi+100nmAu | 0.012-0.018 | 100 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#C33 | 4″Siliziumwafer mit Sputtern von Pt | SSP | P100 | 500±50 | 150nm | <0.05 | 100 |
Die mit Gold, Kupfer, Silber, Platin und anderen Metallen beschichteten Siliziumwafer können in den Nano-Bereichen verwendet werden, einschließlich Ohmscher Kontakt, leitfähige Substrate, Sol-Gel-Substrate, wachsende Nanomaterialien usw. Außerdem kann der metallisierte Siliziumwafer darauf aufgebracht werden Rasterelektronenmikroskop (SEM), Rasterkraftmikroskop (AFM) und andere Rastersondenmikroskope, sowie Zellkultur, Protein-DNA-Mikroarray und Reflektometer.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.