PAM-XIAMEN bietet hochreines halbisolierendes SiC-Substrat

PAM-XIAMEN bietet hochreines halbisolierendes SiC-Substrat

Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd., ein führender Anbieter von hochreinen halbisolierenden SiC-Substraten und anderen damit verbundenen Produkten und Dienstleistungen, gab bekannt, dass die neue Verfügbarkeit der Größen 2"&3"&4"&6" bei PVT in Massenproduktion geht. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung der Produktlinie von PAM-XIAMEN dar. Dr. Shaka sagte: „Wir freuen uns, unseren Kunden hochreine halbisolierende SiC-Wafer anbieten zu können. Das halbisolierende 4H-Siliziumkarbid-Substrat (SiC) ist in axialer Ausrichtung erhältlich. Beim Epitaxieprozess von halbisolierenden Siliziumkarbid-Wafern haben wir in unserer Forschung herausgefunden, dass die Mikroröhrendichte normalerweise nicht das Haupthindernis für das Wachstum hochwertiger Epi-Schichten ist, sondern dass Kohlenstoffeinschlüsse ein Problem darstellen. Daher konzentrieren wir uns auf die Kontrolle oder Entfernung von Wafern ohne oder kleiner Kohlenstoffeinschlüsse, sodass hochreines halbisolierendes SiC-Substrat in Forschungs- und Produktionsqualität eine hochwertige Heteroepitaxie wie eine AlGaN/GaN-Struktur gewährleisten kann.“

1. Hochreines halbisolierendes SiCWaferliste:

Artikelnummer Durchmesser Typ Orientierung Dicke Widerstand (Ohm-cm) Klasse
S4H-150-SI-PWAM-500-D 150mm HPSI Auf Achse 500µm +/-25µm ≥ 1E7 Dummy-Note
S4H-150-SI-PWAM-500-R 150mm HPSI Auf Achse 500µm +/-25µm ≥ 1E7 Forschungsgrad
S4H-150-SI-PWAM-500-A 150mm HPSI Auf Achse 500µm +/-25µm ≥ 1E7 Produktionsqualität
S4H-100-SI-PWAM-500-D 100mm HPSI Auf Achse 500µm +/-25µm ≥ 1E7 Dummy-Note
S4H-100-SI-PWAM-500-R 100mm HPSI Auf Achse 500µm +/-25µm ≥ 1E7 Forschungsgrad
S4H-100-SI-PWAM-500-A 100mm HPSI Auf Achse 500µm +/-25µm ≥ 1E7 Produktionsqualität
S4H-76-SI-PWAM-350-D 76,2 mm HPSI Auf Achse 350µm +/-25µm ≥ 1E7 Dummy-Note
S4H-76-SI-PWAM-350-R 76,2 mm HPSI Auf Achse 350µm +/-25µm ≥ 1E7 Forschungsgrad
S4H-76-SI-PWAM-350-A 76,2 mm HPSI Auf Achse 350µm +/-25µm ≥ 1E7 Produktionsqualität
S4H-51-SI-PWAM-350-D 50,8 mm HPSI Auf Achse 350µm +/-25µm ≥ 1E7 Dummy-Note
S4H-51-SI-PWAM-350-R 50,8 mm HPSI Auf Achse 350µm +/-25µm ≥ 1E7 Forschungsgrad
S4H-51-SI-PWAM-350-A 50,8 mm HPSI Auf Achse 350µm +/-25µm ≥ 1E7 Produktionsqualität

 

2. Spezifikation des hochreinen halbisolierenden SiC-Substrats

2-1 HOCHREINE HALBISOLIERENDE 4H-SIC-WAFER-SPEZIFIKATION, 2 Zoll
Substrateigentum S4H-51-SI-PWAM-350
Beschreibung A/B-Produktionsqualität C/D Forschungsqualität D Dummy-Qualität 4H SEMI-Substrat
Polytype 4H
Durchmesser (50,8 ± 0,38) mm
Dicke (350 ± 25) μm
Typ Hochreines halbisolierendes Material (HPSI), undotiert
Dotierstoff undotierte
Widerstand (RT) >1E7 Ω·cm
Oberflächenrauheit < 0,5 nm (Si-Oberfläche CMP Epi-ready); <1 nm (optische C-Face-Politur)
FWHM A<30 Bogensekunden B/C/D <50 Bogensekunden
Micropipe-Dichte A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
Oberflächenorientierung
Auf Achse <0001>± 0,5°
Außerhalb der Achse 3,5° in Richtung <11-20>± 0,5°
Primäre flache Ausrichtung Parallel {1-100} ± 5°
Primäre flache Länge 16,00 ± 1,70 mm
Sekundäre flache Ausrichtung Si-Fläche: 90° rechts. von der Ausrichtung flach ± ​​5°
C-Fläche: 90° gegen den Uhrzeigersinn. von der Ausrichtung flach ± ​​5°
Sekundäre flache Länge 8,00 ± 1,70 mm
Oberflächenfinish Ein- oder doppelseitig poliert
Verpackung Einzelwaffelbox oder Multiwaffelbox
Nutzfläche ≥ 90%
Kantenausschluss 1 mm

 

2-2 HOCHREINES HALSISOLIERENDES 4H-SIC-SUBSTRAT, SPEZIFIKATION, 3 Zoll
Substrateigentum S4H-76-N-PWAM-350
Beschreibung A/B Produktionsqualität C/D Forschungsqualität D Dummy-Qualität 4H SiC-Substrat
Polytype 4H
Durchmesser (76,2 ± 0,38) mm
Dicke (350 ± 25) μm
Typ Hochreine Halbisolierung (HPSI)
Dotierstoff undotierte
Widerstand (RT) >1E7Ω·cm
Oberflächenrauheit < 0,5 nm (Si-Oberfläche CMP Epi-ready); <1 nm (optische C-Face-Politur)
FWHM A<30 Bogensekunden B/C/D <50 Bogensekunden
Micropipe-Dichte A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
TTV/Bogen/Warp <25 um
Oberflächenorientierung <0001>± 0,5°
Primäre flache Ausrichtung <11-20>±5,0°
Primäre flache Länge 22,22 mm ± 3,17 mm
0,875″±0,125″
Sekundäre flache Ausrichtung Si-Fläche: 90° rechts. von der Ausrichtung flach ± ​​5°
C-Fläche: 90° gegen den Uhrzeigersinn. von der Ausrichtung flach ± ​​5°
Sekundäre flache Länge 11,00 ± 1,70 mm
Oberflächenfinish Ein- oder doppelseitig poliert
Verpackung Einzelwaffelbox oder Multiwaffelbox
Kratzer Keiner
Nutzfläche ≥ 90%
Kantenausschluss 2mm

 

2-3 4H HOCHREINE SEMI-ISOLIERENDE SIC-WAFER-SPEZIFIKATION, 4 Zoll
SUBSTRAIE-EIGENTUM Eine Note B-Klasse C-Klasse
Durchmesser 100,0 mm + 0,0/-0,5 mm
Oberflächenorientierung {0001} ± 0,2°
Primäre flache Ausrichtung [11-20] ± 5°
Sekundäre flache Ausrichtung Silikonseite nach oben: 90° CW. von Prime Flat ±5,0°
Primäre flache Länge 32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge 18,0 mm ± 2,0 mm
Oberflächenrauheit Si-Fläche Ra≤0,2 nm
Dicke 500,0 μm ± 25,0 μm
TTV(10mm2) ≤10 μm
LTV ≤3μm ≤5μm
Kette ≤35 μm ≤45μm
Bogen (absolut) ≤25μm ≤30μm
Micropipe-Dichte ≤1 cm-2 ≤10 cm-2 ≤20 cm-2
Widerstand ≥1E8Ω-cm 75 % Fläche: ≥1E8Ω-cm
Polytype Keine erlaubt Kumulierte Fläche ≤ 5 %
Hex-Platten durch hochintensives Licht Keine erlaubt Menge: 6 < 100 μm Kumulierte Fläche ≤ 5 %
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse Kumulierte Fläche ≤ 0,05 % Kumulierte Fläche ≤ 10 % N / A
Oberflächenfinish Doppelseitige Politur, Si Face CMP (chemisches Polieren)
Waffelrand Abschrägung
Kantenausbrüche/-beulen durch diffuse Beleuchtung Nicht zulässig ≥ 0,5 mm Breite und Tiefe Menge: 2 <1,0 mm Breite und Tiefe
Kratzer (CS920/CS8520) Kumulierte Länge ≤ 1 * Wafer-Durchmesser Kumulierte Länge ≤ 1,5 * Wafer-Durchmesser
Risse Keine erlaubt
Kantenausschluss 3mm

 

2-4 4H HOCHREINES HALSISOLIERENDES SIC-SUBSTRAT, SPEZIFIKATION, 6 Zoll
Substrateigentum Eine Note B-Klasse C-Klasse
Durchmesser 150,0 mm ± 0,2 mm
Oberflächenorientierung {0001} ± 0,2°
Kerbenausrichtung [1-100] ± 5,0°
Kerbtiefe 1,0 mm +0,25 mm, -0,00 mm
Oberflächenrauheit Si-Fläche Ra≤0,2 nm
Dicke 500,0 μm ± 25,0 μm
TTV ≤10 μm
LTV(10mm2) ≤3μm ≤5μm
Kette ≤40μm ≤60μm
Bogen (absolut) ≤25μm ≤40μm
Micropipe-Dichte ≤1 cm-2 ≤5 cm-2 ≤10 cm-2
Widerstand ≥1E8Ω-cm 75 % Fläche: ≥1E8Ω-cm
Polytype Keine erlaubt Kumulierte Fläche ≤ 5 %
Hex-Platten durch hochintensives Licht Kumulierte Fläche ≤0,05 % Kumulierte Fläche ≤0,1 % Kumulierte Fläche ≤ 5 %
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse Kumulierte Fläche ≤0,05 % Kumulierte Fläche ≤10 % N / A
Oberflächenfinish Doppelseitige Politur, Si Face CMP (chemisches Polieren)
Waffelrand Abschrägung
Kantenausbrüche/-beulen durch diffuse Beleuchtung Keine zulässige Breite und Tiefe ≥0,5 mm Menge: 2 <1,0 mm Breite und Tiefe
Kratzer (CS920/CS8520) Kumulierte Länge ≤ 1 * Wafer-Durchmesser Kumulierte Länge ≤ 1,5 * Wafer-Durchmesser
Risse Keine erlaubt
Kantenausschluss 3mm

3. Fluoreszenz-PL-Diagramm von Vsi

Siehe unten Fluoreszenz-PL-Diagramm von Vsi, getestet mit einem 2 Zoll, 4H, hochreinen halbisolierenden SiC-Substrat.

Fluoreszenz-PL-Diagramm von Vsi

Fluoreszenz-PL-Diagramm von Vsi

Auf dem Markt für hochreine halbisolierende SiC-Substrate ist es derzeit der MainstreamSiliziumkarbid-SubstratproduktSpezifikation ist 4 Zoll. Aufgrund der hohen Reinheit ohne Dotierstoffe behält das HPSI-SiC-Substratmaterial einen hohen spezifischen Widerstand bei guter Gleichmäßigkeit. Halbisolierendes SiC-Substrat wird hauptsächlich bei der Herstellung von Galliumnitrid-Hochfrequenzgeräten verwendet. Durch das Aufwachsen einer Galliumnitrid-Epitaxieschicht auf einem SiC-Wafer vom HPSI-Typ wurde aGalliumnitrid-Epitaxiewafer auf SiC-Basiswird vorbereitet, das weiter zu einem GaN-HF-Gerät verarbeitet werden kann.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

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