Indiumarsenid (InAs)-Wafer können von PAM-XIAMEN mit einem Durchmesser von bis zu 2 Zoll und einer großen Auswahl an abweichender oder exakter Ausrichtung, hoher oder niedriger Konzentration und Oberflächenbearbeitung für die optoelektronische Industrie geliefert werden.Als Wafer is an important III-V narrow band gap semiconductor. It has the characteristics of high electron mobility, low effective mass and strong spin-orbit coupling. Therefore, it’s ideal for preparing high-speed and low-power electronic devices, infrared optoelectronic devices and spintronic device, such as synchronization of IR and visible pulses in pump-probe setup. More sepcs of indium arsenide wafer please see the followings:

1. Spezifikationen von Indiumarsenid-Substraten

PAM200119-INAS

2-Zoll-Indiumarsenid-Wafer mit folgenden Spezifikationen:

1) Dicke (um): 500;

Ausrichtung: (001);

Typ: N;

Dotierung: Zinn oder S;

Trägerkonzentration: (5-20) x 10¹⁷ cm^-3;

Oberflächenvorbereitung: Poliert/poliert;

Epi-bereit

2) Dicke (um): 500;

Ausrichtung: (001);

Typ: N;

Dotierstoff: Undotiert;

Trägerkonzentration: (1-6) x 10¹⁶ cm^-3;

Oberflächenvorbereitung: Poliert/poliert;

Epi-bereit

2. Defekte beim Wachstum des Indiumarsenid-Wafers

Es ist möglich, InAsSb/InAsPSb, InNAsSb, AlGaSb und andere Heteroübergangs-Übergitterstrukturmaterialien darauf aufzuwachsenAls Einkristallals Substrat zur Herstellung von Infrarotlicht emittierenden Geräten und Quantenkaskadenlasern mit Wellenlängen von 2–14 nm. Mit der kontinuierlichen Verbesserung der Geräteleistung und der Reduzierung der Gerätegröße werden die Anforderungen an die Übergangsqualität und die Oberflächenqualität von Einkristall-InAs-Substraten immer höher. Dies erfordert die Untersuchung des Massenwachstums von Indiumarsenid-Einkristallen und das Polieren, Reinigen und andere Prozesstechnologien von Wafern, um die Defektdichte im Kristall zu reduzieren und zu kontrollieren, Oberflächenschäden während des Polierprozesses zu vermeiden und die Konzentration von Restverunreinigungen zu reduzieren. Jedoch werden III-V-Verbindungswafermaterialien durch thermische Spannungen und Abweichungen des chemischen Verhältnisses während des Wachstumsprozesses beeinträchtigt und sind anfällig für Verunreinigungsablagerung, Versetzungscluster, Kleinwinkelkorngrenzen und andere Defekte. Die chemischen Eigenschaften des Indiummonoarsenids sind instabil, und das Material ist weich und spröde. Daher ist es leicht, Verarbeitungsschäden zu erzeugen. Die Untersuchung der Ursachen dieser Defekte wird dazu beitragen, die Wachstumstechnologie für hochreine Indiumarsenid-Wafer zu verbessern, die Defektkonzentration zu reduzieren und die Qualität und die Oberfläche des Indiumarsenid-Dünnfilms zu verbessern.

3. Lösungen zur Herstellung hochwertiger InAs-Wafer

Es wird eine Lösung vorgeschlagen, die das LEC-Verfahren verwendet, um einen Indiumarsenid(100)-Einkristall zu züchten. Durch Einstellen der thermischen Feldbedingungen, wobei der Temperaturgradient in Längsrichtung unter 120 K/cm gehalten wird, wird der InAs-Barren leicht dissoziiert, und es gibt nur eine kleine Menge an anhaftendem B203 auf der Oberfläche, was die thermische Spannung des Kristalls vollständig reduziert. Darüber hinaus ist es notwendig, den Winkel der Schulterplatzierung und -schließung sowie die Abkühlgeschwindigkeit zu kontrollieren und zu standardisieren, um große Temperaturschwankungen während des Wachstumsprozesses zu vermeiden, die zu einem thermischen Schock führen, der den Kristall beeinträchtigt. Unter solchen Wachstumsbedingungen wird ein InAs-Einkristall mit guter Kristallqualität erhalten. Die Gitterintegrität des InAs-Einkristalls ist ziemlich gut. Die Kristallqualität von InAs-Einkristallen, die unter As-reichen Bedingungen gezüchtet wurden, ist offensichtlich schlecht, und ein solcher Indiumarsenid-Einkristallwafer bricht während der Verarbeitung leicht. Daher ist das Aufrechterhalten eines reichhaltigen Indiumzustands förderlich für das Erhalten eines qualitativ hochwertigen InAs-Einkristalls mit guter Leistung, geringer Versetzungsdichte und ohne Cluster und lineare Versetzungen.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.