Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd., ein führender Anbieter von hochreinen halbisolierenden SiC-Substraten und anderen damit verbundenen Produkten und Dienstleistungen, gab bekannt, dass die neue Verfügbarkeit der Größen 2"&3"&4"&6" bei PVT in Massenproduktion geht. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung der Produktlinie von PAM-XIAMEN dar. Dr. Shaka sagte: „Wir freuen uns, unseren Kunden hochreine halbisolierende SiC-Wafer anbieten zu können. Das halbisolierende 4H-Siliziumkarbid-Substrat (SiC) ist in axialer Ausrichtung erhältlich. Beim Epitaxieprozess von halbisolierenden Siliziumkarbid-Wafern haben wir in unserer Forschung herausgefunden, dass die Mikroröhrendichte normalerweise nicht das Haupthindernis für das Wachstum hochwertiger Epi-Schichten ist, sondern dass Kohlenstoffeinschlüsse ein Problem darstellen. Daher konzentrieren wir uns auf die Kontrolle oder Entfernung von Wafern ohne oder kleiner Kohlenstoffeinschlüsse, sodass hochreines halbisolierendes SiC-Substrat in Forschungs- und Produktionsqualität eine hochwertige Heteroepitaxie wie eine AlGaN/GaN-Struktur gewährleisten kann.“
1. Hochreines halbisolierendes SiCWaferliste:
Artikelnummer | Durchmesser | Typ | Orientierung | Dicke | Widerstand (Ohm-cm) | Klasse |
S4H-150-SI-PWAM-500-D | 150mm | HPSI | Auf Achse | 500µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Dummy-Note |
S4H-150-SI-PWAM-500-R | 150mm | HPSI | Auf Achse | 500µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Forschungsgrad |
S4H-150-SI-PWAM-500-A | 150mm | HPSI | Auf Achse | 500µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Produktionsqualität |
S4H-100-SI-PWAM-500-D | 100mm | HPSI | Auf Achse | 500µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Dummy-Note |
S4H-100-SI-PWAM-500-R | 100mm | HPSI | Auf Achse | 500µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Forschungsgrad |
S4H-100-SI-PWAM-500-A | 100mm | HPSI | Auf Achse | 500µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Produktionsqualität |
S4H-76-SI-PWAM-350-D | 76,2 mm | HPSI | Auf Achse | 350µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Dummy-Note |
S4H-76-SI-PWAM-350-R | 76,2 mm | HPSI | Auf Achse | 350µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Forschungsgrad |
S4H-76-SI-PWAM-350-A | 76,2 mm | HPSI | Auf Achse | 350µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Produktionsqualität |
S4H-51-SI-PWAM-350-D | 50,8 mm | HPSI | Auf Achse | 350µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Dummy-Note |
S4H-51-SI-PWAM-350-R | 50,8 mm | HPSI | Auf Achse | 350µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Forschungsgrad |
S4H-51-SI-PWAM-350-A | 50,8 mm | HPSI | Auf Achse | 350µm +/-25µm | ≥ 1E7 | Produktionsqualität |
2. Spezifikation des hochreinen halbisolierenden SiC-Substrats
2-1 HOCHREINE HALBISOLIERENDE 4H-SIC-WAFER-SPEZIFIKATION, 2 Zoll
Substrateigentum | S4H-51-SI-PWAM-350 |
Beschreibung | A/B-Produktionsqualität C/D Forschungsqualität D Dummy-Qualität 4H SEMI-Substrat |
Polytype | 4H |
Durchmesser | (50,8 ± 0,38) mm |
Dicke | (350 ± 25) μm |
Typ | Hochreines halbisolierendes Material (HPSI), undotiert |
Dotierstoff | undotierte |
Widerstand (RT) | >1E7 Ω·cm |
Oberflächenrauheit | < 0,5 nm (Si-Oberfläche CMP Epi-ready); <1 nm (optische C-Face-Politur) |
FWHM | A<30 Bogensekunden B/C/D <50 Bogensekunden |
Micropipe-Dichte | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
Oberflächenorientierung | |
Auf Achse <0001>± 0,5° | |
Außerhalb der Achse 3,5° in Richtung <11-20>± 0,5° | |
Primäre flache Ausrichtung | Parallel {1-100} ± 5° |
Primäre flache Länge | 16,00 ± 1,70 mm |
Sekundäre flache Ausrichtung | Si-Fläche: 90° rechts. von der Ausrichtung flach ± 5° |
C-Fläche: 90° gegen den Uhrzeigersinn. von der Ausrichtung flach ± 5° | |
Sekundäre flache Länge | 8,00 ± 1,70 mm |
Oberflächenfinish | Ein- oder doppelseitig poliert |
Verpackung | Einzelwaffelbox oder Multiwaffelbox |
Nutzfläche | ≥ 90% |
Kantenausschluss | 1 mm |
2-2 HOCHREINES HALSISOLIERENDES 4H-SIC-SUBSTRAT, SPEZIFIKATION, 3 Zoll
Substrateigentum | S4H-76-N-PWAM-350 |
Beschreibung | A/B Produktionsqualität C/D Forschungsqualität D Dummy-Qualität 4H SiC-Substrat |
Polytype | 4H |
Durchmesser | (76,2 ± 0,38) mm |
Dicke | (350 ± 25) μm |
Typ | Hochreine Halbisolierung (HPSI) |
Dotierstoff | undotierte |
Widerstand (RT) | >1E7Ω·cm |
Oberflächenrauheit | < 0,5 nm (Si-Oberfläche CMP Epi-ready); <1 nm (optische C-Face-Politur) |
FWHM | A<30 Bogensekunden B/C/D <50 Bogensekunden |
Micropipe-Dichte | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
TTV/Bogen/Warp | <25 um |
Oberflächenorientierung | <0001>± 0,5° |
Primäre flache Ausrichtung | <11-20>±5,0° |
Primäre flache Länge | 22,22 mm ± 3,17 mm |
0,875″±0,125″ | |
Sekundäre flache Ausrichtung | Si-Fläche: 90° rechts. von der Ausrichtung flach ± 5° |
C-Fläche: 90° gegen den Uhrzeigersinn. von der Ausrichtung flach ± 5° | |
Sekundäre flache Länge | 11,00 ± 1,70 mm |
Oberflächenfinish | Ein- oder doppelseitig poliert |
Verpackung | Einzelwaffelbox oder Multiwaffelbox |
Kratzer | Keiner |
Nutzfläche | ≥ 90% |
Kantenausschluss | 2mm |
2-3 4H HOCHREINE SEMI-ISOLIERENDE SIC-WAFER-SPEZIFIKATION, 4 Zoll
SUBSTRAIE-EIGENTUM | Eine Note | B-Klasse | C-Klasse |
Durchmesser | 100,0 mm + 0,0/-0,5 mm | ||
Oberflächenorientierung | {0001} ± 0,2° | ||
Primäre flache Ausrichtung | [11-20] ± 5° | ||
Sekundäre flache Ausrichtung | Silikonseite nach oben: 90° CW. von Prime Flat ±5,0° | ||
Primäre flache Länge | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||
Sekundäre flache Länge | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||
Oberflächenrauheit | Si-Fläche Ra≤0,2 nm | ||
Dicke | 500,0 μm ± 25,0 μm | ||
TTV(10mm2) | ≤10 μm | ||
LTV | ≤3μm | ≤5μm | |
Kette | ≤35 μm | ≤45μm | |
Bogen (absolut) | ≤25μm | ≤30μm | |
Micropipe-Dichte | ≤1 cm-2 | ≤10 cm-2 | ≤20 cm-2 |
Widerstand | ≥1E8Ω-cm | 75 % Fläche: ≥1E8Ω-cm | |
Polytype | Keine erlaubt | Kumulierte Fläche ≤ 5 % | |
Hex-Platten durch hochintensives Licht | Keine erlaubt | Menge: 6 < 100 μm | Kumulierte Fläche ≤ 5 % |
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse | Kumulierte Fläche ≤ 0,05 % | Kumulierte Fläche ≤ 10 % | N / A |
Oberflächenfinish | Doppelseitige Politur, Si Face CMP (chemisches Polieren) | ||
Waffelrand | Abschrägung | ||
Kantenausbrüche/-beulen durch diffuse Beleuchtung | Nicht zulässig ≥ 0,5 mm Breite und Tiefe | Menge: 2 <1,0 mm Breite und Tiefe | |
Kratzer (CS920/CS8520) | Kumulierte Länge ≤ 1 * Wafer-Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 1,5 * Wafer-Durchmesser | |
Risse | Keine erlaubt | ||
Kantenausschluss | 3mm |
2-4 4H HOCHREINES HALSISOLIERENDES SIC-SUBSTRAT, SPEZIFIKATION, 6 Zoll
Substrateigentum | Eine Note | B-Klasse | C-Klasse |
Durchmesser | 150,0 mm ± 0,2 mm | ||
Oberflächenorientierung | {0001} ± 0,2° | ||
Kerbenausrichtung | [1-100] ± 5,0° | ||
Kerbtiefe | 1,0 mm +0,25 mm, -0,00 mm | ||
Oberflächenrauheit | Si-Fläche Ra≤0,2 nm | ||
Dicke | 500,0 μm ± 25,0 μm | ||
TTV | ≤10 μm | ||
LTV(10mm2) | ≤3μm | ≤5μm | |
Kette | ≤40μm | ≤60μm | |
Bogen (absolut) | ≤25μm | ≤40μm | |
Micropipe-Dichte | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤10 cm-2 |
Widerstand | ≥1E8Ω-cm | 75 % Fläche: ≥1E8Ω-cm | |
Polytype | Keine erlaubt | Kumulierte Fläche ≤ 5 % | |
Hex-Platten durch hochintensives Licht | Kumulierte Fläche ≤0,05 % | Kumulierte Fläche ≤0,1 % | Kumulierte Fläche ≤ 5 % |
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse | Kumulierte Fläche ≤0,05 % | Kumulierte Fläche ≤10 % | N / A |
Oberflächenfinish | Doppelseitige Politur, Si Face CMP (chemisches Polieren) | ||
Waffelrand | Abschrägung | ||
Kantenausbrüche/-beulen durch diffuse Beleuchtung | Keine zulässige Breite und Tiefe ≥0,5 mm | Menge: 2 <1,0 mm Breite und Tiefe | |
Kratzer (CS920/CS8520) | Kumulierte Länge ≤ 1 * Wafer-Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 1,5 * Wafer-Durchmesser | |
Risse | Keine erlaubt | ||
Kantenausschluss | 3mm |
3. Fluoreszenz-PL-Diagramm von Vsi
Siehe unten Fluoreszenz-PL-Diagramm von Vsi, getestet mit einem 2 Zoll, 4H, hochreinen halbisolierenden SiC-Substrat.
Auf dem Markt für hochreine halbisolierende SiC-Substrate ist es derzeit der MainstreamSiliziumkarbid-SubstratproduktSpezifikation ist 4 Zoll. Aufgrund der hohen Reinheit ohne Dotierstoffe behält das HPSI-SiC-Substratmaterial einen hohen spezifischen Widerstand bei guter Gleichmäßigkeit. Halbisolierendes SiC-Substrat wird hauptsächlich bei der Herstellung von Galliumnitrid-Hochfrequenzgeräten verwendet. Durch das Aufwachsen einer Galliumnitrid-Epitaxieschicht auf einem SiC-Wafer vom HPSI-Typ wurde aGalliumnitrid-Epitaxiewafer auf SiC-Basiswird vorbereitet, das weiter zu einem GaN-HF-Gerät verarbeitet werden kann.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.